基于SERS檢測的微流控芯片、制備方法及其應用技術

基于SERS檢測的微流控芯片、制備方法及其應用，所述的制備方法包括制備超疏水二氧化鈦涂覆液，制備帶超疏水層的基體，制備芯片，芯片包括基體和設置在基體表面的T形流道，流道內為超親水，流道外為超疏水；T形流道的橫流道兩端作為兩個流道進口，豎流道末端設檢測區；T形流道的橫流道內分布有超疏水的微圖案，微圖案從兩端向中心劃分成多個區域，每個區域內的超疏水圖案間距相等，而沿兩端向中心方向區域與區域間的圖案間距梯度增大，在橫流道內從兩端到中心形成疏水到親水的潤濕梯度；豎流道設計成楔形流道。本發明專利技術的有益效果是：結合表面潤濕梯度和楔形結構流道，實現了液滴自動運輸到檢測區，極大降低了微流體驅動的成本。

【技術實現步驟摘要】
201610271856

【技術保護點】
基于SERS檢測的微流控芯片的制備方法，包括以下步驟：1)制備超疏水二氧化鈦涂覆液：將二氧化鈦粉末與無水乙醇混合后在50～100Hz條件下超聲配成的二氧化鈦懸浮液，再加入硅烷，繼續在50～100Hz條件下超聲混勻，然后室溫下反應10～15h，得到超疏水二氧化鈦涂覆液；所述的無水乙醇的加入量以二氧化鈦質量計為0.01～0.02g/mL，所述硅烷與二氧化鈦懸浮液體積比為0.01～0.03：1；2)制備帶超疏水層的基體：利用旋涂機將超疏水二氧化鈦涂覆液分次旋涂到清洗干凈的玻璃片基體表面，然后置于烘箱中100～120°處理1～2h，得到帶超疏水層的基體；所述的超疏水二氧化鈦涂覆液的涂覆用量為0.1～0.2g/cm3；3)制備掩膜板：通過高分辨的激光打印機在膠片上打印用于透光的T形流道，制成掩膜板，其中所述的T形流道由橫流道和垂直于橫流道中間位置的豎流道組成，所述的橫流道以中間位置為軸對稱從兩端向中間位置劃分成若干相應對稱的區域，每個區域均勻分布疏水微圖案，所述的疏水微圖案所對應基體相應位置的位置為超疏水區，疏水微圖案之外的部分為超親水區；所述橫流道沿兩端向中間位置所述區域內疏水微圖案個數遞減，即相鄰疏水微圖案間的間距逐漸遞增；所述的豎流道設計成楔形流道，末端作為檢測區；4)制備芯片：將掩膜板覆蓋在帶超疏水涂層的基體表面，然后開啟深紫外光(UV)光源，紫外光透過所述的掩膜板，照射到超疏水涂層表面，被曝光區域由超疏水轉變為超親水，而基體剩余的部分仍為超疏水，即可將掩膜板上的T形流道復制到基體的超疏水表面上。...

【技術特征摘要】
1.基于SERS檢測的微流控芯片的制備方法，包括以下步驟：1)制備超疏水二氧化鈦涂覆液：將二氧化鈦粉末與無水乙醇混合后在50～100Hz條件下超聲配成的二氧化鈦懸浮液，再加入硅烷，繼續在50～100Hz條件下超聲混勻，然后室溫下反應10～15h，得到超疏水二氧化鈦涂覆液；所述的無水乙醇的加入量以二氧化鈦質量計為0.01～0.02g/mL，所述硅烷與二氧化鈦懸浮液體積比為0.01～0.03：1；2)制備帶超疏水層的基體：利用旋涂機將超疏水二氧化鈦涂覆液分次旋涂到清洗干凈的玻璃片基體表面，然后置于烘箱中100～120°處理1～2h，得到帶超疏水層的基體；所述的超疏水二氧化鈦涂覆液的涂覆用量為0.1～0.2g/cm3；3)制備掩膜板：通過高分辨的激光打印機在膠片上打印用于透光的T形流道，制成掩膜板，其中所述的T形流道由橫流道和垂直于橫流道中間位置的豎流道組成，所述的橫流道以中間位置為軸對稱從兩端向中間位置劃分成若干相應對稱的區域，每個區域均勻分布疏水微圖案，所述的疏水微圖案所對應基體相應位置的位置為超疏水區，疏水微圖案之外的部分為超親水區；所述橫流道沿兩端向中間位置所述區域內疏水微圖案個數遞減，即相鄰疏水微圖案間的間距逐漸遞增；所述的豎流道設計成楔形流道，末端作為檢測區；4)制備芯片：將掩膜板覆蓋在帶超疏水涂層的基體表面，然后開啟深紫外光(UV)光源，紫外光透過所述的掩膜板，照射到超疏水涂層表面，被曝光區域由超疏水轉變為超親水，而基體剩余
\t的部分仍為超疏水，即可將掩膜板上的T形流道復制到基體的超疏水表面上。2.如權利要求1所述的基于SERS檢測的微流控芯片的制備方法，其特征在于：所述的硅烷為十八烷基三甲氧基硅烷。3.如權利要求1所述的基于SERS檢測的微流控芯片的制備方法，其特征在于：步驟1)中的第一次超聲時間為30～60min，第二次超聲時間為10～20min。4.如權利要求1所述的基于SERS檢測的微流控芯片的制備方法，其特征在于：步驟1)中的基體為玻璃片、金屬片或者棉織品片。5.如權利要求4所述的基于SERS檢測的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：吳化平，劉愛萍，李吉泉，丁浩，柴國鐘，朱凱，曹彬彬，吳兵兵，
申請(專利權)人：浙江工業大學，浙江理工大學，
類型：發明
國別省市：浙江;33