一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路、裝置及開關(guān)電源系統(tǒng)制造方法及圖紙

本實(shí)用新型專利技術(shù)提供一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路、裝置及開關(guān)電源系統(tǒng)，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路包括：功率MOS管開關(guān)電路，用于控制所述功率MOS管的閉合與斷開；補(bǔ)償電流獲取電路，包括第一采樣電路與第二采樣電路分別獲得第一采樣電壓和第二采樣電壓，所述第一采樣電壓與第二采樣電壓作為差分信號(hào)輸入到電壓轉(zhuǎn)電流單元，輸出補(bǔ)償電流；過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路，用于將第三采樣電壓與經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的參考電壓輸入到電流限比較器，或者將參考電壓與經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的第三采樣電壓輸入到電流限比較器輸出控制信號(hào)以控制所述功率MOS管的閉合與斷開。本實(shí)用新型專利技術(shù)可統(tǒng)一不同線電壓下的過(guò)流點(diǎn)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種電源控制領(lǐng)域，特別是涉及一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路、裝置及開關(guān)電源系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
AC-DC電源除了性能要滿足供電產(chǎn)品的要求外，其自身的保護(hù)措施也非常重要。其中，過(guò)流保護(hù)是一項(xiàng)必須的保護(hù)功能。過(guò)電流保護(hù)(Over Current Protection)就是當(dāng)電流超過(guò)預(yù)定最大值時(shí)，使保護(hù)裝置動(dòng)作的一種保護(hù)方式。當(dāng)流過(guò)被保護(hù)原件中的電流超過(guò)預(yù)先整定的某個(gè)數(shù)值時(shí)，保護(hù)裝置啟動(dòng)，并用時(shí)限保證動(dòng)作的選擇性，使斷路器跳閘或給出報(bào)警信號(hào)。然而，當(dāng)AC輸入電壓在85Vac～265Vac范圍內(nèi)變化時(shí)，過(guò)流保護(hù)點(diǎn)(即過(guò)流點(diǎn))通常隨輸入線電壓變化而變化，導(dǎo)致高、低線電壓的過(guò)流保護(hù)點(diǎn)嚴(yán)重漂移，即線電壓高時(shí)的過(guò)流保護(hù)點(diǎn)與線電壓低時(shí)的過(guò)流保護(hù)點(diǎn)差距很大，有時(shí)，在高線電壓下的過(guò)流點(diǎn)比低線電壓下甚至能高出一倍。這不利于過(guò)流點(diǎn)的一致性。鑒于此，如何找到適用于不同線電壓下過(guò)流點(diǎn)一致性的過(guò)流保護(hù)方案就成了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本技術(shù)的目的在于提供一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路、裝置及開關(guān)電源系統(tǒng)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中高、低線電壓的過(guò)流保護(hù)點(diǎn)嚴(yán)重漂移不能采用一致的過(guò)流點(diǎn)的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本技術(shù)提供一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路包括：所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路包括：功率MOS管開關(guān)電路，包括一個(gè)功率MOS管和一個(gè)RS觸發(fā)器，用于控制所述功率MOS管的導(dǎo)通與截止；補(bǔ)償電流獲取電路，與所述功率MOS管開關(guān)電路相連，包括第一采樣電路、第二采樣電路以及一個(gè)電壓轉(zhuǎn)電流單元，第一采樣電路與第二采樣電路的采樣時(shí)間不同，在功率MOS管導(dǎo)通時(shí)分別獲得第一采樣電壓和第二采樣電壓，所述第一采樣電壓與第二采樣電壓作為差分信號(hào)輸入到所述電壓轉(zhuǎn)電流單元，輸出補(bǔ)償電流；過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路，與所述補(bǔ)償電路獲取電路相連，用于將第三采樣電壓與經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的參考電壓分別輸入到電流限比較器的第一輸入端和第二輸入端，或者將經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的第三采樣電壓與參考電壓分別輸入到電流限比較器的第一輸入端和第二輸入端，然后將所述電流限比較器的輸出信號(hào)作為控制信號(hào)以控制所述功率MOS管的導(dǎo)通與截止；當(dāng)電流限比較器的第一輸入端的電壓大于第二輸入端的電壓時(shí)，控制所述功率MOS管截止。可選地，過(guò)流保護(hù)電路進(jìn)一步包括開關(guān)控制電路，所述電流限比較器的輸出信號(hào)通過(guò)所述開關(guān)控制電路控制所述功率MOS管的截止。可選地，所述功率MOS管開關(guān)電路還包括：一個(gè)將輸出電壓的反饋信號(hào)調(diào)制成高/低電平的電路單元，一個(gè)輸出時(shí)鐘信號(hào)與最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)的振蕩器，經(jīng)所述電路單元調(diào)制的電平與時(shí)鐘信號(hào)共同決定所述功率MOS管的導(dǎo)通時(shí)刻；所述最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)決定每個(gè)導(dǎo)通周期內(nèi)所述功率MOS管的最大導(dǎo)通時(shí)間；當(dāng)所述最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)為低電平時(shí)，RS觸發(fā)器被重置，輸出低電平，使得所述功率MOS管截止。可選地，所述功率MOS管開關(guān)電路進(jìn)一步包括：第一與門，第二與門，或非門，所述調(diào)制后輸出電壓的反饋信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)分別輸入到所述第一與門的兩個(gè)輸入端，第一與門的輸出端與RS觸發(fā)器的S端連接；所述電流限比較器的輸出端和前沿消隱電路輸出端電連接至第二與門的輸入端，第二與門的輸出端與最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)電連接至或非門的兩個(gè)輸入端，所述或非門的輸出端電連接至RS觸發(fā)器的R端。可選地，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路還包括一個(gè)前沿消隱電路，通過(guò)前沿消隱電路處理后進(jìn)行才能獲取采樣電壓。可選地，所述補(bǔ)償電流獲取電路還包括一個(gè)定時(shí)器，所述定時(shí)器在功率MOS管導(dǎo)通時(shí)觸發(fā)，輸出第一采樣控制信號(hào)和第二采樣控制信號(hào)以分別控制第一采樣電路和第二采樣電路的采樣時(shí)間。可選地，所述補(bǔ)償電流獲取電路還包括一個(gè)比例放大器，所述比例放大器與所述第一采樣電路以及第二采樣電路連接，用于將第三采樣電壓放大后，再由所述第一采樣控制信號(hào)和第二采樣控制信號(hào)對(duì)放大后的第三采樣電壓進(jìn)行采樣。可選地，所述第一采樣電路包括第一開關(guān)，第一電容，當(dāng)所述第一采樣控制信號(hào)為高電平時(shí)，第一開關(guān)閉合，否則第一開關(guān)斷開，從而獲得第一采樣電壓；所述第二采樣電路包括第二開關(guān)，第二電容，當(dāng)所述第二采樣控制信號(hào)為高電平時(shí)，所述第二開關(guān)關(guān)閉，否則第二開關(guān)斷開，從而獲得第二采樣電壓。可選地，過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路包括：一基準(zhǔn)電流源，基準(zhǔn)電流源的基準(zhǔn)電流流過(guò)第一電阻以產(chǎn)生參考電壓，流過(guò)功率MOS管的峰值電流與參考電壓成正比。可選地，所述功率MOS管的漏極電壓連接第一分壓電阻、第七開關(guān)、第二分壓電阻后接地；所述第三采樣電壓為第一分壓電阻與第二分壓電阻之間的電壓；所述第七開關(guān)在所述功率MOS管導(dǎo)通期間閉合，其他時(shí)間斷開；所述補(bǔ)償電流獲取電路的輸出端連接到所述基準(zhǔn)電流源與第一電阻之間，用于調(diào)整輸入所述電流限比較器的參考電壓。可選地，所述第三采樣電壓為所述功率MOS管的源極電壓；所述功率MOS管的源極連接第一采樣電阻，所述第一采樣電阻的另一端接地，所述功率MOS管的源極與所述電流限比較器之間連接第二電阻和第三開關(guān)，所述補(bǔ)償電流通過(guò)所述第二電阻調(diào)整輸入所述電流限比較器的第三采樣電壓；所述第三開關(guān)在所述功率MOS管導(dǎo)通期間閉合，其他時(shí)間斷開；所述電流限比較器的第一輸入端連接第四開關(guān)到地；所述第四開關(guān)在所述功率MOS管導(dǎo)通期間斷開，其他時(shí)間閉合；所述功率MOS管的源極與所述比例放大器的第一輸入端之間連接第五開關(guān)，所述第五開關(guān)在所述功率MOS管導(dǎo)通期間閉合，其他時(shí)間斷開；所述比例放大器的第一輸入端連接第六開關(guān)到地，所述第六開關(guān)在所述功率MOS管導(dǎo)通期間斷開，其他時(shí)間閉合。本技術(shù)還提供一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的裝置，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的裝置包括如上所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路。本技術(shù)還包括一種開關(guān)電源系統(tǒng)，所述開關(guān)電源系統(tǒng)包括如上所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路。如上所述，本技術(shù)的一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路、裝置及開關(guān)電源系統(tǒng)，具有以下有益效果：通過(guò)在功率MOS管導(dǎo)通時(shí)，采樣兩個(gè)固定時(shí)刻點(diǎn)流過(guò)功率MOS管的電流，生成和線電壓成比例的補(bǔ)償電流，并用這個(gè)補(bǔ)償電流來(lái)調(diào)節(jié)流過(guò)功率MOS的峰值電流。線電壓越高，兩個(gè)固定時(shí)刻點(diǎn)流過(guò)功率MOS管的電流差值越大，峰值電流的補(bǔ)償量就越大，從而得到幾乎不隨線電壓變化的過(guò)流點(diǎn)。本技術(shù)適用于斷續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)和連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)的各種拓?fù)銩C-DC開關(guān)電源，尤其適用于連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)的開關(guān)電源。附圖說(shuō)明圖1顯示為本技術(shù)的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的一實(shí)施例的模塊示意圖。圖2顯示為本技術(shù)的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的一實(shí)施例的電路原理示意圖。圖3顯示為本技術(shù)的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的一實(shí)施例的信號(hào)波形示意圖。圖4顯示為本技術(shù)的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的另一實(shí)施例的電路原理示意圖。圖5顯示為包括本技術(shù)的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的開關(guān)電源系統(tǒng)的一實(shí)施例的電路原理示意圖。元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明1 線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路11 功率MOS管開關(guān)電路12 補(bǔ)償電流獲取電路13 過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路具體實(shí)施方式以下由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本技術(shù)的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路包括：功率MOS管開關(guān)電路，包括一個(gè)功率MOS管和一個(gè)RS觸發(fā)器，用于控制所述功率MOS管的導(dǎo)通與截止；補(bǔ)償電流獲取電路，與所述功率MOS管開關(guān)電路相連，包括第一采樣電路、第二采樣電路以及一個(gè)電壓轉(zhuǎn)電流單元，第一采樣電路與第二采樣電路的采樣時(shí)間不同，在功率MOS管導(dǎo)通時(shí)分別獲得第一采樣電壓和第二采樣電壓，所述第一采樣電壓與第二采樣電壓作為差分信號(hào)輸入到所述電壓轉(zhuǎn)電流單元，輸出補(bǔ)償電流；過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路，與所述補(bǔ)償電路獲取電路相連，用于將第三采樣電壓與經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的參考電壓分別輸入到電流限比較器的第一輸入端和第二輸入端，或者將經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的第三采樣電壓與參考電壓分別輸入到電流限比較器的第一輸入端和第二輸入端，然后將所述電流限比較器的輸出信號(hào)作為控制信號(hào)以控制所述功率MOS管的導(dǎo)通與截止；當(dāng)電流限比較器的第一輸入端的電壓大于第二輸入端的電壓時(shí)，控制所述功率MOS管截止。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路包括：功率MOS管開關(guān)電路，包括一個(gè)功率MOS管和一個(gè)RS觸發(fā)器，用于控制所述功率MOS管的導(dǎo)通與截止；補(bǔ)償電流獲取電路，與所述功率MOS管開關(guān)電路相連，包括第一采樣電路、第二采樣電路以及一個(gè)電壓轉(zhuǎn)電流單元，第一采樣電路與第二采樣電路的采樣時(shí)間不同，在功率MOS管導(dǎo)通時(shí)分別獲得第一采樣電壓和第二采樣電壓，所述第一采樣電壓與第二采樣電壓作為差分信號(hào)輸入到所述電壓轉(zhuǎn)電流單元，輸出補(bǔ)償電流；過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路，與所述補(bǔ)償電路獲取電路相連，用于將第三采樣電壓與經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的參考電壓分別輸入到電流限比較器的第一輸入端和第二輸入端，或者將經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的第三采樣電壓與參考電壓分別輸入到電流限比較器的第一輸入端和第二輸入端，然后將所述電流限比較器的輸出信號(hào)作為控制信號(hào)以控制所述功率MOS管的導(dǎo)通與截止；當(dāng)電流限比較器的第一輸入端的電壓大于第二輸入端的電壓時(shí)，控制所述功率MOS管截止。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于：所述功率MOS管開關(guān)電路還包括：一個(gè)將輸出電壓的反饋信號(hào)調(diào)制成高/低電平的電路單元，一個(gè)輸出時(shí)鐘信號(hào)與最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)的振蕩器，經(jīng)所述電路單元調(diào)制的電平與時(shí)鐘信號(hào)共同決定所述功率MOS管的導(dǎo)通時(shí)刻；所述最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)決定每個(gè)導(dǎo)通周期內(nèi)所述功率MOS管的最大導(dǎo)通時(shí)間；當(dāng)所述最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)為低電平時(shí)，RS觸發(fā)器被重置，輸出低電平，使得所述功率MOS管截止。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于：所述功率MOS管開關(guān)電路進(jìn)一步包括：第一與門，第二與門，或非門，所述調(diào)制后輸出電壓的反饋信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)分別輸入到所述第一與門的兩個(gè)輸入端，第一與門的輸出端與RS觸發(fā)器的S端連接；所述電流限比較器的輸出端和前沿消隱電路輸出端電連接至第二與門的輸入端，第二與門的輸出端與最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)電連接至或非門的兩個(gè)輸入端，所述或非門的輸出端電連接至RS觸發(fā)器的R端。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于：所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路還包括一個(gè)前沿消隱電路，通過(guò)前沿消隱電路處理后進(jìn)行才能獲取采樣電壓。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于：所述補(bǔ)償電流獲取電路還包括一個(gè)定時(shí)器，所述定時(shí)器在功率MOS管導(dǎo)通時(shí)觸發(fā)，輸出第一采樣控制信號(hào)和第二采樣控制信號(hào)以分別控制第一采樣電路和第二采樣電路的采樣時(shí)間。6.根...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：郜小茹，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：上海;31