LED封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法技術(shù)

一種LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其步驟包括：提供基座；設(shè)置LED芯片于基座上；以金屬導(dǎo)線電性連接基座與LED芯片的芯片電極，上述金屬導(dǎo)線包含有頂點，且頂點相對于LED芯片的頂面的距離定義為線弧高度；以第一螢光粉貼片的半固化狀態(tài)的樹脂來貼合在LED芯片，第一螢光粉貼片包覆于LED芯片的頂面、環(huán)側(cè)面及芯片電極，第一螢光粉貼片的厚度小于金屬導(dǎo)線的線弧高度，且金屬導(dǎo)線的頂點裸露在第一螢光粉貼片外；設(shè)置封裝膠于基座內(nèi)，以包覆LED芯片、金屬導(dǎo)線、及第一螢光粉貼片。此外，本發(fā)明專利技術(shù)另提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)，且特別涉及一種使用螢光粉貼片的LED封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
技術(shù)介紹
目前應(yīng)用在需要打線的LED芯片的螢光粉涂布技術(shù)大致分為：點膠(dispensing)及噴涂(spray coating)。其中，以點膠方式制成的LED封裝結(jié)構(gòu)大都會產(chǎn)生螢光粉沉淀而造成CIE座標(biāo)分布不佳的問題；而以噴涂方式制成的LED封裝結(jié)構(gòu)則會使部分螢光粉涂布在無須設(shè)有螢光粉的部位(如：LED封裝結(jié)構(gòu)的基座內(nèi)表面與金屬導(dǎo)線布滿螢光粉)，進(jìn)而造成螢光粉利用率低的問題，且于噴涂時需使用較不環(huán)保的甲苯溶劑。于是，本專利技術(shù)人有感上述缺失的可改善，乃特潛心研究并配合學(xué)理的運(yùn)用，終于提出一種設(shè)計合理且有效改善上述缺失的本專利技術(shù)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)實施例在于提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，其使用螢光粉貼片于打線形式的LED芯片上，能有效地解決常用螢光粉沉淀、螢光粉利用率低以及使用甲苯溶劑所產(chǎn)生的問題。本專利技術(shù)實施例提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其步驟包括：一種LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其步驟包括：提供一基座；設(shè)置一LED芯片于該基座上，且該LED芯片的頂面具有至少一芯片電極；以至少一金屬導(dǎo)線電性連接該基座與該LED芯片上的該至少一芯片電極，其中，該至少一金屬導(dǎo)線包含有一頂點，該頂點相對于該LED芯片的一頂面的距離定義為一線弧高度；提供一第一螢光粉貼片，其由一第一螢光粉和一半固化狀態(tài)(B-stage)的樹脂混合而成；以該第一螢光粉貼片的樹脂來貼合在該LED芯片，其中，該第一螢光粉貼片包覆于該LED芯片的頂面、環(huán)側(cè)面及該至少一芯
片電極，該第一螢光粉貼片的厚度小于該線弧高度，并且該至少一金屬導(dǎo)線的頂點裸露在該第一螢光粉貼片外；以及設(shè)置一封裝膠于該基座內(nèi)，以包覆該LED芯片、該至少一金屬導(dǎo)線及該第一螢光粉貼片。本專利技術(shù)實施例另提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其包括：一基座；一LED芯片，具有一頂面、一底面、及位于該頂面與該底面之間的一環(huán)側(cè)面，該LED芯片的底面設(shè)置于該基座上，而該LED芯片的頂面設(shè)有至少一芯片電極；至少一金屬導(dǎo)線，具有一頂點，該至少一金屬導(dǎo)線的兩端分別電性連接于該至少一芯片電極與該基座，并且該頂點與該LED芯片的頂面的距離定義為一線弧高度；一第一螢光粉貼片，由一螢光粉和一半固化狀態(tài)(B-stage)的樹脂混合而成，該樹脂具有黏著性，該第一螢光粉貼片通過該樹脂以貼合在該LED芯片上，該第一螢光粉貼片包覆于該LED芯片的頂面、環(huán)側(cè)面及芯片電極，并且該第一螢光粉貼片的厚度小于該線弧高度，該至少一金屬導(dǎo)線的該頂點裸露在該第一螢光粉貼片外；以及一封裝膠，設(shè)置于該基座內(nèi)，以包覆該LED芯片、該至少一金屬導(dǎo)線及該第一螢光粉貼片。綜上所述，本專利技術(shù)的LED芯片的外表面與芯片電極皆被螢光粉貼片所覆蓋，因而不會漏光，以避免造成LED封裝結(jié)構(gòu)色均勻性不佳。為使能更進(jìn)一步了解本專利技術(shù)的特征及
技術(shù)實現(xiàn)思路
，請參閱以下有關(guān)本專利技術(shù)的詳細(xì)說明與附圖，但是此等說明與所附附圖僅用來說明本專利技術(shù)，而非對本專利技術(shù)的權(quán)利范圍作任何的限制。附圖說明圖1A與圖1B為本專利技術(shù)LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S110示意圖。圖2為本專利技術(shù)LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S120示意圖。圖3A至圖3C為本專利技術(shù)LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S130示意圖。圖4A和圖4B為本專利技術(shù)LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S140示意圖。圖5A和圖5B為本專利技術(shù)LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S150示意圖。圖5C為采用較軟的第一螢光粉貼片時的示意圖。圖6A和圖6B為本專利技術(shù)LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S160示意圖。圖6C為圖6A的分解示意圖(省略封裝膠)。圖7A為本專利技術(shù)LED封裝結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)線為反打時的示意圖。圖7B為本專利技術(shù)LED封裝結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)線為另一打線型式(square loop)時的示意圖。圖8為本專利技術(shù)LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S230示意圖。圖9為本專利技術(shù)LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S240示意圖。圖10A為本專利技術(shù)LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S250示意圖。圖10B為采用較軟的第一與第二螢光粉貼片時的示意圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下：100LED封裝結(jié)構(gòu)1基座11反射殼體12a、12b導(dǎo)電架13容置空間2LED芯片21頂面22底面23環(huán)側(cè)面24芯片電極3金屬導(dǎo)線31頂點4膠材5第一螢光粉貼片51貼合部52翹曲部6第二螢光粉貼片61貼合部62翹曲部7封裝膠T1第一螢光粉貼片的厚度T2第一螢光粉貼片與第二螢光粉貼片的總厚度H線弧高度具體實施方式[第一實施例]請參閱圖1A至圖7B，其為本專利技術(shù)的第一實施例，需先說明的是，本實施例對應(yīng)附圖所提及的相關(guān)數(shù)量與外型，僅用以具體地說明本專利技術(shù)的實施方式，以便于了解其內(nèi)容，而非用以局限本專利技術(shù)的權(quán)利范圍。本實施例提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，主要包括步驟S110至步驟S160，為便于說明，以下將依循各步驟所對應(yīng)的示意圖作一介紹。步驟S110：如圖1A和圖1B所示，提供一基座1；其中，上述基座1的外型于本實施例的附圖中是以碗狀構(gòu)造為例，亦即，基座1具有一反射殼體11及部分埋設(shè)于反射殼體11內(nèi)且為間隔設(shè)置的兩導(dǎo)電架12a、12b，并且上述兩導(dǎo)電架12a、12b為尺寸相異的兩板體，所述反射殼體11與兩導(dǎo)電架12a、12b包圍界定有一容置空間13，而上述兩導(dǎo)電架12a、12b各有部分為上述容置空間13的底部，其中該兩導(dǎo)電架12a、12b為四方無引腳(QFN，Quad flat no lead)形式的導(dǎo)電架，尺寸較大的導(dǎo)電架12a所占容置空間13底部的比例大于50％，該兩導(dǎo)電架12a、12b各有兩個貫穿孔，讓反射殼體11可穩(wěn)固的設(shè)置在兩導(dǎo)電架12a、12b上，但本實施例的基座1并不以附圖所呈現(xiàn)的構(gòu)造為限。接著，設(shè)置至少一LED芯片2于上述基座1上；其中，所述LED芯片2包含有一頂面21、一底面22、及位于上述頂面21與底面之間的一環(huán)側(cè)面23。此實施例采用的是水平式的LED芯片2，因此上述LED芯片2的頂面21設(shè)有間隔設(shè)置的兩芯片電極24，而LED芯片2的底面22則固定于上述基座1的其中一導(dǎo)電架12a上且位于容置空間13內(nèi)。其后，以兩金屬導(dǎo)線3電性連接基座1的兩導(dǎo)電架12a、12b以及LED芯片2的兩芯片電極24；其中，所述兩金屬導(dǎo)線3的一端分別連接于上述LED芯片2的兩芯片電極24，而兩金屬導(dǎo)線3的另一端則分別連接于基座1的兩導(dǎo)電架12a、12b上，以使LED芯片2能經(jīng)由上述兩金屬導(dǎo)線3而電性連接于基座1的兩導(dǎo)電架12a、12b。再者，每一金屬導(dǎo)線3大致呈拋物線狀，并且任一金屬導(dǎo)線3的拋物線彎曲處具有一頂點31。每個頂點31相對于容置空間13底部的距離大于LED
芯片2頂面21相對于容置空間13底部的距離(即LED芯片2的厚度)，并且每個頂點31相對于LED芯片2頂面21的距離定義為一線弧高度H(loop height)。本實施例中線弧高度H大于6密耳(mil)。此外，本實施例中的LED芯片2是以水平式芯片為例，但不排除使用垂直式芯片。具體而言，當(dāng)使用垂直式的LED芯片(圖略)時，LED芯片的頂面與底面各設(shè)有一個芯片電極，將LED芯片設(shè)置于容置空間內(nèi)中，且LED芯片底面上的芯片電極連接于其中一導(dǎo)電架，而LED芯片頂面上的芯片電極則本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，步驟包括：提供一基座；設(shè)置一LED芯片于該基座上，且該LED芯片的頂面具有至少一芯片電極；以至少一金屬導(dǎo)線電性連接該基座與該LED芯片上的該至少一芯片電極，其中，該至少一金屬導(dǎo)線包含有一頂點，并且該至少一金屬導(dǎo)線依據(jù)該頂點定義有一線弧高度；提供一第一螢光粉貼片，其由一第一螢光粉和一半固化狀態(tài)(B?stage)的樹脂混合而成，該樹脂具有黏著性；以該第一螢光粉貼片的該樹脂來貼合在該LED芯片，其中，該第一螢光粉貼片包覆于該LED芯片的頂面、環(huán)側(cè)面及該至少一芯片電極，該第一螢光粉貼片的厚度小于該線弧高度，并且該至少一金屬導(dǎo)線的頂點裸露在該第一螢光粉貼片外；以及設(shè)置一封裝膠于該基座內(nèi)，以包覆該LED芯片、該至少一金屬導(dǎo)線及該第一螢光粉貼片。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，步驟包括：提供一基座；設(shè)置一LED芯片于該基座上，且該LED芯片的頂面具有至少一芯片電極；以至少一金屬導(dǎo)線電性連接該基座與該LED芯片上的該至少一芯片電極，其中，該至少一金屬導(dǎo)線包含有一頂點，并且該至少一金屬導(dǎo)線依據(jù)該頂點定義有一線弧高度；提供一第一螢光粉貼片，其由一第一螢光粉和一半固化狀態(tài)(B-stage)的樹脂混合而成，該樹脂具有黏著性；以該第一螢光粉貼片的該樹脂來貼合在該LED芯片，其中，該第一螢光粉貼片包覆于該LED芯片的頂面、環(huán)側(cè)面及該至少一芯片電極，該第一螢光粉貼片的厚度小于該線弧高度，并且該至少一金屬導(dǎo)線的頂點裸露在該第一螢光粉貼片外；以及設(shè)置一封裝膠于該基座內(nèi)，以包覆該LED芯片、該至少一金屬導(dǎo)線及該第一螢光粉貼片。2.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，在以該第一螢光粉貼片的該樹脂來貼合在該LED芯片的步驟之中，進(jìn)一步包含：施壓于該第一螢光粉貼片，使該第一螢光粉貼片呈一折彎狀態(tài)，該折彎狀態(tài)為該第一螢光粉貼片受壓迫的部位貼合于該LED芯片，以令部分的該第一螢光粉貼片壓抵于該兩金屬導(dǎo)線而產(chǎn)生彎折。3.如權(quán)利要求2所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，在以該第一螢光粉貼片的該樹脂來貼合在該LED芯片的步驟之后，實施一烘烤步驟，對該第一螢光粉貼片進(jìn)行加熱烘烤，使呈該折彎狀態(tài)的該第一螢光粉貼片軟化以覆蓋該LED芯片的頂面、環(huán)側(cè)面及該至少一芯片電極。4.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，在以該第一螢光粉貼片的該樹脂來貼合在該LED芯片的步驟之后，實施一烘烤步驟，對該第一螢光粉貼片進(jìn)行加熱烘烤，使該第一螢光粉貼片軟化以覆蓋該LED芯片的頂面、環(huán)側(cè)面、該至少一芯片電極及該LED芯片底部周圍的該基座
\t部位。5.如權(quán)利要求2所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，在進(jìn)行施壓于該第一螢光粉貼片的步驟之前，先將一膠材設(shè)在該LED芯片上，通過該膠材貼合該第一螢光粉貼片于該LED芯片上。6.如權(quán)利要求2所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，在進(jìn)行施壓于該第一螢光粉貼片的步驟之前，先設(shè)置該第一螢光粉貼片于該至少一金屬導(dǎo)線上，并且使該LED芯片完全位于該第一螢光粉貼片朝該基座正投影的區(qū)域內(nèi)。7.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，該第一螢光粉貼片對應(yīng)于該至少一芯片電極的位置未形成有任何開孔。8.如權(quán)...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳志源，李天佑，
申請(專利權(quán))人：光寶光電常州有限公司，光寶科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：江蘇;32