層疊電容器制造技術

本發(fā)明專利技術提供層疊電容器以及其制造方法，得到能一并抑制耐濕性的降低以及層間剝離的發(fā)生的小型、大電容的層疊電容器。具備：具有從層疊方向觀察各邊的尺寸為0.3mm以下的外形尺寸的層疊體、和在層疊體的長度方向上相互分開地設置在層疊體的表面的第1外部電極以及第2外部電極。多個導電體層當中位于上述層疊方向的最外側(cè)的1個導電體層，在上述層疊方向上彎曲，且包含在上述層疊方向上貫通的多個貫通部。在層疊體的與長度方向正交的截面中，若將彎曲的導電體層在層疊體的寬度方向上等間隔地4等分，并從上述寬度方向的一方側(cè)起依次設為A區(qū)域、B區(qū)域、C區(qū)域以及D區(qū)域，則多個貫通部的最小尺寸的合計值在A區(qū)域大于B區(qū)域，且在D區(qū)域大于C區(qū)域。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及層疊電容器以及其制造方法，特別涉及極小型的層疊電容器以及其制造方法。
技術介紹
一般，層疊電容器具備：將導電體層和電介質(zhì)層交替層疊而成的層疊體、和設于層疊體的外表面的外部電極。為了應對電子設備的小型化以及薄型化，對層疊電容器謀求小型且靜電容大。作為將層疊電容器大電容化的手法，一般是增大相鄰的導電體層彼此的對置面積并增加導電體層的層疊數(shù)。在用上述的一般的手法來將層疊電容器小型化以及大電容化的情況下，導電體層與層疊體的表面間的距離變短。一般來說，覆蓋層疊體的角部的部分的外部電極處于變薄的傾向。由于這些要因，通過外部電極而侵入的水分變得易于到達位于層疊體的角部的近旁的導電體層，從而層疊電容器的絕緣電阻降低。即，層疊電容器的耐濕性降低。作為公開了針對耐濕性的可靠性較高的小型化的層疊電容器的先行文獻，有特開2010-103566號公報(專利文獻1)。在記載于專利文獻1的層疊電容器中，通過提高位于導電體層與層疊體的側(cè)面間的電介質(zhì)所含有的Mg濃度，確保了層疊電容器的耐濕性。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：JP特開2010-103566號公報若導電體層的層疊數(shù)變多，則因?qū)盈B電容器的燒成時的電介質(zhì)層以及導電體層的熱收縮率之差而產(chǎn)生的內(nèi)部應力變大，變得易于發(fā)生層間剝離。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術鑒于上述的問題點而提出，目的在于，提供能一并抑制耐濕性的降低以及層間剝離的發(fā)生的小型、大電容的層疊電容器。在基于本專利技術的層疊電容器的制造方法中，上述層疊電容器具備：包含交替層疊的多個導電體層以及多個電介質(zhì)層、具有從層疊方向觀察各邊的尺寸為0.3mm以下的外形尺寸的層疊體；和設置在層疊體的表面的第1外部電極以及第2外部電極。層疊電容器的制造方法具備：層疊工序，通過使多個導電體層各自位于第1配置或第2配置，使得從上述層疊方向觀察上述多個導電體層位于第1配置以及與第1配置不同的第2配置，并與多個電介質(zhì)層各自交替層疊，由此形成層疊體；延伸工序，其將層疊體加壓，來使多個導電體層在與上述層疊方向正交的方向上延伸；彎曲工序，其將層疊體加壓，使多個導電體層當中的至少1個在上述層疊方向上彎曲；和外部電極形成工序，在層疊體的表面形成第1外部電極以及第2外部電極各自，使得第1外部電極與多個導電體層當中位于第1配置的導電體層連接，且第2外部電極與多個導電體層當中位于第2配置的導電體層連接。在本專利技術的1個形態(tài)中，多個導電體層各自的厚度隨著從中央部去往緣部而變薄。在本專利技術的1個形態(tài)中，多個導電體層各自包含鈦酸鋇以及硅的至少一方。在本專利技術的1個形態(tài)中，在上述層疊工序中，使夾著多個電介質(zhì)層當中任1個而相鄰的至少一對導電體層都位于第1配置，或都位于第2配置。在本專利技術的1個形態(tài)中，上述至少一對導電體層包含上述層疊方向上位于最外側(cè)的2個導電體層當中的至少一方。基于本專利技術的層疊電容器具備：包含交替層疊的多個導電體層以及多個電介質(zhì)層、具有從層疊方向觀察各邊的尺寸為0.3mm以下的外形尺寸的層疊體；和在層疊體的長度方向上相互分開地設置在層疊體的表面的第1外部電極以及第2外部電極。在層疊電容器中，在層疊體中，使多個導電體層各自位于第1配置或第2配置，使得從上述層疊方向觀察上述多個導電體層位于第1配置以及與第1配置不同的第2配置，并與多個電介質(zhì)層
的各自交替層疊。第1外部電極與多個導電體層當中的位于第1配置的導電體層連接。第2外部電極與多個導電體層當中的位于第2配置的導電體層連接。多個導電體層當中的至少位于上述層疊方向的最外側(cè)的1個導電體層在上述層疊方向上彎曲，且包含在上述層疊方向上貫通的多個貫通部。若在層疊體的與長度方向正交的截面中將彎曲的導電體層在層疊體的寬度方向上等間隔地4等分，從上述寬度方向的一方側(cè)其依次設為A區(qū)域、B區(qū)域、C區(qū)域以及D區(qū)域，則彎曲的導電體層的傾斜角在A區(qū)域大于B區(qū)域，且在D區(qū)域大于C區(qū)域，多個貫通部的最小尺寸的合計值在A區(qū)域大于B區(qū)域，且在D區(qū)域大于C區(qū)域。在本專利技術的1個形態(tài)中，多個導電體層各自的寬度為層疊體的寬度的80％以下，層疊體的寬度與多個導電體層的各自的寬度之差的最大值不足0.07mm。在此，所謂寬度，是指各部中的沿著寬度方向的尺寸。在本專利技術的1個形態(tài)中，多個電介質(zhì)層當中的至少1個是被位于第1配置以及第2配置的任一方的導電體層彼此所夾的無效電介質(zhì)層。多個電介質(zhì)層當中的至少1個是被位于第1配置的導電體層和位于第2配置的導電體層所夾的有效電介質(zhì)層。在本專利技術的1個形態(tài)中，無效電介質(zhì)層與上述層疊方向上位于最外側(cè)的2個導電體層當中的至少一方鄰接。在本專利技術的1個形態(tài)中，上述彎曲的導電體層的在層疊體的與長度方向正交的截面中的彎曲量大于與該導電體層鄰接的電介質(zhì)層的厚度。在本專利技術的1個形態(tài)中，位于A區(qū)域以及D區(qū)域的各自的多個貫通部當中的至少一部分包含填充構(gòu)件。在本專利技術的1個形態(tài)中，填充構(gòu)件包含構(gòu)成多個電介質(zhì)層的電介質(zhì)材料。在本專利技術的1個形態(tài)中，填充構(gòu)件含硅。專利技術的效果根據(jù)本專利技術，能得到能一并抑制耐濕性的降低以及層間剝離的發(fā)生的小型、大電容的層疊電容器。附圖說明圖1是表示本專利技術的實施方式1所涉及的層疊電容器的外觀的立體圖。圖2是從II-II線箭頭方向觀察圖1的層疊電容器的截面圖。圖3是從III-III線箭頭方向觀察圖1的層疊電容器的截面圖。圖4是從IV-IV線箭頭方向觀察圖2的層疊電容器的截面圖。圖5是從V-V線箭頭方向觀察圖2的層疊電容器的截面圖。圖6是將圖3中被一點劃線包圍的VI部放大表示的部分截面圖。圖7是將圖6的一部分進一步放大表示的部分放大圖。圖8是表示本專利技術的實施方式1所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法的流程圖。圖9是表示本專利技術的實施方式1所涉及的層疊電容器的加壓前的母層疊體的沿著層疊電容器的長度方向L的截面圖。圖10是表示本專利技術的實施方式1所涉及的層疊電容器的加壓前的母層疊體的沿著層疊電容器的寬度方向W的截面圖。圖11是表示本專利技術的實施方式1所涉及的層疊電容器的加壓后的母層疊體的沿著層疊電容器的長度方向L的截面圖。圖12是表示本專利技術的實施方式1所涉及的層疊電容器的加壓后的母層疊體的沿著層疊電容器的寬度方向W的截面圖。圖13是表示本專利技術的實施方式2所涉及的層疊電容器的構(gòu)成的截面圖。圖14是表示本專利技術的實施方式2所涉及的層疊電容器的加壓前的母層疊體的沿著層疊電容器的長度方向L的截面圖。圖15是表示本專利技術的實施方式2所涉及的層疊電容器的加壓后的母層疊體的沿著層疊電容器的長度方向L的截面圖。圖16是表示本專利技術的實施方式3所涉及的層疊電容器的構(gòu)成的截面圖。圖17是從XVII-XVII線箭頭方向觀察圖16的層疊電容器的截面圖。圖18是表示本專利技術的實施方式3所涉及的層疊電容器的加壓前的母層疊體的沿著層疊電容器的長度方向L的截面圖。圖19是表示本專利技術的實施方式3所涉及的層疊電容器的加壓后的母
層疊體的沿著層疊電容器的長度方向L的截面圖。圖20是表示本專利技術的實施方式4所涉及的層疊電容器的構(gòu)成的截面圖。圖21是表示本專利技術的實施方式4所涉及的層疊電容器的加壓前的母層疊體的沿著層疊電容器的長度方向L的截面圖。圖22是表示本專利技術的實施方式4所涉及的層疊電容器的加壓后的母層疊體的沿著層疊電容器的長度方向L的截面圖。標號的說明11、11a、21本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種層疊電容器的制造方法，所述層疊電容器具備：包含交替層疊的多個導電體層以及多個電介質(zhì)層、具有從層疊方向觀察各邊的尺寸為0.3mm以下的外形尺寸的層疊體；和設置在所述層疊體的表面的第1外部電極以及第2外部電極，其中，所述層疊電容器的制造方法具備：層疊工序，通過使所述多個導電體層各自位于第1配置或與該第1配置不同的第2配置，使得從所述層疊方向觀察所述多個導電體層位于所述第1配置以及所述第2配置，并與所述多個電介質(zhì)層各自交替層疊，由此形成層疊體；延伸工序，將所述層疊體加壓，使所述多個導電體層在與所述層疊方向正交的方向上延伸；彎曲工序，將所述層疊體加壓，來使所述多個導電體層當中至少1個在所述層疊方向上彎曲；和外部電極形成工序，在所述層疊體的表面形成所述第1外部電極以及所述第2外部電極各自，使得所述第1外部電極與所述多個導電體層當中位于所述第1配置的導電體層連接，且所述第2外部電極與所述多個導電體層當中位于所述第2配置的導電體層連接。

【技術特征摘要】
2015.02.19 JP 2015-0304351.一種層疊電容器的制造方法，所述層疊電容器具備：包含交替層疊的多個導電體層以及多個電介質(zhì)層、具有從層疊方向觀察各邊的尺寸為0.3mm以下的外形尺寸的層疊體；和設置在所述層疊體的表面的第1外部電極以及第2外部電極，其中，所述層疊電容器的制造方法具備：層疊工序，通過使所述多個導電體層各自位于第1配置或與該第1配置不同的第2配置，使得從所述層疊方向觀察所述多個導電體層位于所述第1配置以及所述第2配置，并與所述多個電介質(zhì)層各自交替層疊，由此形成層疊體；延伸工序，將所述層疊體加壓，使所述多個導電體層在與所述層疊方向正交的方向上延伸；彎曲工序，將所述層疊體加壓，來使所述多個導電體層當中至少1個在所述層疊方向上彎曲；和外部電極形成工序，在所述層疊體的表面形成所述第1外部電極以及所述第2外部電極各自，使得所述第1外部電極與所述多個導電體層當中位于所述第1配置的導電體層連接，且所述第2外部電極與所述多個導電體層當中位于所述第2配置的導電體層連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊電容器的制造方法，其中，所述多個導電體層各自的厚度隨著從中央部去往緣部而變薄。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊電容器的制造方法，其中，所述多個導電體層各自包含鈦酸鋇以及硅的至少一方。4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的層疊電容器的制造方法，其中，在所述層疊工序中，使夾著所述多個電介質(zhì)層當中任一者而相鄰的至少一對導電體層都位于所述第1配置，或都位于所述第2配置。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的層疊電容器的制造方法，其中，所述至少一對導電體層包含所述層疊方向上位于最外側(cè)的2個導電體層當中的至少一方。6.一種層疊電容器，具備：包含交替層疊的多個導電體層以及多個電介質(zhì)層、具有從層疊方向觀察各邊的尺寸為0.3mm以下的外形尺寸的層疊體；和在所述層疊體的長度方向上相互分開地設置在所述層疊體的表面的第1外部電極以及第2外部電極，在所述層疊體中，使所述多個導電體層各自位于第1配置或與該第1...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：月田祐樹，正井裕士，
申請(專利權(quán))人：株式會社村田制作所，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP