金屬氧化物膜及金屬氧化物膜的形成方法技術

本發明專利技術提供一種金屬氧化物膜及金屬氧化物膜的形成方法。提供一種包含晶體部且物理性質的穩定性高的金屬氧化物膜。晶體部的尺寸小于或等于10nm，因此當測量區域大于或等于且小于或等于時，在金屬氧化物膜的截面的納米束電子衍射圖案中觀察到圓周狀的斑點。

【技術實現步驟摘要】
201610250240

【技術保護點】
一種半導體器件，其特征在于，具有：柵電極，氧化物半導體膜，其隔著絕緣膜而具有與所述柵電極重疊的區域，和所述柵電極上、所述絕緣膜上、和所述氧化物半導體膜上的氧化物絕緣膜，所述氧化物半導體膜具有銦、鎵、和鋅，所述氧化物半導體膜具有晶體部，所述晶體部的尺寸小于或等于10nm，所述氧化物半導體膜具有在XRD測定中未觀察到起因于所述晶體部的峰值的區域，所述氧化物絕緣膜在熱脫附譜中，所換算成氧原子的氧釋放量大于或等于1.0×1018原子/cm3，對所述氧化物半導體膜照射收斂至的電子束之前的納米束電子衍射圖案與對所述氧化物半導體膜照射所述電子束1分鐘后的納米束電子衍射圖案相似。

【技術特征摘要】
2012.11.08 JP 2012-245992;2013.01.30 JP 2013-016241.一種半導體器件，其特征在于，具有：柵電極，氧化物半導體膜，其隔著絕緣膜而具有與所述柵電極重疊的區域，和所述柵電極上、所述絕緣膜上、和所述氧化物半導體膜上的氧化物絕緣膜，所述氧化物半導體膜具有銦、鎵、和鋅，所述氧化物半導體膜具有晶體部，所述晶體部的尺寸小于或等于10nm，所述氧化物半導體膜具有在XRD測定中未觀察到起因于所述晶體部的峰值的區域，所述氧化物絕緣膜在熱脫附譜中，所換算成氧原子的氧釋放量大于或等于1.0×1018原子/cm3，對所述氧化物半導體膜照射收斂至的電子束之前的納米束電子衍射圖案與對所述氧化物半導體膜照射所述電子束1分鐘后的納米束電子衍射圖案相似。2.一種半導體器件，其特征在于，具有：柵電極，氧化物半導體膜，其隔著絕緣膜而具有與所述柵電極重疊的區域，和所述柵電極上、所述絕緣膜上、和所述氧化物半導體膜上的氧化物絕緣膜，所述氧化物半導體膜具有銦、鎵、和鋅，所述氧化物半導體膜具有晶體部，所述晶體部的尺寸小于或等于10nm，所述氧化物半導體膜具有在XRD測定中未觀察到起因于所述晶體 部的峰值的區域，所述氧化物半導體膜具有在納米束電子衍射圖案中觀察到呈圓周狀分布的多個斑點的區域，所述氧化物絕緣膜在熱脫附譜中，所換算成氧原子的氧釋放量大于或等于1.0×1018原子/cm3，對所述氧化物半導體膜照射收斂至的電子束之前的納米束電子衍射圖案與對所述氧化物半導體膜照射所述電子束1分鐘后的納米束電子衍射圖案相似。3.一種半導體器件，其特征在于，具有：柵電極，氧化物半導體膜，其隔著絕緣膜而具有與所述柵電極重疊的區域，和所述柵電極上、所述絕緣膜上、和所述氧化物半導體膜上的氧化物絕緣膜，所述氧化物半導體膜具有銦、鎵、和鋅，所述氧化物半導體膜具有晶體部，所述晶體部的尺寸小于或等于10nm，所述氧化物半導體膜具有在XRD測定中未觀察到起因于所述晶體部的峰值的區域，所述氧化物半導體膜具有在納米束電子衍射圖案中觀察到呈圓周狀分布的多個斑點的區域，所述氧化物半導體膜具有在選區電子衍射圖案中觀察到光暈圖案的區域，所述氧化物絕緣膜在熱脫附譜中，所換算成氧原子的氧釋放量大于或等于1.0×1018原子/cm3，對所述氧化物半導體膜照射收斂至的電子束之前的納米...

【專利技術屬性】
技術研發人員：高橋正弘，廣橋拓也，津吹將志，石原典隆，太田將志，
申請(專利權)人：株式會社半導體能源研究所，
類型：發明
國別省市：日本;JP