提供磨削磨具,能夠實現加工負荷的降低、散熱性的提高以及長壽命化中的至少任意一個效果。磨削磨具(37、47)以規定的體積比包含金剛石磨粒和硼化合物,其對被加工物進行磨削,金剛石磨粒的平均粒徑X為0μm<Y≤50μm,硼化合物相對于金剛石磨粒的平均粒徑比Z為0.8≤Z≤3.0。優選所述被加工物為Si晶片,所述平均粒徑比Z為0.8≤Z≤2.0。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及對被加工物進行磨削的磨削磨具。
技術介紹
為了磨削由硬質脆弱性材料構成的被加工物而使用添加了硼化合物的磨削磨具(參照專利文獻1)。認為由于硼化合物具有固體潤滑性,因此能夠抑制因磨削加工導致的磨具的消耗。專利文獻1:日本特開2012-56013號公報但是,不限于對由硬質脆弱性材料構成的被加工物進行磨削的情況,若對磨削磨具施加的加工負荷較大則通常磨削磨具的消耗量也變大,因此磨削磨具的更換頻率變高。并且,因加工而產生的熱量無法從磨削磨具散熱而是被蓄積,因而無法提高加工速度。在磨削由玻璃等熱傳導較差的材料形成的被加工物的情況下,這一問題更顯著。
技術實現思路
本專利技術是鑒于上述情況而完成的,其目的在于提供一種磨削磨具,能夠實現加工負荷的降低、散熱性的提高以及長壽命化中的至少任意一個效果。根據本專利技術,提供一種對被加工物進行磨削的磨削磨具,該磨削磨具以規定的體積比包含金剛石磨粒和硼化合物,該金剛石磨粒的平均粒徑X為0μm<Y≤50μm,該硼化合物相對于該金剛石磨粒的平均粒徑比Z為0.8≤Z≤3.0。優選所述被加工物由硅晶片構成,所述平均粒徑比Z為0.1≤Z≤2.0。優選金剛石磨粒與硼化合物的所述規定的體積比為1:1~1:3。優選硼化合物從由碳化硼、立方氮化硼以及六方晶氮化硼構成的組中進行選擇。根據本專利技術,由于能夠實現磨削磨具的加工負荷的降低、散熱性的提高以及長壽命化中的至少任意一個效果,因此能夠實現提高生產性這樣的效果。附圖說明圖1是示出裝配有實施方式的磨削磨具的磨削裝置的結構例的立體圖。圖2是示出基于實施方式的磨削磨具的磨削加工結果的圖表。圖3是示出基于實施方式的磨削磨具的磨削加工結果的圖表。圖4是示出基于實施方式的磨削磨具的磨削加工結果的其他圖表。圖5是示出基于實施方式的磨削磨具的磨削加工結果的又一其他圖表。標號說明10:磨削裝置;11:第一盒;12:第二盒;13:搬出搬入構件;15、16:搬送構件;17~19:卡盤工作臺;20:轉臺;30、40:磨削構件;37、47:磨削磨具。具體實施方式關于用于實施本專利技術的方式(實施方式)一邊參照附圖一邊詳細地進行說明。本專利技術不限于以下的實施方式中記載的內容。并且,以下記載的結構要素中包含本領域技術人員能夠容易想到的要素或實質上相同的要素。此外,以下記載的結構可以適當組合。并且,在不脫離本專利技術的主旨的范圍內可以進行結構的各種省略、取代或者變更。【實施方式】圖1是示出裝配有實施方式的磨削磨具的磨削裝置的結構例的圖。另外,該圖中的X軸方向是磨削裝置10的寬度方向,Y軸方向是磨削裝置10的進深方向,Z軸方向是鉛垂方向。如圖1所示,磨削裝置10具有:第一盒11和第二盒12,其收納多張作為被加工物的晶片W;共用的搬出搬入構件13,其兼用作從第一盒11搬出晶片W的搬出構件和向第二盒12搬入磨削完成的晶片W的搬入構件;對位構件14,其進行晶片W的中心對位;搬送構件15、16,其搬送晶片W;3個卡盤工作臺17~19,其吸引保持晶片W;轉臺20,其對這些卡盤工作臺17~19分別以能夠旋轉的方式進行支承并旋轉;作為加工構件的磨削構件30、40,其對保持在各卡盤工作臺17~19上的晶片W實施作為加工的磨削處理;清洗構件51,其清洗磨削后的晶片W;以及清洗構件52,其清洗磨削后的卡盤工作臺17~19。在上述磨削裝置10中,收納在第一盒11中的晶片W通過搬出搬入構件13的搬出動作被搬送到對位構件14,這里在進行了中心對位之后,通過搬送構件15搬送到卡盤工作臺17~19、在該圖中為卡盤工作臺17上進行載置。本實施方式中的3個卡盤工作臺17~19采用如下的結構:相對于轉臺20在周向上等間隔地配置,分別能夠旋轉且伴隨著轉臺20的旋轉在XY平面上移動。對于卡盤工作臺17~19而言,在吸引保持著晶片W的狀態下,轉臺20旋轉規定的角度,從而卡盤工作臺17~19例如向逆時針方向旋轉120度而被定位在磨削構件(磨削單元)30的正下方。磨削構件30對保持在卡盤工作臺17~19上的晶片W進行粗磨削,其安裝于豎立設置在基臺21的Y軸方向的端部的壁部22。磨削構件30構成為:由在壁部22中在Z軸方向上配設的一對導軌31引導,并且由利用電動機32的驅動而上下移動的支承部33支承,伴隨著支承部33的上下移動而沿Z軸方向上下移動。磨削構件30具有:電動機34,其使被支承為能夠旋轉的主軸34a旋轉;以及磨削輪36,其經由輪座35裝配于主軸34a的前端,對晶片W的背面進行磨削。磨削輪36具有圓環狀地固定安裝在其下表面的粗磨削用的多個磨削磨具37。粗磨削是以如下的方式實施的:通過電動機34使主軸34a旋轉從而磨輪36旋轉,并且向Z軸方向的下方磨削進給該磨輪36,由此旋轉的磨削磨具37與晶片W的背面接觸,從而對保持在卡盤工作臺17上且定位在磨削構件30的正下方的晶片W的背面進行磨削。這里,若保持在卡盤工作臺17上的晶片W的粗磨削結束,則通過使轉臺20向逆時針方向旋轉120度而將粗磨削后的晶片W定位在磨削構件(磨削單元)40的正下方。磨削構件40對保持在卡盤工作臺17~19上的晶片W進行精磨削,其構成為:由在壁部22中在Z軸方向上配設的一對導軌41進行引導,并且由利用電動機42的驅動而上下移動的支承部43進行支承,伴隨著支承部43的上下移動而沿Z軸方向上下移動。磨削構件40具有:電動機44,其使被支承為能夠旋轉的主軸44a旋轉;以及磨削輪46,其經由輪座45裝配在主軸44a的前端,對晶片W的背面進行磨削。磨削輪46具有圓環狀地固定安裝在其下表面的精磨削用的多個磨削磨具47。即,磨削構件40與磨削構件30的基本結構相同,采用僅在磨削磨具37、47的種類方面不同的結構。精磨削是以如下的方式實施的:通過電動機44使主軸44a旋轉從而磨輪46旋
轉,并且向Z軸方向的下方磨削進給該磨輪46,由此旋轉的磨削磨具47與晶片W的背面接觸,從而對保持在卡盤工作臺17上且定位在磨削構件40的正下方的晶片W的背面進行磨削。這里,若保持在卡盤工作臺17上的晶片W的精磨削結束,則通過使轉臺20向逆時針方向旋轉120度而返回到圖1所示的初始位置。在該位置,背面進行了精磨削的晶片W被搬送構件16搬送到清洗構件51,在通過清洗去除了磨削屑之后,通過搬出搬入構件13的搬入動作而搬入到第二盒12。另外,清洗構件52對因搬送構件16拾取精磨削后的晶片W而成為空閑狀態的卡盤工作臺17進行清洗。另外,對于保持在其他的卡盤工作臺18、19上的晶片W進行的粗磨削、精磨削以及晶片W相對于其他的卡盤工作臺18、19的搬出搬入等也根據轉臺20的旋轉位置同樣地進行。這里,磨削磨具37、47包含金剛石磨粒和硼化合物。金剛石磨粒包含天然金剛石、合成金剛石、金屬包覆合成金剛石中的至少任意一種金剛石。并且,硼化合物包含B4C(碳化硼)、CBN(立方氮化硼)以及HBN(六方氮化硼)中的至少任意一種化合物。磨削磨具37、47是利用陶瓷接合劑、樹脂接合劑或者金屬接合劑中的任意一種對金剛石磨粒和硼化合物進行混制而通過熱壓進行了成型之后進行燒結、或者通過鍍鎳電鑄于基底而構成的。金剛石磨粒與硼化合物的體積比優選為1:1~1:3。在將硼化合物的平均粒徑設為X【μm】、將金剛石磨粒的本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種磨削磨具,其對被加工物進行磨削,其特征在于,該磨削磨具以規定的體積比包含金剛石磨粒和硼化合物,該金剛石磨粒的平均粒徑X為0μm<Y≤50μm,該硼化合物相對于該金剛石磨粒的平均粒徑比Z為0.8≤Z≤3.0。
【技術特征摘要】
2015.02.13 JP 2015-0267621.一種磨削磨具,其對被加工物進行磨削,其特征在于,該磨削磨具以規定的體積比包含金剛石磨粒和硼化合物,該金剛石磨粒的平均粒徑X為0μm<Y≤50μm,該硼化合物相對于該金剛石磨粒的平均粒徑比Z為0.8≤Z≤3.0...
【專利技術屬性】
技術研發人員:大島龍司,馬路良吾,
申請(專利權)人:株式會社迪思科,
類型:發明
國別省市:日本;JP
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