改善二次雷達脈沖信號上升和下降沿的裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術屬于單脈沖二次雷達系統領域，特別涉及一種改善二次雷達脈沖信號上升和下降沿的裝置。本實用新型專利技術包括PIN開關單元和功率放大器單元，所述PIN開關單元的信號輸入端、控制端分別連接射頻輸入信號、TTL控制信號，所述PIN開關單元的信號輸出端連接功率放大器單元的信號輸入端，所述功率放大器單元的信號輸出端輸出射頻輸出信號。通過TTL控制信號來控制PIN開關單元的導通和截止，不僅改善了二次雷達脈沖信號的上升和下降沿，使上升沿和下降沿滿足50ns～100ns的指標要求，而且本實用新型專利技術具備結構簡單、使用方便、成本低廉的特點。

【技術實現步驟摘要】

本技術屬于單脈沖二次雷達系統領域，特別涉及一種改善二次雷達脈沖信號上升和下降沿的裝置。
技術介紹
隨著科學技術的進步，航空運輸業的飛速發展，航空運輸日益繁忙，為保障航空運輸安全，空管雷達廣泛應用于民用和軍事航空領域，各個機場都安裝有二次雷達，二次雷達的使用量越來越大。二次雷達發射組件通常使用的功率管是LD MOS功率晶體管，LD MOS功率晶體管是電壓控制導通型功率管，具有輸出功率大、功率增益高、頂降小、脈沖上升沿和下降沿小、且不隨功率晶體管的工作狀態變化的技術特點。但由于LD MOS功率晶體管的輸出信號的上升沿和下降沿在8ns左右，而二次雷達的脈沖上升沿指標要求為50ns～100ns，下降沿指標要求為50ns～500ns；因此LD MOS功率晶體管的上升沿和下降沿不能滿足二次雷達的使用要求，因此使用時需要對射頻信號上升沿和下降沿進行改善處理。
技術實現思路
本技術為了克服上述現有技術的不足，提供了一種改善二次雷達脈沖信號上升和下降沿的裝置，本技術不僅改善了二次雷達脈沖信號的上升和下降沿，使上升沿和下降沿滿足50ns～100ns的指標要求，而且具備結構簡單、使用方便、成本低廉的特點。為實現上述目的，本技術采用了以下技術措施：一種改善二次雷達脈沖信號上升和下降沿的裝置，包括PIN開關單元和功率放大器單元，所述PIN開關單元的信號輸入端、控制端分別連接射頻輸入信號、TTL控制信號，所述PIN開關單元的信號輸出端連接功率放大器單元的信號輸入端，所述功率放大器單元的信號輸出端輸出射頻輸出信號。本技術還可以通過以下技術措施進一步實現。優選的，所述PIN開關單元包括PIN二極管，所述PIN二極管的正極端
連接第十四電容、第一電感的一端，所述第十四電容的另一端連接射頻輸入信號，第一電感的另一端連接第十五電容、第十六電容的一端、以及TTL控制信號，所述第十五電容、第十六電容的另一端均接地，所述PIN二極管的負極端連接第二電感的一端、功率放大器單元的信號輸入端，所述第二電感的另一端接地。優選的，所述功率放大器單元包括功率晶體管，所述功率晶體管的柵極連接第一電容、第一電阻、第四電容、第五電容的一端，所述第一電容的另一端連接PIN二極管的負極端以及第二電感的一端，所述第一電阻的另一端、以及第二電容、第三電容的一端均連接所述功率晶體管的柵極輸入電壓，所述第二電容、第三電容、第四電容、第五電容的另一端均接地，所述功率晶體管的漏極連接第六電容、第七電容、第八電容、第九電容、第十電容、第十一電容、第十二電容、第十三電容的一端、以及漏極供電電源，所述第七電容、第八電容、第九電容、第十電容、第十一電容、第十二電容、第十三電容的另一端均接地，所述第六電容的另一端輸出射頻輸出信號。進一步的，所述PIN二極管的型號為美國M/A-COM公司生產的MADP-042405-13060。進一步的，所述功率晶體管為500W的LDMOS RF功率晶體管。本技術的有益效果在于：1)、本技術包括PIN開關單元和功率放大器單元，所述PIN開關單元的信號輸入端、控制端分別連接射頻輸入信號、TTL控制信號，所述PIN開關單元的信號輸出端連接功率放大器單元的信號輸入端，所述功率放大器單元的信號輸出端輸出射頻輸出信號。通過TTL控制信號來控制PIN開關單元的導通和截止，不僅改善了二次雷達脈沖信號的上升和下降沿，使上升沿和下降沿滿足50ns～100ns的指標要求，而且本技術具備結構簡單、使用方便、成本低廉的特點。值得特別指出的是：本技術只保護由上述物理部件以及連接各個物理部件之間的線路所構成的裝置或者物理平臺，而不涉及其中的軟件部分。2)、本技術中的PIN二極管的型號為美國M/A-COM公司生產的
MADP-042405-13060，所述功率晶體管為500W的LDMOS RF功率晶體管。本技術通過以上元器件互相配合使用，實現了本技術的最優設計，使得最終輸出的射頻輸出信號的各個指標達到最優值。附圖說明圖1為本技術的原理框圖；圖2為本技術的TTL控制信號與射頻輸入信號和射頻輸出信號的相對位置圖；圖3為本技術的PIN開關單元的原理圖；圖4為本技術的功率放大器單元的原理圖。圖中標記符號的含義如下：10—PIN開關單元 20—功率放大器單元30—IRIG-B碼接收模塊 C1～C16—第一電容～第十六電容L1～L2—第一電感～第二電感 V1—功率晶體管V2—PIN二極管具體實施方式下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。如圖1所示，一種改善二次雷達脈沖信號上升和下降沿的裝置，包括PIN開關單元10和功率放大器單元20，所述PIN開關單元10的信號輸入端、控制端分別連接射頻輸入信號、TTL控制信號，所述PIN開關單元10的信號輸出端連接功率放大器單元20的信號輸入端，所述功率放大器單元20的信號輸出端輸出射頻輸出信號。如圖3所示，所述PIN開關單元10包括PIN二極管V2，所述PIN二極管V2的正極端連接第十四電容C14、第一電感L1的一端，所述第十四電容C14的另一端連接射頻輸入信號，第一電感L1的另一端連接第十五電容C15、
第十六電容C16的一端、以及TTL控制信號，所述第十五電容C15、第十六電容C16的另一端均接地，所述PIN二極管V2的負極端連接第二電感L2的一端、功率放大器單元20的信號輸入端，所述第二電感L2的另一端接地。如圖4所示，所述功率放大器單元20包括功率晶體管V1，所述功率晶體管V1的柵極連接第一電容C1、第一電阻R1、第四電容C4、第五電容C5的一端，所述第一電容C1的另一端連接PIN二極管V2的負極端以及第二電感L2的一端，所述第一電阻R1的另一端、以及第二電容C2、第三電容C3的一端均連接所述功率晶體管V1的柵極輸入電壓，所述第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5的另一端均接地，所述功率晶體管V1的漏極連接第六電容C6、第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容C10、第十一電容C11、第十二電容C12、第十三電容C13的一端、以及漏極供電電源，所述第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容C10、第十一電容C11、第十二電容C12、第十三電容C13的另一端均接地，所述第六電容C6的另一端輸出射頻輸出信號。所述PIN二極管V2的型號為美國M/A-COM公司生產的MADP-042405-13060。所述PIN二極管V2的工作原理：PIN二極管V2的中間層是接近本征的I層，兩邊是重摻雜的P+和N+層。在零偏或反向偏壓下，I層中幾乎沒有載流子，I層近似為一個固定的小電容，阻抗很高，近似開路，當PIN二極管V2上加射頻輸入信號時，通過PIN二極管V2的射頻輸入信號的電流非常小；當PIN二極管V2上加正向偏壓時，PIN二極管V2的載流子向I層注入，隨著載流子向I層中注入，I層中載本文檔來自技高網...

【技術保護點】
改善二次雷達脈沖信號上升和下降沿的裝置，其特征在于：包括PIN開關單元(10)和功率放大器單元(20)，所述PIN開關單元(10)的信號輸入端、控制端分別連接射頻輸入信號、TTL控制信號，所述PIN開關單元(10)的信號輸出端連接功率放大器單元(20)的信號輸入端，所述功率放大器單元(20)的信號輸出端輸出射頻輸出信號。

【技術特征摘要】
1.改善二次雷達脈沖信號上升和下降沿的裝置，其特征在于：包括PIN開關單元(10)和功率放大器單元(20)，所述PIN開關單元(10)的信號輸入端、控制端分別連接射頻輸入信號、TTL控制信號，所述PIN開關單元(10)的信號輸出端連接功率放大器單元(20)的信號輸入端，所述功率放大器單元(20)的信號輸出端輸出射頻輸出信號。2.如權利要求1所述的改善二次雷達脈沖信號上升和下降沿的裝置，其特征在于：所述PIN開關單元(10)包括PIN二極管(V2)，所述PIN二極管(V2)的正極端連接第十四電容(C14)、第一電感(L1)的一端，所述第十四電容(C14)的另一端連接射頻輸入信號，第一電感(L1)的另一端連接第十五電容(C15)、第十六電容(C16)的一端、以及TTL控制信號，所述第十五電容(C15)、第十六電容(C16)的另一端均接地，所述PIN二極管(V2)的負極端連接第二電感(L2)的一端、功率放大器單元(20)的信號輸入端，所述第二電感(L2)的另一端接地。3.如權利要求2所述的改善二次雷達脈沖信號上升和下降沿的裝置，其特征在于：所述功率放大器單元(20)包括功率晶體管(V1)，所述功率晶體管(V1)的柵極連接第一電容(C1)、第一電阻(R1)、第四...

【專利技術屬性】
技術研發人員：于龍，孟歡，范青，甘成才，劉磊承，
申請(專利權)人：安徽四創電子股份有限公司，
類型：新型
國別省市：安徽;34