本公開涉及一種拐角式擾流件，所述拐角式擾流件被設(shè)計成通過改變氣體流動來使基板拐角區(qū)域上的較高沉積速率降低。在一個實施方式中，一種用于處理腔室的拐角式擾流件包括電介質(zhì)材料制成的L形主體，其中所述L形主體被配置成改變在處理腔室中的基板的拐角處的等離子體分布。所述L形主體包括第一支腳和第二支腳，其中所述第一支腳與所述第二支腳在所述L形主體的內(nèi)側(cè)拐角和外側(cè)拐角處相交。所述第一支腳或所述第二支腳的長度是所述第一支腳或所述第二支腳與所述內(nèi)側(cè)拐角之間界定的距離的兩倍。在另一實施方式中，一種用于沉積腔室的遮蔽框架包括：矩形主體，所述矩形主體具有貫穿其的矩形開口；以及一或多個拐角式擾流件，所述一或多個拐角式擾流件在所述矩形主體的拐角處耦接到所述矩形主體。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】背景
本公開的實施方式總體涉及一種用于改進分布均勻性的拐角式擾流件，以及用于在處理腔室中分布氣體的方法。
技術(shù)介紹
液晶顯示器或平板顯示器通常用于有源矩陣顯示器，諸如計算機和電視監(jiān)視器。一般采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)在基板(諸如用于平板顯示器或半導(dǎo)體晶片的透光基板)上沉積薄膜。一般通過將前驅(qū)氣體或氣體混合物(例如，硅烷(SiH4)和氮氣(N2))引入包含基板的真空腔室中實現(xiàn)PECVD。前驅(qū)氣體或氣體混合物通常向下引導(dǎo)通過位于腔室頂部附近的分布板。通過從耦接到腔室的一或多個RF源將射頻(RF)功率施加至腔室，腔室中的前驅(qū)氣體或氣體混合物被激發(fā)(例如，激勵)成等離子體。被激勵的氣體或氣體混合物發(fā)生反應(yīng)，以便在定位于溫度受控的基板支撐件上的基板的表面上形成材料(例如，氮化硅(SiNx))的層。氮化硅層形成用于下一代薄膜晶體管(TFT)和有源矩陣有機發(fā)光二極管(AMOLED)中的低溫多晶硅(LTPS)膜堆疊的鈍化層、柵極絕緣體和/或緩沖層。TFT和AMOLED是用于形成平板顯示器的兩種類型器件。通過PECVD技術(shù)處理的平板通常較的，常常超過4平方米。由于在平板顯示器工業(yè)中，基板尺寸持續(xù)增長，對大面積PECVD的膜厚度和膜均勻性控制成為問題。另外，由于基板是矩形的，基板邊緣(諸如基板的各側(cè)和拐角)經(jīng)歷可能與基板其他部分處經(jīng)歷的條件不同的條件。例如，定位在中心的等離子體提高基板拐角處的沉積速率，從而導(dǎo)致“拐角峰值”。拐角峰值不利影響處理參數(shù)(諸如膜厚)并且增加邊緣排除范圍。總膜厚度影響平板的漏極電流和閾值電壓。用于控制沉積速率的常規(guī)技術(shù)包括調(diào)制通過氣體分布板的氣動并且改變腔室部件材料，以便影響等離子體分布阻抗。然而，常規(guī)技術(shù)通常昂貴，而且僅能夠改變在較大范圍上(例如，相距基板拐角大于300mm)的膜均勻性分布。因此，需要改進在基板中、特別是在基板拐角區(qū)域處的沉積速率和膜厚度均勻性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本公開總體涉及一種拐角式擾流件，所述拐角式擾流件被設(shè)計成通過改變氣體流
動來使基板拐角區(qū)域和/或邊緣區(qū)域上的較高沉積速率降低。在一個實施方式中，提供一種用于處理腔室的拐角式擾流件。所述拐角式擾流件包括電介質(zhì)材料制造的L形主體。所述L形主體被配置成改變在所述處理腔室中的基板的拐角處的等離子體分布。所述L形主體包括第一支腳和第二支腳，其中所述第一支腳和所述第二支腳在所述L形主體的內(nèi)側(cè)拐角處相交。所述第一支腳或所述第二支腳的長度是在所述第一支腳或所述第二支腳與所述內(nèi)側(cè)拐角之間界定的距離的兩倍。在另一實施方式中，提供一種用于處理腔室的遮蔽框架。所述遮蔽框架包括矩形主體，所述矩形主體具有貫穿其的矩形開口。所述遮蔽框架還包括一或多個拐角式擾流件，所述一或多個拐角式擾流件在所述矩形主體的多個拐角處耦接到所述矩形主體。所述一或多個拐角式擾流件包括電介質(zhì)材料制造的L形主體。所述L形主體被配置成改變在所述處理腔室中的基板的拐角處的等離子體分布。在又一實施方式中，提供一種用于在處理腔室中分布氣體的方法。所述方法包括使用擾流件來減少在所述處理腔室中的基板的拐角處的等離子體分布。所述方法還包括減小設(shè)置在所述擾流件下方的電場。附圖說明因此，為了能夠詳細理解本公開的上述特征結(jié)構(gòu)所用方式，上文所簡要概述的本公開的更具體的描述可以參考實施方式進行。然而，應(yīng)當(dāng)注意，附圖僅僅示出本公開的典型實施方式，并且因此不應(yīng)視為限制本公開的范圍，因為本公開可允許其他等效實施方式。圖1是PECVD腔室的一個實施方式的示意性截面圖。圖2是設(shè)置在遮蔽框架的包圍圖1的基板的一部分上的拐角式擾流件的一個實施方式的平面圖。圖3是設(shè)置在遮蔽框架的包圍圖1的基板的一部分上的拐角式擾流件的一個實施方式的分解圖。圖4是設(shè)置在遮蔽框架的包圍圖1的基板的一部分上的拐角式擾流件的一個實施方式的特寫圖。為了促進理解，已盡可能使用相同元件符號指定各圖所共有的相同元件。應(yīng)預(yù)見到，一個實施方式的要素和特征可有利地并入其他實施方式，而無需進一步敘述。具體實施方式本公開總體涉及一種拐角式擾流件，所述拐角式擾流件被設(shè)計成通過改變氣體流
動來使基板拐角區(qū)域和/或邊緣區(qū)域上的較高沉積速率降低。根據(jù)本文所述實施方式，通過調(diào)整氣流并且減小形成在拐角式擾流件下方的電場，拐角式擾流件減小不均勻的沉積速率。拐角式擾流件的材料、尺寸、形狀和其他特征可基于處理要求和相關(guān)聯(lián)的沉積速率而變化。以下參考配置為處理大面積基板的PECVD系統(tǒng)(諸如可從加利福尼亞州圣克拉拉市應(yīng)用材料(Applied Materials,Inc.,Santa Clara,California)的子公司AKT獲得的PECVD系統(tǒng))說明性地描述本文中的實施方式。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本公開可用于其他系統(tǒng)配置，諸如蝕刻系統(tǒng)、其他化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)以及期望在處理腔室內(nèi)分布氣體的任何其他系統(tǒng)，包括配置成處理圓形基板的那些系統(tǒng)。圖1是用于形成電子器件(諸如TFT和AMOLED)的PECVD腔室100的一個實施方式的示意性截面圖。注意的是，圖1僅為示例性設(shè)備，這個示例性設(shè)備可用于基板上的電子器件。一種合適PECVD腔室可從位于加利福尼亞州圣克拉拉市應(yīng)用材料公司獲得。應(yīng)預(yù)見到，其他沉積腔室(包括來自其他制造商的那些)可用于實踐本公開。腔室100一般包括壁102、底部104和氣體分布板或擴散器110以及基板支撐件130，它們限定工藝容積106。工藝容積106通過貫穿墻102而形成的可密封狹縫閥108進出，使得基板105可傳送到處理腔室100中或傳送到處理腔室100外。在一個實施方式中，基板105為1850mm x 1500mm。基板支撐件130包括用于支撐基板105的基板接收表面132和桿134，所述基板接收表面132，且所述桿134耦接到升降系統(tǒng)136以升起和降低基板支撐件130。遮蔽框架133可在處理期間放在基板105周邊上方。遮蔽框架133被配置成防止或減少在處理期間不想要的沉積發(fā)生在基板支撐件130的不被基板105覆蓋的表面上。在一個實施方式中，遮蔽框架133一般是矩形的，并且具有貫穿其的矩形開口用以外接(circumscribe)基板105。升降桿138可移動地設(shè)置成貫穿基板支撐件130以將基板105移動至基板接收表面132和將基板105從基板接收表面132移走，以便進行基板傳送。基板支撐件130還可包括加熱和/或冷卻元件139，以將基板支撐件130和位于其上的基板105維持處于期望溫度。基板支撐件130還可包括接地條帶131，以便在基板支撐件130周邊提供RF接地。擴散器110是通過懸架114在其外圍耦接到背板112。擴散器110也可通過一或多個中心支撐件116來耦接到背板112，以有助于防止下垂(sag)和/或控制擴散器110的直度/曲率。氣源120被耦接到背板112，以便通過背板112將一或多種氣體提供到多個氣體通道111并提供到基板接收表面132，所述多個氣體通道111形成在擴
散器110中。合適氣體可以包括但不限于：含硅氣體(例如，硅烷(SiH4))以及含氮氣體(例如，氮氣(N2)和/或氨氣(NH3))。真空泵109被耦接到處理腔室100以控制在工藝容積106內(nèi)的壓力。RF功率源122被耦接到本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種用于處理腔室的拐角式擾流件，所述拐角式擾流件包括：電介質(zhì)材料制成的L形主體，其中所述L形主體被定位成改變在所述處理腔室中的基板的拐角處的等離子體分布，并且其中所述L形主體包括：第一支腳；以及第二支腳，其中所述第一支腳與所述第二支腳在所述L形主體的內(nèi)側(cè)拐角和外側(cè)拐角處相交，并且其中從所述第一支腳的端部至所述外側(cè)拐角的距離是從所述第一支腳的端部至所述內(nèi)側(cè)拐角的距離的兩倍，以及從所述第二支腳的端部至所述外側(cè)拐角的距離是從所述第二支腳的端部至所述內(nèi)側(cè)拐角的距離的大約兩倍。
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2014.01.30 US 61/933,7371.一種用于處理腔室的拐角式擾流件，所述拐角式擾流件包括：電介質(zhì)材料制成的L形主體，其中所述L形主體被定位成改變在所述處理腔室中的基板的拐角處的等離子體分布，并且其中所述L形主體包括：第一支腳；以及第二支腳，其中所述第一支腳與所述第二支腳在所述L形主體的內(nèi)側(cè)拐角和外側(cè)拐角處相交，并且其中從所述第一支腳的端部至所述外側(cè)拐角的距離是從所述第一支腳的端部至所述內(nèi)側(cè)拐角的距離的兩倍，以及從所述第二支腳的端部至所述外側(cè)拐角的距離是從所述第二支腳的端部至所述內(nèi)側(cè)拐角的距離的大約兩倍。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拐角式擾流件，其特征在于，所述電介質(zhì)材料為氧化鋁。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拐角式擾流件，其特征在于，所述電介質(zhì)材料為聚四氟乙烯。4.一種用于處理腔室的遮蔽框架，所述遮蔽框架包括：矩形主體，所述矩形主體具有貫穿其的矩形開口；以及一或多個拐角式擾流件，所述一或多個拐角式擾流件在所述矩形主體的一或多個拐角處耦接到所述矩形主體，其中所述一或多個拐角式擾流件包括：電介質(zhì)材料制成的L形主體，其中所述L形主體被定位成改變在所述處理腔室中的基板的拐角處的等離子體分布。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的遮蔽框架，其特征在于，所述L形主體包括：第一支腳；以及第二支腳，其中所述第一支腳與所述第二支腳在所述L形主體的內(nèi)側(cè)拐角和外側(cè)拐角相交，并且其中從所述第一支腳的端部至所述外側(cè)拐角的距離是從所述第一支腳的端部至所述內(nèi)側(cè)拐角的距離的兩倍，并且從所述第二支腳的端部至所述外側(cè)拐角的距離是從所述第二支腳的端部至所述內(nèi)側(cè)拐角的距離的兩倍。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的遮蔽框架，其特征在于，所述電介質(zhì)材料為氧化鋁或聚四氟...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙來，古田學(xué)，王群華，R·L·迪納，B·S·樸，崔壽永，S·D·雅達維，
申請(專利權(quán))人：應(yīng)用材料公司，
類型：發(fā)明
國別省市：美國;US
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