芯片級封裝制造技術

本公開內容涉及芯片級封裝，芯片級封裝包括管芯以及在第一引線的第一表面處機械并電耦合到該管芯的第一表面的第一引線。第一引線的第一表面形成第一平面。第二引線在第二引線的第一表面處機械耦合到所述管芯的第二表面。第二引線的第一表面形成第二平面。模具合成物部分地封裝所述管芯，從而構成CSP。當CSP耦合到母板表面時，第一平面和第二平面與由母板表面形成的第三平面基本上垂直地取向。所述CSP不包括引線接合并且第一引線和第二引線在該CSP的相對表面上。母板的第三平面可以是母板的最大平面表面。本公開的一個實施例解決的一個問題是提供改進的芯片級封裝。根據本公開的一個實施例的一個用途是提供改進的芯片級封裝。

【技術實現步驟摘要】

本文檔的各方面一般而言涉及半導體器件封裝。
技術介紹
半導體器件在使用之前常常封入在(或者部分地封裝在)封裝中。一些封裝包含單個管芯，而其它封裝包含多個管芯。封裝常常對管芯提供某種保護，諸如防止腐蝕、撞擊和其它損壞，并且常常還包括電引線或者直接地或經由插座把管芯的電觸頭引線與母板連接的其它部件。封裝還可以包括被配置為把熱量從管芯耗散到母板或者以別的方式離開封裝的部件。
技術實現思路
本公開的一個實施例的一個目的是提供改進的芯片級封裝。芯片級封裝(CSP)的實現可以包括：管芯；第一引線，在第一引線的第一表面處機械并電耦合到管芯的第一表面，第一引線的第一表面形成第一平面；第二引線，在第二引線的第一表面處機械耦合到管芯的第二表面，第二引線的第一表面形成第二平面；以及模具合成物(mold compound)，至少部分地封裝管芯，其中管芯、第一引線、第二引線和模具合成物形成芯片級封裝(CSP)；其中，當CSP耦合到母板時，第一引線的第一平面和第二引線的第二平面與由母板形成的第三平面基本上垂直地取向。形成前面提到的CSP的方法可以包括：把管芯機械并電耦合到第一引線，第一引線包括在第一引線框架中，第一引線框架具有多個部分蝕刻位置；把管芯機械并電耦合到第二引線，第二引線包括在第二引線框架中并且耦合到第二引線框架的拉桿(tie bar)；在管芯的
第二表面處并在由第三引線的第一表面形成的第四平面處把管芯機械并電耦合到第三引線，第三引線包括在第二引線框架中并且耦合到第二引線框架的拉桿；利用模具合成物至少部分地封裝管芯和第二引線框架；以及切單第一引線框架、模具合成物和第二引線的拉桿，以形成芯片級封裝(CSP)，其中，當CSP耦合到母板時，第三引線的第四平面與由母板形成的第三平面基本上垂直地取向。CSP的實現可以包括以下一個、全部或任何：母板的第三平面可以包括母板的最大平面表面。第一引線的第一平面可以包括第一引線的最大平面表面并且第二引線的第二平面可以包括第二引線的最大平面表面。管芯的第二表面可以在與該管芯的第一表面相對的管芯的一側上。管芯可以是第一管芯，并且CSP還可以包括在第二管芯的第一表面處機械并電耦合到第二引線的第一表面的第二管芯，在第二管芯的第二表面處并在第一管芯的第二表面處，第二管芯機械并電耦合到第一管芯，并且第一管芯可以僅通過第二管芯電耦合到第二引線。第一引線和第二引線可以在CSP的相對的表面上。CSP可以不包括引線接合。CSP的實現可以包括：管芯；第一引線，在第一引線的第一表面處機械并電耦合到管芯的第一表面，第一引線具有在與該第一引線的第一表面相對的該第一引線的一側上的第二表面，第一引線具有在第一引線的第一表面和第一引線的第二表面之間的厚度；第二引線，在第二引線的第一表面處機械并電耦合到管芯的第二表面，第二引線具有在與該第二引線的第一表面相對的該第二引線的一側上的第二表面，第二引線具有在第二引線的第一表面和第二引線的第二表面之間的厚度；以及至少部分地封裝管芯的模具合成物，其中管芯、第一引線、第二引線和模具合成物形成芯片級封裝(CSP)；其中，當CSP耦合到母板時，第一引線的厚度和第二引線的厚度被配置為耦合到母板。CSP的實現可以包括以下一個、全部或者任何：第一引線的厚度和第二引線的厚度可以與母板的最大平面表面基本上平行。CSP可以沒有引線接合。形成CSP的方法的實現可以包括：在每個第一引線的第一表面處并在每個管芯的第一表面處，把多個管芯機械并電耦合到第一引線框架的多個第一引線，每個第一引線的第一表面形成第一平面并且第一引線框架具有基部；在每個第二引線的第一表面處并在每個管芯的第二表面處，把多個管芯機械并電耦合到第二引線框架的多個第二引線，每個第二引線的第一表面形成第二平面并且第二引線框架具有基部，其中，管芯的第二表面在與該管芯第一表面相對的該管芯的一側上；利用模具合成物至少部分地封裝每個管芯；除去第一引線框架的基部和第二引線框架的基部，從而形成多個CSP；以及切單多個CSP，其中每個CSP被配置為，當CSP耦合到母板時，使得每個第一引線的第一平面和每個第二引線的第二平面與由母板形成的第三平面基本上垂直。形成CSP的方法的實現可以包括以下一個、全部或任何：母板的第三平面可以包括母板的最大平面表面。每個管芯可以是第一管芯，并且方法還可以包括把多個第二管芯機械并電耦合到多個第二引線，其中，在第二管芯的第一表面處并在第二引線的第一表面處，每個第二管芯機械并電耦合到第二引線中的一個，該方法還包括，在第二管芯的第二表面處并在第一管芯的第二表面處，把每個第二管芯機械并電耦合到第一管芯中的一個，并且其中每個第一管芯僅通過第二管芯中的一個電耦合到第二引線中的一個。把多個管芯機械并電耦合到多個第三引線，該多個第三引線耦合到第二引線框架的基部，其中，在管芯的第二表面處并且在由第三引線的第一表面形成的第四平面處，每個管芯機械并電耦合到第三引線中的一個，該方法還包括，當CSP耦合到母板時，把每個第三引線的第四平面與母板的第三平面基本上垂直地取向。CSP可以不包括引線接合。形成CSP的方法的實現可以包括：把多個管芯機械并電耦合到第一引線框架的多個第一引線，第一引線框架具有多個部分蝕刻位置，在管芯的第一表面處并在第一引線的第一表面處，每個管芯耦合到第一引線中的一個，每個第一引線的第一表面形成第一平面；把多個管芯機械并電耦合到第二引線框架的多個第二引線，第二引線框架包括多個部分蝕刻位置，在管芯的第二表面處并在第二引線的第一表面處，每個管芯耦合到第二引線中的一個，每個第二引線的第一表面形成第二平面，其中，每個管芯的第二表面在與該管芯的第一表面相對的管芯的一側上；利用模具合成物至少部分地封裝每個管芯；以及切單第一引線框架、模具合成物和第二引線框架，以形成多個芯片級封裝(CSP)；其中，當CSP耦合到母板時，每個第一引線的第一平面和每個第二引線的第二平面與由母板形成的第三平面基本上垂直地取向。形成CSP的方法的實現可以包括以下一個、全部或任何：母板的第三平面可以包括母板的最大平面表面。每個管芯可以是第一管芯，并且方法還可以包括，在每個第二管芯的第一表面處并在每個第二引線的第一表面處，把多個第二管芯機械并電耦合到多個第二引線，其中，在第一管芯的第二表面處和第二管芯的第二表面處，把每個第二管芯機械并電耦合到第一管芯中的一個，并且其中每個第一管芯僅通過第二管芯中的一個電耦合到第二引線中的一個。CSP可以不包括引線接合。根據本公開的一個實施例的一個技術效果是提供改進的芯片級封裝。根據“具體實施方式”和“附圖說明”并且根據“權利要求”，上述和其它方面、特征和優點將對本領域技術人員變得顯然。附圖說明將在下文中結合附圖來描述實現，其中相同的參考標記指示相同
的元件，并且：圖1是常規單管芯芯片級封裝(CSP)的側視圖，其中模具(封裝)合成物以透視方式繪制，從而更容易繪出其它元件；圖2是母板上圖1的CSP的頂部透視圖，其中模具合成物以透視方式繪制；圖3是單管芯CSP的側視圖，其中模具合成物以透視方式繪制；圖4是圖3的CSP的頂部透視圖，其中模具合成物以透視方式繪制；圖5是在母板上的圖3的CSP的頂部透視圖，其中模具合成物以透視方本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種芯片級封裝，其特征在于包括：管芯；第一引線，在所述第一引線的第一表面處機械并電耦合到所述管芯的第一表面，所述第一引線的所述第一表面形成第一平面并且所述第一引線的第二表面形成第五平面，在所述第一平面與所述第五平面之間存在所述第一引線的厚度；第二引線，在所述第二引線的第一表面處機械耦合到所述管芯的第二表面，所述第二引線的所述第一表面形成第二平面并且所述第二引線的第二表面形成第四平面，在所述第二平面與所述第四平面之間存在所述第二引線的厚度；以及模具合成物，至少部分地封裝所述管芯，其中所述管芯、第一引線、第二引線和模具合成物形成芯片級封裝；其中，當所述芯片級封裝在所述第一引線的所述厚度和所述第二引線的所述厚度處耦合到母板時，所述第一引線的所述第一平面和所述第二引線的所述第二平面與由所述母板形成的第三平面基本上垂直地取向。

【技術特征摘要】
2014.10.30 US 14/528,1061.一種芯片級封裝，其特征在于包括：管芯；第一引線，在所述第一引線的第一表面處機械并電耦合到所述管芯的第一表面，所述第一引線的所述第一表面形成第一平面并且所述第一引線的第二表面形成第五平面，在所述第一平面與所述第五平面之間存在所述第一引線的厚度；第二引線，在所述第二引線的第一表面處機械耦合到所述管芯的第二表面，所述第二引線的所述第一表面形成第二平面并且所述第二引線的第二表面形成第四平面，在所述第二平面與所述第四平面之間存在所述第二引線的厚度；以及模具合成物，至少部分地封裝所述管芯，其中所述管芯、第一引線、第二引線和模具合成物形成芯片級封裝；其中，當所述芯片級封裝在所述第一引線的所述厚度和所述第二引線的所述厚度處耦合到母板時，所述第一引線的所述第一平面和所述第二引線的所述第二平面與由所述母板形成的第三平面基本上垂直地取向。2.如權利要求1所述的芯片級封裝，其特征在于，所述母板的所述第三平面包括所述母板的最大平面表面。3.如權利要求1所述的芯片級封裝，其特征在于，所述第一引線的所述第一平面包括所述第一引線的最大平面表面，并且其中所述第二引線的所述第二平面包括所述第二引線的最大平面表面。4.如權利要求1所述的芯片級封裝，其特征在于，所述管芯的所述第二表面在與所述管芯的所述第一表面相對的所述管芯的一側上。5.如權利要求1所述的芯片級封裝，其特征在于，所述管芯包括第一管芯，并且其中所述芯片級封裝還包括在第二管芯的第一表面處機械并電耦合到...

【專利技術屬性】
技術研發人員：B·W·豐，王松偉，H·K·劉，
申請(專利權)人：半導體元件工業有限責任公司，
類型：新型
國別省市：美國;US