【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過(guò)電壓保護(hù)
，尤其涉及一種可控硅整流勵(lì)磁系統(tǒng)的過(guò)電壓保護(hù)裝置。
技術(shù)介紹
發(fā)電機(jī)組的內(nèi)部或發(fā)電機(jī)出口端發(fā)生故障以及正常停機(jī)時(shí)都要快速切斷勵(lì)磁電源，由于轉(zhuǎn)子繞組是個(gè)儲(chǔ)能的大電感，因此勵(lì)磁電流突變勢(shì)必在轉(zhuǎn)子繞組兩端引起相當(dāng)大的暫態(tài)過(guò)電壓，造成轉(zhuǎn)子絕緣擊穿，所以必須盡快對(duì)轉(zhuǎn)子電感進(jìn)行滅磁，對(duì)于可控硅整流勵(lì)磁系統(tǒng)，因發(fā)電機(jī)斷路的非全相或非同期合閘等原因會(huì)使發(fā)電機(jī)非全相運(yùn)行或大滑差異不運(yùn)行，在這兩種運(yùn)行狀況下，轉(zhuǎn)子繞組中將產(chǎn)生劇烈的過(guò)電壓，由于此時(shí)電網(wǎng)和勵(lì)磁電源的能量均能傳到轉(zhuǎn)子繞組中，能量運(yùn)超過(guò)滅磁裝置的滅磁能量，當(dāng)滅磁裝置中的熔斷器全部熔斷時(shí)，轉(zhuǎn)子繞組開(kāi)路，此時(shí)轉(zhuǎn)子繞組相當(dāng)于恒流源，產(chǎn)生的過(guò)電壓將會(huì)擊穿轉(zhuǎn)子繞組的絕緣，造成機(jī)組設(shè)備的損壞。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是提供一種發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過(guò)電壓保護(hù)裝置，它不但滅磁能力強(qiáng)，滅磁速度快，而且過(guò)電業(yè)保護(hù)動(dòng)作快，可避免轉(zhuǎn)子繞組開(kāi)路，有效的放置繞組絕緣擊穿事故飛發(fā)生。為了解決
技術(shù)介紹
中所存在的問(wèn)題，本專利技術(shù)是采用以下技術(shù)方案：它包括滅磁開(kāi)關(guān)FMK、尖峰過(guò)電壓吸收器SPA、非線性電阻FR、可控制硅觸發(fā)器CF、可控硅KPT、二極管D、電流互感器CT、線性電阻R1和R2，所述的滅磁開(kāi)關(guān)FMK一端與尖峰過(guò)電壓吸收器SPA一端連接后接整流電源，另一端分別接線性電阻R1一端、線性電阻R2一端和非線性電阻FR一端線性電阻R1另一端與非線性電阻FR另一端并聯(lián)后接二極管D一端和可控硅KPT一端，線性電阻R2另一端接可控硅觸發(fā)器CF，可控硅觸發(fā)器CF在分別接客控硅KPT另一端。二極管D另一端及電流互...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過(guò)電壓保護(hù)裝置，其特征在于：它包括它包括滅磁開(kāi)關(guān)（FMK）、尖峰過(guò)電壓吸收器（SPA）、非線性電阻（FR）、可控制硅觸發(fā)器（CF）、可控硅KPT、二極管（D）、電流互感器（CT）、線性電阻（R1）和（R2），所述的滅磁開(kāi)關(guān)（FMK）一端與尖峰過(guò)電壓吸收器（SPA）一端連接后接整流電源，另一端分別接線性電阻（R1）一端、線性電阻（R2）一端和非線性電阻（FR）一端線性電阻（R1）另一端與非線性電阻（FR）另一端并聯(lián)后接二極管（D）一端和可控硅（KPT）一端，線性電阻（R2）另一端接可控硅觸發(fā)器（CF），可控硅觸發(fā)器（CF）在分別接客控硅（KPT）另一端。
【技術(shù)特征摘要】
1.發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過(guò)電壓保護(hù)裝置，其特征在于：它包括它包括滅磁開(kāi)關(guān)（FMK）、尖峰過(guò)電壓吸收器（SPA）、非線性電阻（FR）、可控制硅觸發(fā)器（CF）、可控硅KPT、二極管（D）、電流互感器（CT）、線性電阻（R1）和（R2），所述的滅磁開(kāi)關(guān)（FMK）一端與尖峰過(guò)電壓吸收器（SPA）一端連接后接整流電源，另一端分別接線性電阻（R1）一端、線性電阻（R2...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李陽(yáng)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：合肥仁德電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：安徽;34
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。