本發明專利技術公開了一種產生微分負阻的共振隧穿二極管（RTD）器件新型結構，該結構可產生毫安?安培級輸出電流，應用于太赫茲波信號源設計可產生毫瓦級輸出功率的太赫茲波信號。本發明專利技術中的RTD的結構見附圖。結構中采用AlzGa1?zN/GaN/AlzGa1?zN雙勢壘單勢阱結構的量子阱區；發射區為重摻雜的AlxGa1?xN；集電區是重摻雜的GaN；集電極隔離區為GaN；而發射極隔離區是AlyGa1?yN階梯型隔離區：AlyGa1?yN的Al組分y由x按階梯減小到0。理論分析和仿真在室溫下（300K）進行，仿真參數是x=0.4，y從0.4按五級階梯減小，z=0.2，仿真結果峰值電流Ip=1.59A（53mA/um2），谷值電流Iv=0.655A（21.8?mA/um2），PVCR=2.43，我們獲得的輸出電流比目前共振隧穿二極管研究報道中最大輸出電流更大。
【技術實現步驟摘要】
201610131515
【技術保護點】
本專利技術中的加階梯式異質結隔離區的共振隧穿二極管（Resonant?Tunneling?Diode,?RTD）的主要結構由發射極到集電極依次包括了：發射區、階梯式異質結構成的發射極隔離區、雙勢壘單勢阱結構、集電極隔離區和集電區。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：高博，劉洋，
申請(專利權)人：四川大學，
類型：發明
國別省市：四川;51
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