本發明專利技術涉及一種用于測試漏電斷路器的測試儀，包括具有第一火線端和第二火線端的交流電源電路、用于與被測設備的火線輸出端相連的相位產生電路、調節電路和時間檢測電路；第一火線端和第二火線端用于與被測設備的火線輸入端相連，所述負載回路的零線端用于與被測設備的零線端相連；相位產生電路包括控制按鈕電路，控制按鈕電路用于控制相位產生電路分別生成產生符合國家標準的測試電流。本發明專利技術測試范圍較廣，性能較為穩定可靠。
【技術實現步驟摘要】
201610393624
【技術保護點】
一種用于測試漏電斷路器的測試儀，其特征在于包括：交流電源電路（1）、直流供電電路（7）、相位產生電路（2）、交流漏電調節電路（3）、相位顯示電路（6）、指示燈電路（5）和時間檢測電路（4）；交流電源電路（1）具有用于構成負載回路的第一火線端和用于構成模擬漏電回路的第二火線端，第一火線端和第二火線端用于與被測設備（9）的火線輸入端相連，所述負載回路的零線端用于與被測設備（9）的零線端相連；所述被測設備是A型漏電斷路器；相位產生電路（2），用于與被測設備（9）的火線輸出端（L2）相連；相位產生電路（2）包括控制按鈕電路，控制按鈕電路用于控制相位產生電路（2）在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓0o的半波整流電流、電流滯后電壓90o的半波整流電流、電流滯后電壓135o的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓0o的半波整流電流；所述相位產生電路（2）包括：電流滯后電壓0o的第一半波整流電路、電流滯后電壓90o的第二半波整流電路、電流滯后電壓135o的第三半波整流電路、6mA直流生成電路、以及可控硅電流控制電路；所述可控硅電流控制電路根據所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓0o的半波整流電流、電流滯后電壓90o的半波整流電流、電流滯后電壓135o的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓0o的半波整流電流；所述電流滯后電壓135o的第三半波整流電路包括：正弦波整形電路、充電電路、與門、電阻R9、電阻R10、電阻R11、電位器WR1和運算放大器IC1B；正弦波整形電路由變壓器T2、二極管D5、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7和運算放大器IC1A構成；充電電路由電阻R8和電容C5構成，電阻R8和電容C5與運算放大器IC1A的輸出端相連；與門由二極管D6和D7構成；電阻R9和電阻R10用來設定相對于電流滯后電壓135o的整定電壓；電阻R11和電位器WR1用來調節運算放大器IC1B的反向端的相對于電流滯后電壓135o的比較電壓；運算放大器IC1B的輸出端用于輸出電流滯后電壓135o的控制信號；交流漏電調節電路（3），用于控制所述模擬漏電回路的電流大小；時間檢測電路（4），用于測量從所述模擬漏電回路導通至A型漏電斷路器脫扣所需的時間，即動作時間；所述時間檢測電路（4）包括：單片機IC6、與單片機IC6的漏電檢測端相連的用于檢測所述模擬漏電回路是否導通的漏電信號檢測電路、以及與單片機IC6的時間信息輸出端相連的用于顯示時間的數碼管；單片機IC6根據漏電信號檢測電路輸出的漏電信號測量從所述模擬漏電回路導通至A型漏電斷路器脫扣所需的時間并通過所述數碼管顯示該時間；電阻R12是三極管BG3基極的限流電阻，三極管BG3與電阻R13構成射極跟隨器，電阻R13上的電流滯后電壓135o的控制信號通過按鈕開關SB1、電阻R58送給三極管BG18，三極管BG18驅動光耦芯片IC4，電阻R59是限流電阻，保證光耦芯片IC4有效工作；光耦芯片IC4用以隔離交流220V與相位產生電路直流部分，控制雙向可控硅BG19的導通和關斷，電阻R60、電阻R61用于控制雙向可控硅BG19的G極輸入電流，使輸入信號足夠觸發雙向可控硅BG19導通；雙向可控硅BG19的A、K二極串聯在負載與交流電源之間，流過負載的電流就是滯后于電壓135o的半波整流電流；控制雙向可控硅BG19即可控制線路中通過規定的剩余脈動電流，調節電位器WR3、電位器WR4、電位器WR5即可控制漏電流大小。...
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：胡小青，
申請(專利權)人：胡小青，
類型：發明
國別省市：浙江;33
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