應用于動態電壓調整系統的抗輻照雙互鎖存型存儲單元技術方案

本發明專利技術公開一種應用于動態電壓調整系統的抗輻照雙互鎖存型存儲單元，在原有DICE單元基礎上增加讀取管MN9以及控制MN9導通的讀字線和與靈敏放大器相連的讀位線；通過這樣的改動，使讀字線開啟時有且僅有一位存儲節點因位線分壓受到擾動；同時，利用DICE單元“雙節點反饋”的結構特性，對單一節點的擾動會在擾動源消失后自行恢復，不會對存儲單元所存儲的數據造成影響，從而消除了“讀破壞”現象的發生。本發明專利技術DICE單元將原本由同一根位線連接的兩個同相位節點的結構改為由讀位線連接一位存儲節點的結構，解決了當字線開啟時由位線分壓造成的兩個同相位節點同時翻轉的問題，在保證數據正常讀出的同時，提高了存儲單元在亞閾值工作時的魯棒性。

【技術實現步驟摘要】
201610178618

【技術保護點】
應用于DVS系統的抗輻照DICE存儲單元，其特征在于，包括：包括寫字線、讀字線、寫位線、寫位線非、讀位線、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8和NMOS管MN9；PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3和PMOS管MP4的源極接電源；PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3和PMOS管MP4的漏極分別接節點X0、X1、X2、X3；PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4和PMOS管MP1的柵極分別接節點X0、X1、X2、X3；NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4的漏極分別接節點X0、X1、X2、X3；NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4的源極接地；NMOS管MN4、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3的柵極分別接節點X0、X1、X2、X3；NMOS管MN5的柵極接寫字線，漏極和源極中一個接寫位線，另一個接節點X0；NMOS管MN6的柵極接寫字線，漏極和源極中一個接寫位線，另一個接節點X2；NMOS管MN7的柵極接寫字線，漏極和源極中一個接寫位線非，另一個接節點X3；NMOS管MN8的柵極接寫字線，漏極和源極中一個接寫位線非，另一個接節點X1；NMOS管MN9的柵極接讀字線，漏極和源極中一個接讀位線，另一個接節點X1。...

【技術特征摘要】
1.應用于DVS系統的抗輻照DICE存儲單元，其特征在于，包括：包括寫字線、讀字線、寫位線、寫位線非、讀位線、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8和NMOS管MN9；PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3和PMOS管MP4的源極接電源；PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3和PMOS管MP4的漏極分別接節點X0、X1、X2、X3；PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4和PMOS管MP1的柵極分別接節點X0、X1、X2、X3；NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4...

【專利技術屬性】
技術研發人員：耿莉，李廣林，張杰，商中夏，宋璐雯，苗孟濤，
申請(專利權)人：西安交通大學，
類型：發明
國別省市：陜西;61