一種低壓設(shè)備多路大功率供電方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)特別涉及一種低壓設(shè)備多路大功率供電方法。該低壓設(shè)備多路大功率供電方法，采用多路外部電源VCC為多路供電電路供電，每一路供電電路包括兩個(gè)MOS管和MOS管驅(qū)動(dòng)電路，通過MOS管驅(qū)動(dòng)電路來驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOS管，各路供電電路通過兩個(gè)MOS管源極對(duì)接的方式來控制電源的接通，并防止電流倒灌引發(fā)的各路供電電路相互干擾。該低壓設(shè)備多路大功率供電方法，電路結(jié)構(gòu)簡單，提供多路電源輸入接口，不僅可以掛接大負(fù)載設(shè)備，還可以防止電流反灌，適用于低壓、多級(jí)互連設(shè)備，具有成本低廉，響應(yīng)速度快，穩(wěn)定可靠的特點(diǎn)，適宜推廣應(yīng)用。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及低壓設(shè)備供電電路設(shè)計(jì)
，特別涉及一種低壓設(shè)備多路大功率供電方法。
技術(shù)介紹
低壓設(shè)備是電子、計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的重要組成部分，它能否正常的運(yùn)轉(zhuǎn)直接關(guān)系著電子產(chǎn)品能否正常平穩(wěn)、安全的運(yùn)行。然而多路低壓設(shè)備會(huì)造成電流負(fù)載大，設(shè)備發(fā)熱，造成資源損失。為了滿足多路低壓設(shè)備的用電需求，電子產(chǎn)品就必須采用冗余功能的電源系統(tǒng)，且要求電源輸出電流較大。正常工作時(shí)，所有電源板塊共同供電，然而當(dāng)其中一塊或幾塊電源板塊出現(xiàn)故障時(shí)，剩余的電源板塊就承擔(dān)所有的用電負(fù)載。為了避免在此時(shí)發(fā)生電流倒灌，就需要每個(gè)電源板塊的輸出端都設(shè)置有防倒灌電路。為了滿足多路低壓設(shè)備的電流負(fù)載，避免設(shè)備發(fā)熱，防止電流倒灌，現(xiàn)有的低壓設(shè)備供電系統(tǒng)的外圍電路不僅設(shè)計(jì)復(fù)雜，還存在穩(wěn)定度低等缺點(diǎn)。針對(duì)上述問題，本專利技術(shù)設(shè)計(jì)了一種低壓設(shè)備多路大功率供電方法。旨在解決多路低壓設(shè)備供電需求，外圍電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，響應(yīng)速度慢，穩(wěn)定度低的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)為了彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種簡單高效的低壓設(shè)備多路大功率供電方法。本專利技術(shù)是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：一種低壓設(shè)備多路大功率供電方法，其特征在于：供電系統(tǒng)采用多路外部電源VCC為多路供電電路供電，每一路供電電路分別接入一路外部電源VCC，每一路供電電路包括兩個(gè)MOS管和MOS管驅(qū)動(dòng)電路，通過MOS管驅(qū)動(dòng)電路來驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOS管，各路供電電路通過MOS管控制電源的接通；兩個(gè)MOS管分別為MOS管1和MOS管2，MOS管1的一端連接至外部電源VCC，MOS管2的一端連接至電源輸出端VCC-AUX，采用MOS管1和MOS管2的源極對(duì)接的方式來控制電源的接通，并防止電流倒灌引發(fā)的各路供電電路相互干擾。所述MOS管驅(qū)動(dòng)電路包括控制芯片MCU和泵升電路，MOS管驅(qū)動(dòng)電壓由泵升電路提供，各路供電電路的MOS管驅(qū)動(dòng)電路均接入控制芯片MCU，并由控制芯片MCU控制各路泵升電路；各路泵升電路分別接各路供電電路的MOS管1和MOS管2的源極節(jié)點(diǎn)處，控制兩個(gè)MOS管的開關(guān)，并為兩個(gè)MOS管提供較大的開啟電壓，以便MOS管1和MOS管2流經(jīng)較大的負(fù)載電流。所述泵升電路包括電壓VCC-STBY和4個(gè)相互串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管，分別為ZD1，ZD2，ZD3和ZD4，穩(wěn)壓二極管ZD1，ZD2，ZD3和ZD4依次同向串聯(lián)，串聯(lián)后的穩(wěn)壓二極管ZD1陽極接入電壓VCC-STBY，穩(wěn)壓二極管ZD4陰極接MOS管1和MOS管2的源極節(jié)點(diǎn)處；控制芯片MCU通過電容C1和C2分別接各路泵升電路中穩(wěn)壓二極管ZD1和ZD3的陰極，所述泵升電路中穩(wěn)壓二極管ZD2和ZD4的陰極分別接電容C3和C4后接地；所述控制芯片MCU通過控制脈沖的輸出，選擇控制各路供電電路；當(dāng)控制芯片MCU向一路泵升電路輸出固定頻率256KHz的脈沖時(shí)，將電壓VCC-STBY泵升至數(shù)倍，驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)供電電路的MOS管1和MOS管2工作；當(dāng)控制芯片MCU無脈沖輸出時(shí)，對(duì)應(yīng)供電電路的MOS管1和MOS管2關(guān)閉。所述MOS管1和MOS管2均為N型MOS管。本專利技術(shù)的有益效果是：該低壓設(shè)備多路大功率供電方法，電路結(jié)構(gòu)簡單，提供多路電源輸入接口，不僅可以掛接大負(fù)載設(shè)備，還可以防止電流反灌，適用于低壓、多級(jí)互連設(shè)備，具有成本低廉，響應(yīng)速度快，穩(wěn)定可靠的特點(diǎn)，適宜推廣應(yīng)用。附圖說明附圖1為本專利技術(shù)低壓設(shè)備兩路大功率供電方法示意圖。具體實(shí)施方式為了使本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，下面以兩路供電電路為例，對(duì)本專利技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的說明。應(yīng)當(dāng)說明的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本專利技術(shù)，并不用于限定本專利技術(shù)。該低壓設(shè)備多路大功率供電方法，供電系統(tǒng)采用兩路外部電源VCC1和VCC2為兩路供電電路供電，每一路供電電路分別接入一路外部電源VCC，每一路供電電路包括兩個(gè)MOS管和MOS管驅(qū)動(dòng)電路，通過MOS管驅(qū)動(dòng)電路來驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOS管，各路供電電路通過MOS管控制電源的接通；兩個(gè)MOS管分別為MOS管1和MOS管2，MOS管1的一端連接至外部電源VCC，MOS管2的一端連接至電源輸出端VCC-AUX，采用MOS管1和MOS管2的源極對(duì)接的方式來控制電源的接通，并防止電流倒灌引發(fā)的各路供電電路相互干擾。所述MOS管驅(qū)動(dòng)電路包括控制芯片MCU和泵升電路，MOS管驅(qū)動(dòng)電壓由泵升電路提供，各路供電電路的MOS管驅(qū)動(dòng)電路均接入控制芯片MCU，并由控制芯片MCU控制各路泵升電路；各路泵升電路分別接各路供電電路的MOS管1和MOS管2的源極節(jié)點(diǎn)處，控制兩個(gè)MOS管的開關(guān)，并為兩個(gè)MOS管提供較大的開啟電壓，以便MOS管1和MOS管2流經(jīng)較大的負(fù)載電流。所述泵升電路包括電壓VCC-STBY和4個(gè)相互串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管，分別為ZD1，ZD2，ZD3和ZD4，穩(wěn)壓二極管ZD1，ZD2，ZD3和ZD4依次同向串聯(lián)，串聯(lián)后的穩(wěn)壓二極管ZD1陽極接入電壓VCC-STBY，穩(wěn)壓二極管ZD4陰極接MOS管1和MOS管2的源極節(jié)點(diǎn)處；控制芯片MCU通過電容C1和C2分別接各路泵升電路中穩(wěn)壓二極管ZD1和ZD3的陰極，所述泵升電路中穩(wěn)壓二極管ZD2和ZD4的陰極分別接電容C3和C4后接地；所述控制芯片MCU通過控制脈沖的輸出，選擇控制各路供電電路；當(dāng)控制芯片MCU向一路泵升電路輸出固定頻率256KHz的脈沖時(shí)，將電壓VCC-STBY泵升至數(shù)倍，驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)供電電路的MOS管1和MOS管2工作；當(dāng)控制芯片MCU無脈沖輸出時(shí)，對(duì)應(yīng)供電電路的MOS管1和MOS管2關(guān)閉。所述MOS管1和MOS管2均為N型MOS管。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種低壓設(shè)備多路大功率供電方法，其特征在于：供電系統(tǒng)采用多路外部電源VCC為多路供電電路供電，每一路供電電路分別接入一路外部電源VCC，每一路供電電路包括兩個(gè)MOS管和MOS管驅(qū)動(dòng)電路，通過MOS管驅(qū)動(dòng)電路來驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOS管，各路供電電路通過MOS管控制電源的接通；兩個(gè)MOS管分別為MOS管1和MOS管2，MOS管1的一端連接至外部電源VCC，MOS管2的一端連接至電源輸出端VCC?AUX，采用MOS管1和MOS管2的源極對(duì)接的方式來控制電源的接通，并防止電流倒灌引發(fā)的各路供電電路相互干擾。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種低壓設(shè)備多路大功率供電方法，其特征在于：供電系統(tǒng)采用多路外部電源VCC為多路供電電路供電，每一路供電電路分別接入一路外部電源VCC，每一路供電電路包括兩個(gè)MOS管和MOS管驅(qū)動(dòng)電路，通過MOS管驅(qū)動(dòng)電路來驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOS管，各路供電電路通過MOS管控制電源的接通；兩個(gè)MOS管分別為MOS管1和MOS管2，MOS管1的一端連接至外部電源VCC，MOS管2的一端連接至電源輸出端VCC-AUX，采用MOS管1和MOS管2的源極對(duì)接的方式來控制電源的接通，并防止電流倒灌引發(fā)的各路供電電路相互干擾。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓設(shè)備多路大功率供電方法，其特征在于：所述MOS管驅(qū)動(dòng)電路包括控制芯片MCU和泵升電路，MOS管驅(qū)動(dòng)電壓由泵升電路提供，各路供電電路的MOS管驅(qū)動(dòng)電路均接入控制芯片MCU，并由控制芯片MCU控制各路泵升電路；各路泵升電路分別接各路供電電路的MOS管1和MOS管2的源極節(jié)點(diǎn)處，控制兩個(gè)MOS管的開關(guān)，并為兩個(gè)MOS管提供較大的開啟電壓，以便MOS管1和MOS管2流經(jīng)較...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：袁啟孟，耿士華，吳之光，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：山東超越數(shù)控電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：山東;37