【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電子電路的
，具體地涉及一種對驅動電路中MOS管的短路監測電路。
技術介紹
MOS管是金屬氧化物半導體場效應管(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor)由于體積小、重量輕、壽命長、控制方式方便、抗干擾性能強、功耗低等優點，越來越廣泛地應用到驅動電路中。但是，現有的MOS驅動電路很少加入對MOS管的短路檢測功能，即使加入了MOS管的保護電路，也由于速度和保護點的不詳細而對MOS管起到的保護作用不大，從而導致MOS管直通、損壞，這樣大大提高了研發的成本。
技術實現思路
本專利技術的技術解決問題是：克服現有技術的不足，提供一種對驅動電路中MOS管的短路監測電路，其可以在MOS管短路的瞬間迅速檢測且起到保護作用，使MOS管盡可能少的被損壞，而且電路搭建簡單可靠，占用PCB板的面積較小，尤其適合在對PCB大小要求較高的場合使用。本專利技術的技術解決方案是：這種對驅動電路中MOS管的短路監測電路，其包括：驅動信號輸入端(4)、吸收濾波電路、第一、第二、第三二極管(D14、D21、D27)、三極管(Q4)、光耦(U11)、故障信號檢測端(1)、微控制單元MCU；所述吸收濾波電路包括第一電阻(R35)、第四二極管(D20)、第一電容(C83),第一電容(C83)的正極連接第一二極管(D14)的正極且負極連接MOS管的S端，第四二極管(D20)的正極連接第一二極管(D14)的正極且負極連接驅動信號輸入端(4)；所述第一、第二、第三、第四二極管(D14、D21、D27、D20)均為超快速恢復二極管，所...
【技術保護點】
一種對驅動電路中MOS管的短路監測電路，其特征在于：其包括：驅動信號輸入端(4)、吸收濾波電路、第一、第二、第三二極管(D14、D21、D27)、三極管(Q4)、光耦(U11)、故障信號檢測端(1)、微控制單元MCU；所述吸收濾波電路包括第一電阻(R35)、第四二極管(D20)、第一電容(C83),第一電容(C83)的正極連接第一二極管(D14)的正極且負極連接MOS管的S端，第四二極管(D20)的正極連接第一二極管(D14)的正極且負極連接驅動信號輸入端(4)；所述第一、第二、第三、第四二極管(D14、D21、D27、D20)均為超快速恢復二極管，所述光耦為快速光耦；當MOS管正常工作時，電流依次流經驅動信號輸入端(4)、第一電阻(R35)、第一二極管(D14)、MOS管的D、S兩端、第四二極管(D20)的正極、負極，三極管(Q4)截止，光耦不動作，故障信號檢測端(1)是高電平，與故障信號檢測端(1)連接的MCU不動作，保持向MOS發送脈沖；當MOS管工作異常時，電流依次流經驅動信號輸入端(4)、第一電阻(R35)、第二二極管(D21)的正極、負極、第三二極管(D27)的正極、負極、...
【技術特征摘要】
1.一種對驅動電路中MOS管的短路監測電路，其特征在于：其包括：驅動信號輸入端(4)、吸收濾波電路、第一、第二、第三二極管(D14、D21、D27)、三極管(Q4)、光耦(U11)、故障信號檢測端(1)、微控制單元MCU；所述吸收濾波電路包括第一電阻(R35)、第四二極管(D20)、第一電容(C83),第一電容(C83)的正極連接第一二極管(D14)的正極且負極連接MOS管的S端，第四二極管(D20)的正極連接第一二極管(D14)的正極且負極連接驅動信號輸入端(4)；所述第一、第二、第三、第四二極管(D14、D21、D27、D20)均為超快速恢復二極管，所述光耦為快速光耦；當MOS管正常工作時，電流依次流經驅動信號輸入端(4)、第一電阻(R35)、第一二極管(D14)、MOS管的D、S兩端、第四二極管(D20)的正極、負極，三極管(Q4)截止，光耦不動作，故障信號檢測端(1)是高電平，與故障信號檢測端(1)連接的MCU不動作，保持向MOS發送...
【專利技術屬性】
技術研發人員：周繼華，趙志芳，李鵬飛，
申請(專利權)人：北京森源東標電氣有限公司，
類型：發明
國別省市：北京;11
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