提供即使在中心導體的搭載位置偏移的情況下也能夠抑制高頻特性的變化的非可逆電路元件,具備:基板(14),包含具有圓形面(SA)的磁性體基板(14A)及具有圓環面(SB)的電介質環(14B);中心導體(15),配置于基板(14);永久磁鐵(12,18),將磁場施加于中心導體(15)。中心導體(15)包含延伸成放射狀的主導體部(41~43)及分支導體部(51~53)。分支導體部(51~53)包含配置于圓形面(SA)上的寬幅部分(W)、以寬度窄于寬幅部分(W)并橫跨圓形面(SA)與圓環面(SB)的邊界的方式配置的窄幅部分(N)。根據本發明專利技術,由窄幅部分(N)橫跨圓形面(SA)與圓環面(SB)的邊界,所以能夠抑制中心導體(15)的搭載位置偏移的情況下的高頻特性的變化。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及非可逆電路元件以及使用該非可逆電路元件的通信裝置,特別是涉及分布常數型的非可逆電路元件以及使用其的通信裝置。
技術介紹
隔離器(isolator)或循環器(circulator)等的非可逆電路元件例如被編入使用于手機那樣的移動體通信設備或在基地臺被使用的通信裝置等。對于非可逆電路元件來說有分布常數型或集中常數型等的類型,其中尤其是分布常數型的非可逆電路元件適合于基地臺等要求高輸出的用途。分布常數型的非可逆電路元件的結構例如被記載于專利文獻1。專利文獻1所記載的非可逆電路元件具備具有以相互成120°的角度延伸成放射狀的3個導體枝(主導體部)和從主導體部的根基部分以相互成120°的角度延伸成放射狀的3個分支電極部(分支導體部)的中心導體,并且具有該中心導體被載置于基板的結構。基板為電介質環被配置于圓盤狀的鐵氧體的外周的一體化基板。然后,3個主導體部的前端分別被連接于輸入輸出端子或者終端電阻器,由此進行信號的輸入輸出或者終端。3個分支導體部為了獲得作為目的的高頻特性(例如電容)而適當設計其形狀或面積。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本專利申請公開平9-121104號公報在專利文獻1所記載的非可逆電路元件中,主導體部的前端向周向被擴大,該擴大部分覆蓋電介質環。在此,擴大部分的徑向上的寬度基本上與電介質環的徑向上的寬度相一致。因此,在偏移發生于中心導體的搭載位置的情況下,高頻特性的變化會變得非常大。即,如果中心導體的搭載位置發生偏移的話,則在3個主導體部
中,對于某個主導體部,擴大部分與圓盤狀的鐵氧體相重疊,另一方面,對于其它的主導體部,擴大部分不與圓盤狀的鐵氧體相重疊等,會在主導體部之間產生條件差。其結果,如果中心導體的搭載位置發生偏移的話,則會有高頻特性大幅變化等的問題。
技術實現思路
因此,本專利技術的目的在于,提供一種即使是在中心導體的搭載位置發生偏移的情況下,也能夠抑制高頻特性的變化的非可逆電路元件以及使用該非可逆電路元件的通信裝置。本專利技術的非可逆電路元件,其特征在于,具備:基板,包含具有圓形面的磁性體基板和具有構成與所述圓形面相同的平面的圓環面的電介質環;中心導體,被配置于所述基板上;永久磁鐵,將磁場施加于所述中心導體;所述中心導體包含位于連結所述圓形面的中心和所述圓環面的外周的直線上的主導體部、與所述主導體部一體地設置并且從所述圓形面的所述中心向所述基板的徑向進行延伸的分支導體部,所述分支導體部包含被配置于所述圓形面上的寬幅部分、以寬度窄于所述寬幅部分并且橫跨所述圓形面與所述圓環面的邊界的方式被配置的窄幅部分。另外,本專利技術的通信裝置,其特征在于,具備上述的非可逆電路元件。根據本專利技術,因為由窄幅部分橫跨圓形面與圓環面的邊界,所以即使是在中心導體的搭載位置發生偏移的情況下,被中心導體覆蓋的磁性體基板的面積或被中心導體覆蓋的電介質環的面積的變化也較小。因此,可以抑制在中心導體的搭載位置發生偏移的情況下的高頻特性的變化。在本專利技術中,優選,所述窄幅部分以從所述寬幅部分的徑向上的端面向所述徑向突出的方式被設置。由此,即使分支導體部的搭載位置在徑向上發生偏移也能夠將其影響控制到最低限度。在此情況下,優選,所述分支導體部進一步包含被配置于所述圓環面上并且被連接于所述窄幅部分的連接部分。由此,由連接部分能夠獲得所希望的電容并且即使分支導體部的搭載位置在徑向上發生偏
移,連接部分也不會與磁性體基板相重疊,并且可以正確地位于電介質環上。在此情況下,所述連接部分的周向上的寬度即使大于所述寬幅部分的所述周向上的寬度也沒有關系。由此,由連接部分能夠獲得更大的電容。在本專利技術中,優選,所述寬幅部分的所述端面具有所述基板的周向上的第1以及第2端部,所述窄幅部分包含以從所述寬幅部分的所述第1以及第2端部分別向所述徑向突出的方式被設置的第1以及第2部分。由此,能夠抑制由搭載位置的偏移引起的高頻特性的變化且能夠獲得與由寬幅部分橫跨邊界的情況相近的特性。在此情況下,優選,所述主導體部由從所述圓形面的中心以相互成120°的角度延伸成放射狀的第1、第2以及第3主導體部構成,所述寬幅部分由從所述圓形面的中心以相互成120°的角度延伸成放射狀并且與所述第1、第2或者第3主導體部所成的角度為60°的第1、第2以及第3寬幅部分構成,所述窄幅部分的所述第1以及第2部分以從所述第1、第2以及第3寬幅部分的所述第1以及第2端部分別向所述徑向突出的方式被設置。由此,可以提供一種具有3個輸入輸出端子的非可逆電路元件。根據本專利技術,能夠提供一種即使是在中心導體的搭載位置發生偏移的情況下,也抑制高頻特性的變化的非可逆電路元件以及使用該非可逆電路元件的通信裝置。附圖說明圖1是表示本專利技術的優選的實施方式的非可逆電路元件的結構的分解立體圖。圖2是用于說明第1實施方式的中心導體15的形狀以及與第1基板14的位置關系的平面圖。圖3是用于說明比較例的中心導體15的形狀以及與第1基板14的位置關系的平面圖。圖4是表示在使用了圖2所表示的第1實施方式的中心導體15的情況下的隔離器的輸入回波損耗(return loss)的圖表。圖5是表示在使用了圖3所表示的比較例的中心導體15的情況下的隔離器的輸入回波損耗的圖表。圖6是用于說明R值和jX值的史密斯圓圖(Smith chart)。圖7是用于說明第2實施方式的中心導體15的形狀以及與第1基板14的位置關系的平面圖。圖8是用于說明第3實施方式的中心導體15的形狀以及與第1基板14的位置關系的平面圖。圖9是用于說明比較例的中心導體15的形狀以及與第1基板14的位置關系的平面圖。圖10是用于說明第4實施方式的中心導體15的形狀以及與第1基板14的位置關系的平面圖。圖11是表示使用了本專利技術的優選的實施方式的非可逆電路元件的通信裝置80的結構的方塊圖。具體實施方式以下,參照附圖,對本專利技術的優選的實施方式進行詳細的說明。圖1是表示本專利技術的優選的實施方式的非可逆電路元件的結構的分解立體圖。圖1所表示的非可逆電路元件為分布常數型隔離器,并且被編入使用于如手機那樣的移動體通信設備和在基地臺被使用的通信裝置等。雖然沒有特別的限定,但是本實施方式的非可逆電路元件優選被用于在基地臺進行使用的高輸出的通信裝置。但是,將本專利技術的非可逆電路元件作為隔離器來使用不是必須的,也可以作為循環器來使用。如圖1所示,本實施方式的非可逆電路元件包含磁轉子裝配體10、容納其的殼體部20、用于閉塞殼體部20的蓋部30。磁轉子裝配體10具有第1永久磁鐵12、屏蔽板13、第1基板14、中心導體15、第2基板16、第1非磁性薄片17、第2永久磁鐵18以及第2非磁性薄片19按該順序被壘積起來的結構,并且由沒有圖示的導電性接合劑而被一體化。第1永久磁鐵12以及第2永久磁鐵18為板面的直徑為數十mm的圓板狀體,并且起到將磁場施加于由第1基板14、中心導體15以及
第2基板16構成的磁轉子的作用。第2永久磁鐵18被第1以及第2非磁性薄片17,19夾持。屏蔽板13是對板面的直徑為數十mm、厚度為0.1~0.2mm左右的銅板或者鐵板進行沖壓后的圓盤狀的導體板,并且為了接地電極的強化以及穩定化而被使用。第1基板14由圓盤狀的磁性體基板14A、被嵌入到其本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種非可逆電路元件,其特征在于:具備:基板,包含具有圓形面的磁性體基板和具有構成與所述圓形面相同的平面的圓環面的電介質環;中心導體,被配置于所述基板上;以及永久磁鐵,將磁場施加于所述中心導體,所述中心導體包含位于連結所述圓形面的中心和所述圓環面的外周的直線上的主導體部、以及與所述主導體部一體地設置并且從所述圓形面的所述中心向所述基板的徑向進行延伸的分支導體部,所述分支導體部包含被配置于所述圓形面上的寬幅部分、以及以寬度窄于所述寬幅部分并且橫跨所述圓形面與所述圓環面的邊界的方式被配置的窄幅部分。
【技術特征摘要】
2015.02.27 JP 2015-0380671.一種非可逆電路元件,其特征在于:具備:基板,包含具有圓形面的磁性體基板和具有構成與所述圓形面相同的平面的圓環面的電介質環;中心導體,被配置于所述基板上;以及永久磁鐵,將磁場施加于所述中心導體,所述中心導體包含位于連結所述圓形面的中心和所述圓環面的外周的直線上的主導體部、以及與所述主導體部一體地設置并且從所述圓形面的所述中心向所述基板的徑向進行延伸的分支導體部,所述分支導體部包含被配置于所述圓形面上的寬幅部分、以及以寬度窄于所述寬幅部分并且橫跨所述圓形面與所述圓環面的邊界的方式被配置的窄幅部分。2.如權利要求1所述的非可逆電路元件,其特征在于:所述窄幅部分以從所述寬幅部分的徑向上的端面向所述徑向突出的方式被設置。3.如權利要求2所述的非可逆電路元件,其特征在于:所述分支導體部進一步包含被配置于所述圓環面上并且被連接于所述窄幅部分的連...
【專利技術屬性】
技術研發人員:佐佐木英行,酒井稔,
申請(專利權)人:TDK株式會社,
類型:發明
國別省市:日本;JP
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