一種諧振電路的參數(shù)確定方法技術

本發(fā)明專利技術提供了一種諧振電路的參數(shù)確定方法，該方法包括：預先設置諧振條件；根據(jù)時鐘頻率需求，確定晶體的初始負載電容；根據(jù)初始負載電容以及所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調整晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值，保證調整后所述諧振電路滿足所述諧振條件；將滿足所述諧振條件的所述諧振電路中晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值作為選定的參數(shù)值；其中，所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值為5pF。根據(jù)本方案，可以進一步提高參數(shù)選擇的準確率，從而保證諧振電路中各個元器件的參數(shù)選擇更加合適。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及電子電路
，特別涉及一種諧振電路的參數(shù)確定方法。
技術介紹
石英晶體可以構成晶體諧振器，為與其相連的電路提供時鐘信號。諧振電路中各個元器件的參數(shù)選擇關系到諧振電路的諧振效果。若參數(shù)的選擇不合適，會導致諧振電路無法起振等問題。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術實施例提供了一種諧振電路的參數(shù)確定方法，以為諧振電路中的各個元器件選擇合適的參數(shù)。本專利技術實施例提供了一種諧振電路的參數(shù)確定方法，所述諧振電路包括：晶體、與晶體的第一端相連的第一電容和與晶體的第二端相連的第二電容，其中，晶體的第一端和第二端分別與外部電路的輸入端、輸出端連接；所述方法包括：預先設置諧振條件；所述方法還包括：根據(jù)時鐘頻率需求，確定晶體的初始負載電容；根據(jù)初始負載電容以及所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調整晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值，保證調整后所述諧振電路滿足所述諧振條件；將滿足所述諧振條件的所述諧振電路中晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值作為選定的參數(shù)值；其中，所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值為5pF。優(yōu)選地，所述根據(jù)初始負載電容以及所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調整晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值，包括：利用下式，對晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值進行調整： C L = C d × C g C d + C g + C s ]]>其中，CL用于表征所述負載電容的值，Cd和Cg分別用于表征所述第一電容的值和所述第二電容的值，Cs用于表征所述寄生電容的值。優(yōu)選地，調整后所述負載電容的值與所述初始負載電容之間的差值小于設定的第一閾值。優(yōu)選地，所述諧振條件包括：頻率準確度匹配子條件、起振可靠度子條件和功耗穩(wěn)定性子條件中的至少一種。優(yōu)選地，所述頻率準確度匹配子條件包括：所述諧振電路的諧振頻率與需求的所述時鐘頻率之間的頻差小于設定的第二閾值。優(yōu)選地，所述起振可靠度子條件包括：在所述諧振電路中晶體與所述第二電容之間串聯(lián)可調電阻，并將可調電阻從0歐姆開始向大調整，在所述諧振電路停振時，計算晶體等效串聯(lián)電阻的值，保證該晶體等效串聯(lián)電阻的值小于外部電路等效電阻的1/10。優(yōu)選地，所述計算晶體等效串聯(lián)電阻的值，包括：通過如下公式計算晶體等效串聯(lián)電阻的值： E S R = R r × ( 1 + C 0 C L ) ]]>其中，ESR用于表征晶體等效串聯(lián)電阻，Rr用于表征諧振電阻，C0用于表征等效電路靜態(tài)臂里的電容，CL用于表征所述負載電容。優(yōu)選地，所述功耗穩(wěn)定性子條件包括：保證晶體激勵水平小于設定的晶體功耗閾值。優(yōu)選地，通過下式計算所述晶體激勵水平： D L = E S R × I r m s 2 ]]>其中，DL用于表征所述晶體激勵水平，ESR用于表征負載電容，Irms用于表征電路停振時的有效電流。本專利技術實施例提供了一種諧振電路的參數(shù)確定方法，首先根據(jù)時鐘頻率需求確定晶體的初始負載電容，諧振電路中由于布線原因存在寄生電容，因此可以根據(jù)晶體的初始負載電容和寄生電容對諧振電路中晶體的負載電容、第一電容和第二電容的值進行調整，以保證諧振電路滿足預先設置的諧振條件，將諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值選擇為5pF，可以進一步提高參數(shù)選擇的準確率，從而保證諧振電路中各個元器件的參數(shù)選擇更加合適。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本專利技術一個實施例提供的一種方法流程圖；圖2是本專利技術一個實施例提供的一種諧振電路示意圖；圖3是本專利技術一個實施例提供的另一種方法流程圖；圖4是本專利技術一個實施例提供的另一種諧振電路示意圖。具體實施方式為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。如圖1所示，本專利技術實施例提供了一種諧振電路的參數(shù)確定方法，所述
諧振電路包括：晶體、與晶體的第一端相連的第一電容和與晶體的第二端相連的第二電容，其中，晶體的第一端和第二端分別與外部電路的輸入端、輸出端連接；該方法可以包括以下步驟：步驟101：預先設置諧振條件。步驟102：根據(jù)時鐘頻率需求，確定所述晶體的初始負載電容；步驟103：根據(jù)初始負載電容和所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調整晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值，以使調整后的所述諧振電路滿足所述諧振條件；步驟104：將滿足所述諧振條件的所述諧振電路中晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值作為選定的參數(shù)值；其中，所述諧振電路的寄生電容的經(jīng)驗值為5pF。根據(jù)上述方案，首先根據(jù)時鐘頻率需求確定晶體的初始負載電容，諧振電路中由于布線原因存在寄生電容，因此可以根據(jù)晶體的初始負載電容和寄生電容對諧振電路中晶體的負載電容、第一電容和第二電容的值進行調整，以保證諧振電路滿足預先設置的諧振條件，將諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值選擇為5pF，可以進一步提高參數(shù)選擇的準確率，從而保證諧振電路中各個元器件的參數(shù)選擇更加合適。在本專利技術一個實施例中，諧振電路中各元件參數(shù)的選擇通常要滿足諧振條件，該諧振條件可以包括：頻率準確度匹配子條件、起振可靠度子條件和功耗穩(wěn)定性子條件中的至少一種，下面對這三種子條件分別進行說明：1、頻率準確度匹配子條件。該頻率準確度匹配子條件可以包括：諧振電路的諧振頻率與需求的時鐘頻率之間的頻差小于設定的閾值，例如，該閾值為10ppm。在諧振電路的實際工作中的諧振頻率與需求的時鐘頻率之間越接近，即頻差越小，該諧振電路的準確度要高，且諧振電路越穩(wěn)定。2、起振可靠度子條件。該起振可靠度子條件可以包括：在所述諧振電路中晶體與所述第二電容
之間串聯(lián)可調電阻，并將可調電阻從0歐姆開始向大本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種諧振電路的參數(shù)確定方法，其特征在于，所述諧振電路包括：晶體、與晶體的第一端相連的第一電容和與晶體的第二端相連的第二電容，其中，晶體的第一端和第二端分別與外部電路的輸入端、輸出端連接；所述方法包括：預先設置諧振條件；所述方法還包括：根據(jù)時鐘頻率需求，確定晶體的初始負載電容；根據(jù)初始負載電容以及所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調整晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值，保證調整后所述諧振電路滿足所述諧振條件；將滿足所述諧振條件的所述諧振電路中晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值作為選定的參數(shù)值；其中，所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值為5pF。

【技術特征摘要】
1.一種諧振電路的參數(shù)確定方法，其特征在于，所述諧振電路包括：晶體、與晶體的第一端相連的第一電容和與晶體的第二端相連的第二電容，其中，晶體的第一端和第二端分別與外部電路的輸入端、輸出端連接；所述方法包括：預先設置諧振條件；所述方法還包括：根據(jù)時鐘頻率需求，確定晶體的初始負載電容；根據(jù)初始負載電容以及所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調整晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值，保證調整后所述諧振電路滿足所述諧振條件；將滿足所述諧振條件的所述諧振電路中晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值作為選定的參數(shù)值；其中，所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值為5pF。2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)初始負載電容以及所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調整晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值，包括：利用下式，對晶體的負載電容、所述第一電容和所述第二電容的值進行調整： C L = C d × C g C d + C g + C s ]]>其中，CL用于表征所述負載電容的值，Cd和Cg分別用于表征所述第一電容的值和所述第二電容的值，Cs用于表征所述寄生電容的值。3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，調整后所述負載電容的值與所述初始負載電容之間的差值小于設定的第一閾值。4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：史國計，
申請(專利權)人：浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：山東;37