一種氧化鋅?氧化鉍薄膜壓敏電阻器的制備方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種氧化鋅?氧化鉍薄膜壓敏電阻器的制備方法，屬于電子信息材料制備及其應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明專利技術(shù)利用射頻磁控濺射方法，采用非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)ZnOn(n<1)為基質(zhì)靶材，其他金屬或其氧化物為摻雜靶材，在優(yōu)化的濺射工藝下，在導(dǎo)電基片上沉積得到低電阻率的氧化鋅薄膜，然后將其埋入氧化鉍粉末中進(jìn)行熱浸，獲得氧化鋅?氧化鉍薄膜壓敏電阻。這種薄膜壓敏電阻器非線性性能優(yōu)異、壓敏電壓可控、漏電流小等特點(diǎn)，在大規(guī)模或超大規(guī)模集成電路的過壓保護(hù)中有廣泛的應(yīng)用前景。該方法薄膜沉積和熱浸條件嚴(yán)格可控，工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得組成、結(jié)構(gòu)和厚度均勻的薄膜器件，適合規(guī)模化生產(chǎn)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
201610286553

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種氧化鋅?氧化鉍薄膜壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，所述方法利用射頻磁控濺射方法，采用非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)ZnOn(n<1)為基質(zhì)靶材，其他金屬或其氧化物為摻雜靶材，在優(yōu)化的磁控濺射工藝下，在導(dǎo)電基片上沉積得到低電阻率的氧化鋅薄膜，然后將其埋入氧化鉍粉末中進(jìn)行熱浸，獲得高性能的氧化鋅?氧化鉍薄膜壓敏電阻，包括以下步驟：(1)在射頻磁控濺射設(shè)備中，以非化學(xué)計(jì)量比的燒結(jié)ZnOn為基質(zhì)靶材，金屬Fe、Co、Ni、Mn及其氧化物中的一種或多種為摻雜靶材，將靶材固定在靶位上；將清潔基片固定在樣品臺(tái)上；開啟機(jī)械泵抽至低真空，系統(tǒng)真空度達(dá)到0.1Pa時(shí)開啟分子泵，直至系統(tǒng)的真空度達(dá)到2×10?4Pa以上；(2)通入工作氣體氬氣，首先進(jìn)行預(yù)濺射2?10min，以此除去靶材表面的污染物；當(dāng)輝光穩(wěn)定下來后，在環(huán)境溫度下，在氬氣或在氬氣和氧氣混合氣氛中，開始氧化鋅薄膜的濺射沉積；(3)從磁控濺射設(shè)備中取出所制備的薄膜樣品，在馬弗爐中，把制備好的氧化鋅薄膜埋在市售分析純Bi2O3粉末中進(jìn)行熱浸；熱浸后，將樣品隨爐冷卻到室溫；(4)在所得含氧化鋅?氧化鉍復(fù)合薄膜的樣品的上下表面(薄膜和基片)上分別被電極，即得到所述壓敏電阻器。...

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王楊，彭志堅(jiān)，王琪，符秀麗，
申請(專利權(quán))人：中國地質(zhì)大學(xué)北京，
類型：發(fā)明
國別省市：北京;11