一種肖特基結隧穿場效應晶體管制造技術

本發明專利技術公開了一種肖特基結隧穿場效應晶體管，包括第一柵極、源區、漏區、溝道區、重摻雜pocket區、第一柵介質層、第二柵極和第二柵介質層；本發明專利技術在漏區利用金屬或金屬硅化物代替重摻雜的硅或者其他的半導體材料從而在漏區與溝道接觸面形成了一個肖特基接觸，由于肖特基勢壘的存在使器件溝道區的能帶彎曲變得緩慢從而使增大器件的隧穿勢壘寬度，并且肖特基勢壘的存在有效地調節了器件溝道區和漏區的電場分布，從而降低了肖特基結附近的電場強度，因此肖特基結隧穿晶體管可以有效的抑制短溝道效應，當其特征尺寸縮小到亞10納米后仍然具有較好的開關特性。

【技術實現步驟摘要】
201610247230

【技術保護點】
一種肖特基結隧穿場效應晶體管，特征在于，包括第一柵極(1)、源區(2)、漏區(3)、溝道區(4)、重摻雜pocket區(5)、第一柵介質層(6)、第二柵極(8)和第二柵介質層(7)；其中溝道區(4)的上下兩側分別設有第一柵介質層(6)和第二柵介質層(7)；第一柵介質層(6上方設有第一柵極(1)，第二柵介質層(7)下方設有第二柵極(8)；第一柵極(1)、第一柵介質層(6)、第二柵極(8)和第二柵介質層(7)保持上下對稱；源區(2)和漏區(3)設置在溝道區(4)的兩側，重摻雜pocket區(5)在源區(2)與溝道區(4)之間。

【技術特征摘要】
1.一種肖特基結隧穿場效應晶體管，特征在于，包括第一柵極(1)、源區(2)、漏區(3)、溝道區(4)、重摻雜pocket區(5)、第一柵介質層(6)、第二柵極(8)和第二柵介質層(7)；其中溝道區(4)的上下兩側分別設有第一柵介質層(6)和第二柵介質層(7)；第一柵介質層(6上方設有第一柵極(1)，第二柵介質層(7)下方設有第二柵極(8)；第一柵極(1)、第一柵介質層(6)、第二柵極(8)和第二柵介質層(7)保持上下對稱；源區(2)和漏區(3)設置在溝道區(4)的兩側，重摻雜pocket區(5)在源區(2)與溝道區(4)之間。2.根據權利要求1所述一...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王穎，曹菲，王艷福，于成浩，
申請(專利權)人：杭州電子科技大學，
類型：發明
國別省市：浙江;33