薄膜晶體管、薄膜晶體管的制備方法及CMOS器件技術

本發明專利技術提供一種薄膜晶體管、薄膜晶體管的制備方法及CMOS器件。薄膜晶體管包括：基板；鄰近基板設置的低溫多晶硅層；與低溫多晶硅層同層且設置在低溫多晶硅層相對兩端的第一、第二輕摻雜區，與低溫多晶硅層同層設置的第一、第二重摻雜區，第一重摻雜區設置在第一輕摻雜區遠離低溫多晶硅層的一端，第二重摻雜區設置在第二輕摻雜區遠離低溫多晶硅層的一端，第一、第二輕摻雜區及第一、第二重摻雜區摻雜類型相同；第一絕緣層，包括第一、第二部分，第一部分覆蓋低溫多晶硅層、第一、第二輕摻雜區及第一、第二重摻雜區，第二部分設置在第一部分的表面中部，第一、第二部分形成“凸”字；柵極，設置在第二部分。

【技術實現步驟摘要】
201610363860

【技術保護點】
一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：基板；低溫多晶硅層，鄰近所述基板設置；第一輕摻雜區及第二輕摻雜區，與所述低溫多晶硅層同層設置，且設置在所述低溫多晶硅層相對的兩端，所述第一輕摻雜區與所述第二輕摻雜區關于所述低溫多晶硅層對稱部分的摻雜濃度相等；第一重摻雜區及第二重摻雜區，與所述低溫多晶硅層同層設置，所述第一重摻雜區設置在所述第一輕摻雜區遠離所述低溫多晶硅層的一端，所述第一重摻雜區與所述第二重摻雜區關于所述低溫多晶硅層對稱部分的摻雜濃度相等，所述第二重摻雜區設置在所述第二輕摻雜區遠離所述低溫多晶硅層的一端，所述第一輕摻雜區、所述第二輕摻雜區、所述第一重摻雜區及所述第二重摻雜區的摻雜類型相同；第一絕緣層，包括第一部分及第二部分，所述第一部分覆蓋所述低溫多晶硅層、所述第一輕摻雜區、所述第二輕摻雜區、所述第一重摻雜區及所述第二重摻雜區，所述第二部分設置在所述第一部分遠離所述低溫多晶硅層的表面的中部，所述第二部分及所述第一部分形成“凸”字；柵極，設置在第二部分上且所述柵極與所述第二部分相交且相對設置的兩端面所在的平面到所述低溫多晶硅層的中點的距離相等。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：趙芬利，謝應濤，
申請(專利權)人：深圳市華星光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44