紅外加熱裝置和電加熱器具制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種紅外加熱裝置和電加熱器具，該紅外加熱裝置包括：絕緣載體、兩電極和紅外發(fā)熱膜層，兩電極均沿絕緣載體的徑向設(shè)置；紅外發(fā)熱膜層附設(shè)在絕緣載體上，并沿絕緣載體的周向設(shè)置，紅外發(fā)熱膜層與兩電極相接觸，且紅外發(fā)熱膜層在靠近絕緣載體的中心處的厚度小于靠近邊緣處的厚度，使沿絕緣載體的徑向，每單位長度上，紅外發(fā)熱膜層的縱切面的截面積與該單位長度處紅外發(fā)熱膜層的長度的比值保持不變。通過上述技術(shù)方案，保證了兩電極間的紅外發(fā)熱膜層的電阻率一致，進而保證紅外加熱裝置各處的加熱功率一致。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及家電領(lǐng)域，更具體而言，涉及一種紅外加熱裝置和一種電加熱器具。
技術(shù)介紹
當前熟知的噴涂技術(shù)是在規(guī)整的四方形加熱載體平面上，做平行電極，從而保證平行電極間的導電區(qū)域的電阻率一致，進而保證發(fā)熱功率一致。但是實際使用中，四方形的加熱載體有時不能滿足使用條件的要求，因此需要非規(guī)整四方平面(如：異形)的紅外加熱盤來滿足使用條件。但是，以圓盤狀加熱盤為例，圓心和靠近外側(cè)的電阻率不一致，會導致電流從靠近圓心的最短路徑經(jīng)過，使發(fā)熱盤盤心的溫度會遠高于盤邊溫度，導致加熱不均勻，以及其他問題的產(chǎn)生。因此，如何保證非規(guī)整四方平面的紅外加熱盤中平行電極間的導電區(qū)域電阻率一致，進而保證發(fā)熱功率一致成為亟待解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本專利技術(shù)一個方面的目的在于，提供一種可以保證發(fā)熱功率一致的紅外加熱裝置。本專利技術(shù)另一個方面的目的在于，提供一種包括上述紅外加熱裝置的電加熱器具。為實現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)一個方面的實施例提供了一種紅外加熱裝置，包括：絕緣載體，所述絕緣載體具有中心孔；兩電極，均沿所述絕緣載體的徑向設(shè)置；和紅外發(fā)熱膜層，附設(shè)在所述絕緣載體上，并沿所述絕緣載體的周向設(shè)置，所述紅外發(fā)熱膜層與兩所述電極相接觸，且所述紅外發(fā)熱膜層在靠
近所述絕緣載體的中心處的厚度小于靠近邊緣處的厚度，使沿所述絕緣載體的徑向，每單位長度上，所述紅外發(fā)熱膜層的縱切面的截面積與該單位長度處所述紅外發(fā)熱膜層的長度(紅外發(fā)熱膜層的長度為沿絕緣載體周向方向的長度)的比值保持不變。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例的紅外加熱裝置，包括絕緣載體、兩個電極和紅外發(fā)熱膜層，其中電極由絕緣載體中心延伸至絕緣載體邊緣，沿絕緣載體的徑向設(shè)置在絕緣載體上，紅外加熱膜層與兩個電極連接，這樣兩電極接通電源后，電流在紅外加熱膜層中流通，紅外加熱膜層發(fā)熱，并輻射紅外線，對被加熱體進行加熱。紅外發(fā)熱膜層在靠近所述絕緣載體的中心處的厚度小于靠近邊緣處的厚度，根據(jù)根據(jù)R＝ρL/S的原理，靠近絕緣載體邊緣的紅外加熱膜層的長度L比靠近絕緣載體中心紅的外加熱膜層的長度長，加大靠近絕緣載體邊緣的紅外加熱膜層的厚度，也就加大靠近絕緣載體邊緣的紅外加熱膜層的縱切面的截面積S，使紅外加熱膜層的長度L與截面積S的比在靠近絕緣載體中心處與靠近絕緣載體邊緣處相等，進而保證了紅外加熱膜層的長度L與截面積S的比在各處保持相等，使紅外加熱膜層的電阻率R基本不變，本設(shè)計保證了兩電極間的紅外發(fā)熱膜層的電阻率一致，進而保證紅外發(fā)熱裝置各處的加熱功率一致。其中，紅外發(fā)熱膜層由包含二氧化錫、銻和氟氣的混合物經(jīng)噴涂法、沉積法或蒸鍍法成型在基體的表面，而后再經(jīng)退火成膜工藝處理而制成，且二氧化錫、銻和氟氣的混合物中，銻所占的質(zhì)量比為1.2～1.8％，氟氣所占的質(zhì)量比為0.1～0.3％，這樣可以提高紅外發(fā)熱膜層的光譜發(fā)射率和熱輻射效率，使其實用性更好。優(yōu)選地，混合物內(nèi)還可以包含Cr2O3、MnO2、Ni2O3，這樣可進一步提高紅外發(fā)熱膜層的光譜發(fā)射率和熱輻射效率，其熱利用率可達到96％以上，更好地實現(xiàn)了產(chǎn)品節(jié)能的目的。另外，本專利技術(shù)上述實施例提供的紅外加熱裝置還具有如下附加技術(shù)特征：根據(jù)本專利技術(shù)的一個實施例，所述紅外發(fā)熱膜層的表面為斜面。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例的紅外加熱裝置，紅外發(fā)熱膜層的表面為斜面，紅
外發(fā)熱膜層自絕緣載體的中心向絕緣載體的邊緣處紅外發(fā)熱膜層的厚度依次增加，通過這種方法加大了靠近絕緣載體邊緣的紅外加熱膜層的縱切面的截面積，使紅外加熱膜層的長度與截面積的比在靠近絕緣載體中心處與靠近絕緣載體邊緣處保持相等，進而保證了紅外加熱膜層的長度與截面積的比在各處保持相等，使紅外加熱膜層的電阻率基本不變，本設(shè)計保證了兩電極間的紅外發(fā)熱膜層的的電阻率一致，進而保證紅外發(fā)熱裝置各處的發(fā)熱功率一致。根據(jù)本專利技術(shù)的一個實施例，所述紅外發(fā)熱膜層的表面為階梯面。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例的紅外加熱裝置，紅外發(fā)熱膜層的表面為階梯面，紅外發(fā)熱膜層自絕緣載體的中心向絕緣載體的邊緣處紅外發(fā)熱膜層的厚度依次增加，通過這種方法加大了靠近絕緣載體邊緣的紅外加熱膜層的截面積，同樣有利于保證發(fā)熱功率紅外發(fā)熱裝置各處的一致。根據(jù)本專利技術(shù)的一個實施例，所述紅外發(fā)熱膜層的橫截面呈環(huán)形。根據(jù)本專利技術(shù)的一個實施例，每一所述電極的兩端均分別與所述環(huán)形的內(nèi)圈和外圈相接觸，兩所述電極的連線過所述絕緣載體的中心。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例的紅外加熱裝置，絕緣載體為圓形，紅外加熱膜層橫截面呈環(huán)形，與絕緣載體同心，兩電極的兩端均分別與所述環(huán)形的內(nèi)圈和外圈相接觸，兩所述電極的連線過所述絕緣載體的中心，使電極兩側(cè)的紅外加熱膜層的橫截面的面積相等，從而保證電極兩側(cè)的紅外加熱膜層的電阻率相等，進而保證電極兩側(cè)的紅外加熱膜層的發(fā)熱功率相等。根據(jù)本專利技術(shù)的一個實施例，所述紅外發(fā)熱膜層的橫截面呈扇環(huán)形。根據(jù)本專利技術(shù)的一個實施例，兩所述電極分別與所述扇環(huán)兩側(cè)的邊緣相接觸，且所述電極的長度等于所述扇環(huán)的大扇形與小扇形的半徑差。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例的紅外加熱裝置，紅外加熱膜層橫截面呈扇環(huán)形，電極的長度等于所述扇環(huán)的大扇形與小扇形的半徑差，兩電極中的一個與紅外加熱膜層的一側(cè)相接觸，兩電極中的另一個與紅外加熱膜層的另一側(cè)相接處，電極接通電源后，電流在紅外加熱膜層中流通，紅外加熱膜層發(fā)熱，且紅外加熱膜層各部分發(fā)熱功率相等。根據(jù)本專利技術(shù)的一個實施例，所述紅外加熱裝置為加熱盤，所述絕緣載體為盤體，且所述盤體包括上盤體和下盤體，所述下盤體位于所述上盤體的下方、
并與所述上盤體相組裝，且所述上盤體和所述下盤體上分別開設(shè)有第一中心孔和第二中心孔，所述紅外發(fā)熱膜層附設(shè)在所述上盤體的下盤面上。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例的紅外加熱裝置，紅外加熱裝置為加熱盤，分為上盤體和下盤體兩部分，紅外加熱膜層設(shè)置在上盤體的下盤面上，上盤體與下盤體組合安裝好后，紅外加熱膜層位于盤體內(nèi)部，使得紅外加熱裝置在日常使用中，紅外加熱膜層不易發(fā)生磨損，這樣的設(shè)計提高了產(chǎn)品的使用壽命。根據(jù)本專利技術(shù)的一個實施例，每一所述電極均包括：電極膜，設(shè)置在所述下盤體和所述上盤體之間，并沿所述盤體的徑向設(shè)置；和電極棒，所述下盤體上開設(shè)有安裝孔，所述電極棒的上端穿過所述安裝孔后與所述電極膜相接觸，所述電極棒的下端伸出所述下盤體。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例的紅外加熱裝置，電極膜設(shè)置在上盤體與下盤體之間，與紅外加熱膜層相接觸，下盤體與電極膜相對應的位置設(shè)置有安裝孔，電極棒穿過安裝孔與電極膜相接觸，紅外加熱裝置接通電源，電流由電極棒流入電極膜，再由電極膜流入紅外加熱膜層，紅外加熱膜層開始發(fā)熱。本專利技術(shù)的另一個方面的實施例提供了一種電加熱器具，包括以上實施例中任一項所述的紅外加熱裝置，并具有上述任一實施例所述的紅外加熱裝置的全部有益效果。本專利技術(shù)的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述部分中變得明顯，或通過本專利技術(shù)的實踐了解到。附圖說明本專利技術(shù)的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：圖1是根據(jù)本專利技術(shù)一個實施例所述的紅外加熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a是圖1的第一種結(jié)構(gòu)的剖視示意圖；圖2b是圖2a的A部結(jié)構(gòu)的放大示意圖；圖3a是圖1的第二種結(jié)構(gòu)的剖視示意圖；圖3b是圖3a的B部結(jié)構(gòu)的放大示意圖。其中，圖1至圖3b本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種紅外加熱裝置，其特征在于，包括：絕緣載體，所述絕緣載體具有中心孔；兩電極，均沿所述絕緣載體的徑向設(shè)置；和紅外發(fā)熱膜層，附設(shè)在所述絕緣載體上，并沿所述絕緣載體的周向設(shè)置，所述紅外發(fā)熱膜層與兩所述電極相接觸，且所述紅外發(fā)熱膜層在靠近所述絕緣載體的中心處的厚度小于靠近邊緣處的厚度，使沿所述絕緣載體的徑向，每單位長度上，所述紅外發(fā)熱膜層的縱切面的截面積與該單位長度處所述紅外發(fā)熱膜層的長度的比值保持不變。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種紅外加熱裝置，其特征在于，包括：絕緣載體，所述絕緣載體具有中心孔；兩電極，均沿所述絕緣載體的徑向設(shè)置；和紅外發(fā)熱膜層，附設(shè)在所述絕緣載體上，并沿所述絕緣載體的周向設(shè)置，所述紅外發(fā)熱膜層與兩所述電極相接觸，且所述紅外發(fā)熱膜層在靠近所述絕緣載體的中心處的厚度小于靠近邊緣處的厚度，使沿所述絕緣載體的徑向，每單位長度上，所述紅外發(fā)熱膜層的縱切面的截面積與該單位長度處所述紅外發(fā)熱膜層的長度的比值保持不變。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外加熱裝置，其特征在于，所述紅外發(fā)熱膜層的表面為斜面；或者所述紅外發(fā)熱膜層的表面為階梯面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外加熱裝置，其特征在于，所述紅外發(fā)熱膜層的橫截面呈環(huán)形。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的紅外加熱裝置，其特征在于，每一所述電極的兩端均分別與所述環(huán)形的內(nèi)圈和外圈相接觸，兩所述電極的連線過所述絕緣載體的中心。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外加熱裝置，其特征在于，所述紅外發(fā)熱膜層的橫截面呈扇環(huán)形。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的紅外加熱裝置，其特征在于，兩所述電極分別與所述扇環(huán)兩側(cè)的邊緣相接觸，且所述電極的長度等于所述扇環(huán)的大扇形與小扇形的半徑差。...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：房振，尹善章，張建亮，王新元，張貴林，
申請(專利權(quán))人：佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司，美的集團股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44