一種太陽能發電裝置的制造方法制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種太陽能發電裝置的制造方法，包括多個薄膜太陽能電池、M個N型半導體、M個P型半導體、導熱底座、蓄電池單元、控制器單元、4M個溫度傳感器、水泵、N個電控閥門、N個水管；所述的N型半導體、P型半導體均呈“工”字型；所述的導熱底座的儲水空腔內交錯設置有導流擋板；所述的N個水管的長度不相同，長度范圍在5米到200米之間；所述的N型半導體和P型半導體間隔排列，并且相鄰的N型半導體和P型半導體之間串聯；所述的多個薄膜太陽能電池串聯，然后與N型半導體和P型半導體串聯，最后給蓄電池單元充電；本發明專利技術將太陽能發電和溫差發電有效的結合，提供了一種利用太陽能和地熱能的非常有效技術方案，發電效率更高。

【技術實現步驟摘要】
本申請是申請日為2016-02-19，申請號為2016100931676，專利技術名稱為太陽能發電裝置的專利申請的分案申請。
本專利技術涉及一種太陽能發電裝置，屬于新能源發電

技術介紹
太陽能是指太陽的熱輻射能,主要表現就是常說的太陽光線,目前一般用作發電或者為熱水器提供能源。在化石燃料日趨減少的情況下，太陽能已成為人類使用能源的重要組成部分，并不斷得到發展。太陽能的利用有光熱轉換和光電轉換兩種方式，太陽能發電是一種新興的可再生能源。廣義上的太陽能也包括地球上的風能、化學能、水能等。隨著工業文明的不斷發展特別是國內環境污染嚴重，霧霾天氣時有發生，經研究主要原因是煤炭燃燒導致，因此當下我們對于新能源的需求越來強烈。傳統的化石能源已經不可能滿足當前環境的需要，為了避免能源枯竭的困境和環境污染的加劇，目前政府對發展太陽能產業大力支持，從目前新能源發展來看太陽能應該是新能源發展中最重要的一部分。太陽能儲量豐富，每秒鐘太陽要向地球輸送相當于210億桶石油的能量，相當于全球一天消耗的能量。我國的太陽能資源也十分豐富，除了貴州高原部分地區外，中國大部分地域都是太陽能資源豐富地區，目前的太陽能利用率還不到1/1000。因此在我國大力開發太陽能潛力巨大。太陽能的利用分為“光熱”和“光伏”兩種，其中光熱式熱水器在我國應用廣泛。光伏是將光能轉化為電能的發電形式，起源于100多年前的“光生伏打現象”。太陽能的利用目前更多的是指光伏發電技術。光伏發電技術根據負載的不同分為離網型和并網型兩種，早期的光伏發電技術受制于太陽能電池組件成本因素，主要以小功率離網
型為主，滿足邊遠地區無電網居民用電問題。隨著光伏組件成本的下降，光伏發電的成本不斷下降，并網型光伏系統逐步成為主流。溫差發電器，是一種靜態的固體器件，沒有轉動部件，體積小、壽命長，工作時無噪聲，而且無須維護，成為空間電源研發的熱點，大大刺激了溫差電技術的發展。湯姆遜效應的物理學解釋就是：金屬中溫度不均勻時，溫度高處的自由電子比溫度低處的自由電子動能大。像氣體一樣，當溫度不均勻時會產生熱擴散，因此自由電子從溫度高端向溫度低端擴散，在低溫端堆積起來，從而在導體內形成電場，在金屬棒兩端便引成一個電勢差。這種自由電子的擴散作用一直進行到電場力對電子的作用與電子的熱擴散平衡為止。如何將太陽能發電和溫差發電巧妙結合在一起，就是說太陽能電池在發電的過程中肯定會產生熱量。如果將這個熱量運到溫差發電器，利用溫差發電效應將太陽能發電的熱能轉換為電能，目前這方面的研究文章很少。專利號為2015202003803，專利技術創造名稱為：一種基于太陽能、體溫發電的可穿戴設備供電器的技術專利提出了一種將太陽能能發電和溫差發電的詳細的技術方案，但是該技術方案的半導體溫差發電的N型半導體和P型半導體的兩端一端是利用太陽能發電的余熱，另一端是利用人體的體溫，雖然可以實現溫差發電，但是發電量非常有限。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種太陽能發電裝置，該發電裝置整合了太陽能發電和半導體溫差發電，半導體溫差發電的半導體的一端與太陽能電池的端面接觸，另一端接觸地熱能，這樣半導體的兩端溫差大發電量大。為了實現以上目的，本專利技術所采用的技術方案是：1、太陽能發電裝置，其特征在于，包括多個薄膜太陽能電池、M個N型半導體、M個P型半導體、導熱底座、蓄電池單元、控制器單元、4M個溫度傳感器、水泵、N個電控閥門、N個水管；其中，M≥6，N≥3；所述的N型半導體、P型半導體均呈“工”字型；所述的導熱底座呈方形，且內部設有儲水空腔；在導熱底座的左側設有與儲水空腔相連通的進水口，在導熱底座的頂部設有與儲水空腔相連通的出水口；在
儲水空腔的前側內壁和后側內壁之間交錯設置有導流擋板，且導流擋板與進水口的進水方向相垂直；導流擋板的上邊緣與儲水空腔頂部內壁間隔范圍在1～2厘米之間；所述的N個水管的長度不相同，長度范圍在5米到200米之間；所述的N型半導體和P型半導體間隔排列，并且相鄰的N型半導體和P型半導體之間串聯；所述的多個薄膜太陽能電池串聯，然后與N型半導體和P型半導體串聯，最后給蓄電池單元充電；多個薄膜太陽能電池設置于N型半導體、P型半導體的上表面，并且薄膜太陽能電池與N型半導體、P型半導體的接觸面絕緣；所述的導熱底座的上表面與N型半導體、P型半導體的下表面絕緣接觸；N型半導體、P型半導體的上表面和下表面均設置溫度傳感器，溫度傳感器與控制器單元電連接；所述的N個水管均垂直于地面，并且設置于地面以下；所述的水管分別通過電控閥門連接水泵的進水口，水泵的出水口連接導熱底座的進水口；所述的電控閥門的控制端均連接控制器單元的IO端口，同時控制器單元控制水泵的啟動和停止。更加優選的技術方案，所述的控制器單元采用AT89S52單片機。更加詳盡的技術方案，所述的水泵的進水口可以通過一個多輸入單輸出的轉換裝置連接每個水管的電控閥門的輸出口。更加詳盡的技術方案，所述的電控閥門采用單片機可以直接控制的電動閥門。2、一種太陽能發電裝置的制造方法，其特征在于，包括多個薄膜太陽能電池、M個N型半導體、M個P型半導體、導熱底座、蓄電池單元、控制器單元、4M個溫度傳感器、水泵、N個電控閥門、N個水管；其中，M≥6，N≥3；所述的N型半導體、P型半導體均呈“工”字型；所述的導熱底座呈方形，且內部設有儲水空腔；在導熱底座的左側設有與儲
水空腔相連通的進水口，在導熱底座的頂部設有與儲水空腔相連通的出水口；在儲水空腔的前側內壁和后側內壁之間交錯設置有導流擋板，且導流擋板與進水口的進水方向相垂直；導流擋板的上邊緣與儲水空腔頂部內壁間隔范圍在1～2厘米之間；所述的N個水管的長度不相同，長度范圍在5米到200米之間；第一步：所述的N型半導體和P型半導體間隔排列，并且相鄰的N型半導體和P型半導體之間串聯；所述的多個薄膜太陽能電池串聯，然后與N型半導體和P型半導體串聯，最后給蓄電池單元充電；第二步：N型半導體、P型半導體的上表面和下表面均設置溫度傳感器，溫度傳感器與控制器單元電連接；第三步：多個薄膜太陽能電池通過導熱硅膠粘在N型半導體、P型半導體的上表面，并且薄膜太陽能電池與N型半導體、P型半導體的接觸面絕緣；所述的導熱底座的上表面通過導熱硅膠粘在N型半導體、P型半導體的下表面；第四步：所述的N個水管均垂直于地面，并且埋于地面以下；所述的水管分別通過電控閥門連接水泵的進水口，水泵的出水口連接導熱底座的進水口；所述的電控閥門的控制端均連接控制器單元的IO端口，同時控制器單元控制水泵的啟動和停止。3、一種太陽能發電裝置的控制方法，其特征在于，包括多個薄膜太陽能電池、M個N型半導體、M個P型半導體、導熱底座、蓄電池單元、控制器單元、4M個溫度傳感器、水泵、N個電控閥門、N個水管；其中，M≥6，N≥3；所述的N型半導體、P型半導體均呈“工”字型；所述的導熱底座呈方形，且內部設有儲水空腔；在導熱底座的左側設有與儲水空腔相連通的進水口，在導熱底座的頂部設有與儲水空腔相連通的出水口；在儲水空腔的前側內壁和后側內壁之間交錯設置有導流擋板，且導流擋板與進水口的進水方向相垂直；導流擋板的上邊緣與儲水空腔頂部內壁間隔范圍在1～2厘米
之間；所述的N個水本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種太陽能發電裝置的制造方法，其特征在于，包括多個薄膜太陽能電池、M個N型半導體、M個P型半導體、導熱底座、蓄電池單元、控制器單元、4M個溫度傳感器、水泵、N個電控閥門、N個水管；其中，M≥6，N≥3；所述的N型半導體、P型半導體均呈“工”字型；所述的導熱底座呈方形，且內部設有儲水空腔；在導熱底座的左側設有與儲水空腔相連通的進水口，在導熱底座的頂部設有與儲水空腔相連通的出水口；在儲水空腔的前側內壁和后側內壁之間交錯設置有導流擋板，且導流擋板與進水口的進水方向相垂直；導流擋板的上邊緣與儲水空腔頂部內壁間隔范圍在1～2厘米之間；所述的N個水管的長度不相同，長度范圍在5米到200米之間；第一步：所述的N型半導體和P型半導體間隔排列，并且相鄰的N型半導體和P型半導體之間串聯；所述的多個薄膜太陽能電池串聯，然后與N型半導體和P型半導體串聯，最后給蓄電池單元充電；第二步：N型半導體、P型半導體的上表面和下表面均設置溫度傳感器，溫度傳感器與控制器單元電連接；第三步：多個薄膜太陽能電池通過導熱硅膠粘在N型半導體、P型半導體的上表面，并且薄膜太陽能電池與N型半導體、P型半導體的接觸面絕緣；所述的導熱底座的上表面通過導熱硅膠粘在N型半導體、P型半導體的下表面；第四步：所述的N個水管均垂直于地面，并且埋于地面以下；所述的水管分別通過電控閥門連接水泵的進水口，水泵的出水口連接導熱底座的進水口；所述的電控閥門的控制端均連接控制器單元的IO端口，同時控制器單元控制水泵的啟動和停止。...

【技術特征摘要】
1.一種太陽能發電裝置的制造方法，其特征在于，包括多個薄膜太陽能電池、M個N型半導體、M個P型半導體、導熱底座、蓄電池單元、控制器單元、4M個溫度傳感器、水泵、N個電控閥門、N個水管；其中，M≥6，N≥3；所述的N型半導體、P型半導體均呈“工”字型；所述的導熱底座呈方形，且內部設有儲水空腔；在導熱底座的左側設有與儲水空腔相連通的進水口，在導熱底座的頂部設有與儲水空腔相連通的出水口；在儲水空腔的前側內壁和后側內壁之間交錯設置有導流擋板，且導流擋板與進水口的進水方向相垂直；導流擋板的上邊緣與儲水空腔頂部內壁間隔范圍在1～2厘米之間；所述的N個水管的長度不相同，長度范圍在5米到200米之間；第一步：所述的N型半導體和P型半導體間隔排列，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：孫嘯，
申請(專利權)人：孫嘯，
類型：發明
國別省市：安徽;34