高頻輔助磁頭及磁記錄再現(xiàn)裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)的實施方式得到記錄特性良好的高頻輔助磁頭及磁記錄再現(xiàn)裝置。實施方式涉及的高頻輔助磁頭具有旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件，該旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件包含直接形成于主磁極上的、含有從W、Mo、Re、Os及Ir選擇的元素的非磁性的分離種子層/SIL/IL/FGL。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
相關(guān)申請本申請享有以日本專利申請2014-215549號(申請日:2014年10月22日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。
本專利技術(shù)的實施方式涉及高頻輔助磁頭及磁記錄再現(xiàn)裝置。
技術(shù)介紹
在高頻輔助記錄頭中，在主磁極或輔助磁極上形成STO，并進(jìn)行圖案形成。STO以與磁性體電連接的方式形成。若對STO進(jìn)行通電，則例如按主磁極、基底層、SIL的順序?qū)娏鳌４藭r，有下述問題：SIL對主磁極進(jìn)行旋轉(zhuǎn)扭矩作用，由此在主磁極產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)波，由于有效的主磁極的導(dǎo)磁率劣化從而記錄特性變差。因此，期望抑制針對旋轉(zhuǎn)扭矩的、主磁極中的旋轉(zhuǎn)波產(chǎn)生。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的實施方式提供表現(xiàn)良好的磁記錄特性的高頻輔助磁頭及磁記錄再現(xiàn)裝置。根據(jù)實施方式，提供高頻輔助磁頭，其具備：主磁極，其對磁記錄介質(zhì)施加記錄磁場；輔助磁極，其與該主磁極構(gòu)成磁路；以及旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件，其設(shè)置于該主磁極與該輔助磁極之間；所述旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件包括：直接形成于所述主磁極上的非磁性的分離種子層、形成于該非磁性分離種子層或所述輔助磁極中
的一方上的旋轉(zhuǎn)注入層、形成于該旋轉(zhuǎn)注入層上的非磁性中間層及形成于該非磁性中間層上的振蕩層，所述非磁性的分離種子層含有從包括鎢、鉬、錸、鋨及銥的組中選擇的至少一種元素。附圖說明圖1是表示實施方式涉及的高頻輔助磁頭的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示另一實施方式涉及的高頻輔助磁頭的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示從另一角度看圖1的高頻輔助磁記錄頭的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4是例示可以搭載實施方式涉及的高頻輔助磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置的概略結(jié)構(gòu)的主要部分立體圖。圖5是表示實施方式涉及的磁頭組件的一例的概略圖。圖6是表示振蕩開始電流密度與分離種子層、基底層及SIL的合計厚度的關(guān)系的曲線圖。圖7是表示記錄電流頻率與SNR的關(guān)系的曲線圖。具體實施方式實施方式涉及的高頻輔助磁頭具有：對磁記錄介質(zhì)施加記錄磁場的主磁極；設(shè)置于主磁極上的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件；設(shè)置于旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件上且與主磁極構(gòu)成磁路的輔助磁極；在主磁極與旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件之間與主磁極接觸而形成的非磁性的分離種子層。旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件(STO)包括設(shè)置于分離種子層上或輔助磁極上的旋轉(zhuǎn)注入層(SIL)、形成于旋轉(zhuǎn)注入層上的非磁性中間層(IL)及形成于非磁性中間層上的振蕩層(FGL)。分離種子層含有從包括鎢(W)、鉬(Mo)、錸(Re)、鋨(Os)及銥(Ir)的組中選擇的至少一種元素。在分離種子層使用的元素，可具有通過與鄰接的磁性層的旋轉(zhuǎn)軌道相互作用而使鄰接的磁性層的磁阻尼常數(shù)增大的旋轉(zhuǎn)泵浦(スピンポンピング)效果。此外，這些元素旋轉(zhuǎn)擴(kuò)展長度短，若在主磁極與SIL之間或主磁極
與FGL之間與主磁極接觸地設(shè)置分離種子層，則使主磁極的磁阻尼增大，抑制針對旋轉(zhuǎn)扭矩的、主磁極中的旋轉(zhuǎn)波的產(chǎn)生，結(jié)果可得到良好的記錄特性。此外，若在主磁極中激勵旋轉(zhuǎn)波，則通過與FGL磁合并而成為阻礙穩(wěn)定的FGL的振蕩的原因，但是通過主磁極的磁化穩(wěn)定，有使旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩變得容易的效果。分離種子層能夠包含材料組1與材料組2的交替層疊，材料組1包括從包括Cu、Ag、Au、Ru、Pd、Cr、Pt、V、Nb的組中選擇的至少一種元素，材料組2包括從包括W、Mo、Re、Os、Ir的組中選擇的至少一種元素。由此，旋轉(zhuǎn)擴(kuò)散長度短，可得到使主磁極的磁阻尼增大的效果。分離種子層能夠具有大于0.2nm且5nm以下的厚度。若分離種子層的厚度為0.2nm以下，則旋轉(zhuǎn)泵浦的效果小，有得不到記錄的能力的提高的趨勢。分離種子層的厚度到達(dá)5nm之前記錄能力一直提高，但是5nm以上的厚度時有改善達(dá)到飽和的趨勢。以下，關(guān)于實施方式，參照附圖進(jìn)行說明。在圖1中，表示實施方式涉及的高頻輔助磁頭的概略結(jié)構(gòu)。圖1是從空氣軸承面看高頻輔助磁頭的圖。如圖所示，該高頻輔助磁頭20具有主磁極21、STO10和與主磁極構(gòu)成磁路的輔助磁極22，所述STO10包含直接形成于主磁極21上的分離種子層1、SIL2、IL3及FGL4。在圖2中，表示另一實施方式涉及的高頻輔助磁頭的概略結(jié)構(gòu)。圖2與圖1同樣是從空氣軸承面看高頻輔助磁頭的圖。如圖所示，該高頻輔助磁頭30除了代替STO10而具有在分離種子層1與SIL2之間還包含基底層5、在FGL4與輔助磁極22之間還包含覆蓋層6的STO10’以外，具有與圖1同樣的結(jié)構(gòu)。分離種子層的膜厚，為了形成連續(xù)的層，需要為0.5nm以上。在基底層，能夠使用例如Ta、Ru等金屬。基底層的厚度例如能夠設(shè)為0.5至10nm。進(jìn)而能夠設(shè)為約2nm。作為SIL，能夠使用從包括Fe/Co、Fe/Ni、Co/Ni、Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt、Fe/Pd的組中選擇的至少一種人工晶格材料或CoPt、FePt等合金。此外，SIL能夠在與IL的界面進(jìn)而設(shè)置包括合金材料的層，該合金材料包含F(xiàn)eCo和從包括Al、Ge、Si、Ga、B、C、Se、Sn以及Ni的組中選擇的至少一種添加成分。SIL的厚度例如能夠設(shè)為2至30nm。作為IL，能夠使用從例如包括Cu、Al、Au、Ag、Pd、Os以及Ir的組中選擇的至少一種非磁性金屬。IL的厚度例如能夠設(shè)為0.5至10nm。作為FGL，例如能夠使用合金材料及從包括Fe/Co、Fe/Ni及Co/Ni的人工晶格組中選擇的至少一種材料等，所述合金材料在FeCo中添加了Al、Ge、Si、Ga、B、C、Se、Sn以及Ni中的至少一種。作為覆蓋層，能夠使用從包括Cu、Ru、W以及Ta的組中選擇的至少一種非磁性元素。另外，在圖1及圖2中，STO10在主磁極21上按分離種子層1、SIL2、IL3及FGL4的順序形成，但是也能夠按相反方向即在主磁極21上按分離種子層1、FGL4、IL3、SIL2的順序形成。圖3是表示從另一角度看圖1的高頻輔助磁記錄頭的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3的實施方式涉及的磁頭20具備未圖示的再現(xiàn)頭部、和寫入頭部50。再現(xiàn)頭部具有未圖示的磁再現(xiàn)元件及防護(hù)層。此外，寫入頭部50具有作為記錄磁極的主磁極21、包含直接形成于主磁極21的分離種子層的STO10、使來自主磁極21的磁場回流的尾部防護(hù)層(輔助磁極)22、設(shè)置于主磁極21與尾部防護(hù)層(輔助磁極)22之間的勵磁線圈23。在記錄時以及再現(xiàn)時，如圖所示，能夠使磁頭20與磁記錄介質(zhì)40相對地配置。在該高頻磁場輔助記錄頭20的寫入頭部50中，通過主磁極21與尾部防護(hù)層22的間隙磁場，施加膜面垂直的外部磁場，由此以與膜面大致垂直的軸為旋轉(zhuǎn)軸，其振蕩層進(jìn)行旋進(jìn)運動，由此在外部產(chǎn)生高頻磁場。通過將從STO10產(chǎn)生的高頻磁場與從主磁極21施加的磁場重疊，可以對與更
高記錄密度對應(yīng)的磁記錄介質(zhì)40進(jìn)行寫入。在該圖中，STO10的空氣軸承面指與磁記錄介質(zhì)40相對的面。在實施方式中，能夠?qū)⑴R界電流密度低的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件用作為高頻磁場的產(chǎn)生源。由此，能夠以大的高頻磁場使磁記錄介質(zhì)的磁化反轉(zhuǎn)。另一實施方式涉及的磁記錄再現(xiàn)裝置具備實施方式涉及的高頻輔助磁頭。圖4是例示可以搭載實施方式涉及的高頻輔助磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置的概略結(jié)構(gòu)的主要部分立體圖。即，磁記錄再現(xiàn)裝置150是使用了旋轉(zhuǎn)致動器的形式的裝置。在該圖中，記錄用介質(zhì)盤180安裝于軸157，通過對來自未本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種高頻輔助磁頭，其特征在于，具備：主磁極，其對磁記錄介質(zhì)施加記錄磁場；輔助磁極，其與該主磁極構(gòu)成磁路；以及旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件，其設(shè)置于該主磁極與該輔助磁極之間；所述旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件包括：直接形成于所述主磁極上的非磁性的分離種子層、形成于該分離種子層或所述輔助磁極中的一方上的旋轉(zhuǎn)注入層、形成于該旋轉(zhuǎn)注入層上的非磁性中間層及形成于該非磁性中間層上的振蕩層，所述非磁性的分離種子層含有從包括鎢、鉬、錸、鋨及銥的組中選擇的至少一種元素。

【技術(shù)特征摘要】
2014.10.22 JP 2014-2155491.一種高頻輔助磁頭，其特征在于，具備：主磁極，其對磁記錄介質(zhì)施加記錄磁場；輔助磁極，其與該主磁極構(gòu)成磁路；以及旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件，其設(shè)置于該主磁極與該輔助磁極之間；所述旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩元件包括：直接形成于所述主磁極上的非磁性的分離種子層、形成于該分離種子層或所述輔助磁極中的一方上的旋轉(zhuǎn)注入層、形成于該旋轉(zhuǎn)注入層上的非磁性中間層及形成于該非磁性中間層上的振蕩層，所述非磁性的分離種子層含有從包括鎢、鉬、錸、鋨及銥的組中選擇的至少一種元素。...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鴻井克彥，村上修一，
申請(專利權(quán))人：株式會社東芝，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP