半導(dǎo)體封裝制造技術(shù)

本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)涉及一種引進(jìn)金屬柱的半導(dǎo)體封裝，其包括：基板主體部；多個(gè)第一配線圖案，配置在基板主體部的第一面上；第一鍵合焊盤(pán)圖案，配置在第一配線圖形上；內(nèi)部配線圖案，配置在基板主體部?jī)?nèi)部；第二鍵合焊盤(pán)圖案，配置于從第二鍵合區(qū)域露出的內(nèi)部配線圖形上；第三鍵合焊盤(pán)圖案，配置在第一配線圖形上；第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片，在基板主體部上交錯(cuò)排列層疊；第一金屬柱，將第一芯片焊盤(pán)部分別與第一鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接；第二金屬柱，將第二芯片焊盤(pán)部分別與多個(gè)第二鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接；第三金屬柱，一端部連接在第一芯片焊盤(pán)部，另一端部與第一半導(dǎo)體芯片的后面部接觸；以及第四金屬柱，將第二芯片焊盤(pán)部分別與第三鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)的各實(shí)施例涉及一種封裝技術(shù)，更具體涉及一種引進(jìn)金屬柱的半導(dǎo)體封裝。
技術(shù)介紹
隨著電子產(chǎn)品的小型化、高性能化，且便攜式電子產(chǎn)品的增加，半導(dǎo)體元件的封裝空間越來(lái)越小，相反對(duì)電子產(chǎn)品的功能要求越來(lái)越多樣化。因此，對(duì)超小型大容量半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的要求越來(lái)越增加。在封裝半導(dǎo)體元件的過(guò)程中需進(jìn)行將基板和半導(dǎo)體芯片電連接的鍵合工藝。鍵合工藝是利用引線鍵合(Wire bonding)方式或者芯片倒裝鍵合(Flip chip bonding)方式進(jìn)行。引線鍵合方式是利用導(dǎo)電金屬線來(lái)連接基板和半導(dǎo)體芯片的方式，芯片倒裝鍵合是利用金屬柱來(lái)連接基板和半導(dǎo)體芯片的方式。隨著半導(dǎo)體元件的集成度的提高、利用半導(dǎo)體元件的電子設(shè)備高性能化，引線鍵合方式在應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體元件的性能提高方面存在局限性。因此，利用芯片倒裝鍵合方式將基板和半導(dǎo)體芯片電連接的方式逐漸增加。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例包括：封裝基板；第一配線圖案，其配置在所述封裝基板的第一面上；第一鍵合焊盤(pán)，其配置在第一配線圖案上，所述第一配線圖案配置在所述封裝基板的第一面上且從所述第一配線圖案中的第一鍵合區(qū)域露出圖案；內(nèi)部配線圖案，其配置在所述封裝基板的內(nèi)部；第二鍵合焊盤(pán)，其配置于所述內(nèi)部配線圖案中的最外圍部分的第二鍵合區(qū)域露出的內(nèi)部配線圖案上；第三鍵合焊盤(pán)，其配置在第一配線圖案上，所述第一配線圖案配置在所述封裝基板的 第一面上且從所述第一配線圖案中的最外圍部分的第三鍵合區(qū)域露出圖案；第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片，在所述封裝基板上相互之間交錯(cuò)排列而層疊；第一金屬柱，將所述第一半導(dǎo)體芯片的第一芯片焊盤(pán)部分別與所述第一鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接；第二金屬柱，將所述第一半導(dǎo)體芯片的第二芯片焊盤(pán)部分別與所述第二鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接；第三金屬柱，其一端部連接在所述第二半導(dǎo)體芯片的第一芯片焊盤(pán)部，另一端部與所述第一半導(dǎo)體芯片的后側(cè)部接觸；以及第四金屬柱，將所述第二半導(dǎo)體芯片的第二芯片焊盤(pán)部分別與所述第三鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接。本技術(shù)中，所述第一鍵合焊盤(pán)可在所述封裝基板的中央部分排成一列。所述第二鍵合焊盤(pán)可向所述封裝基板的第一方向并沿著相對(duì)的邊在邊緣部分排列，所述第三鍵合焊盤(pán)向垂直于所述第一方向的第二方向并沿著相對(duì)的邊在邊緣部分排列。所述第二鍵合焊盤(pán)分別從所述第一鍵合焊盤(pán)向兩側(cè)方向隔開(kāi)規(guī)定間隔。所述封裝基板還包括第二配線圖案，所述第二配線圖案與配置在所述封裝基板的第一面上的第一配線圖案中的至少一個(gè)連接，且配置在所述封裝基板的第二面上。所述內(nèi)部配線圖案可通過(guò)一個(gè)以上的過(guò)孔電極來(lái)與所述第一鍵合焊盤(pán)、第二鍵合焊盤(pán)或者第三鍵合焊盤(pán)連接。所述封裝基板還包括露出所述第二鍵合焊盤(pán)并具有規(guī)定深度的溝槽。所述溝槽具有使溝槽的底面配置在與各個(gè)所述內(nèi)部配線圖案的下部面所配置的位置相同的位置上的深度。所述第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片中，位于上部的所述第二半導(dǎo)體芯片露出位于下部的所述第一半導(dǎo)體芯片的邊緣部分。所述第二半導(dǎo)體芯片包括邊緣部分向所述封裝基板的第一方向突出的垂懸部分。所述半導(dǎo)體芯片包括芯片焊盤(pán)部，所述芯片焊盤(pán)部包括：第一芯片焊盤(pán)部，其配置在與所述封裝基板的第一鍵合區(qū)域相對(duì)的位置；以及第二芯片焊盤(pán)部，其配置在與所述封裝基板的第二鍵合區(qū)域相對(duì)的位置。所述芯片焊盤(pán)部以I字型平面形狀配置。所述第二金屬柱具有比所述第一金屬柱更厚的厚度。所述第二半導(dǎo)體芯片包括芯片焊盤(pán)部，所述芯片焊盤(pán)部包括：第一芯片焊盤(pán)部，其配置在與所述封裝基板的第一鍵合區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置；以及第二芯片焊盤(pán)部，其配置在與所述封裝基板的第三鍵合區(qū)域相對(duì)的位置。所述第四金屬柱可具有比所述第三金屬柱更厚的厚度。所述第一半導(dǎo)體芯片的第一金屬柱可與所述第二半導(dǎo)體芯片的第三金屬柱具有相同的厚度，且所述第一半導(dǎo)體芯片的第二金屬柱與所述第二半導(dǎo)體芯片的第四金屬柱具有相同的厚度。所述第三鍵合焊盤(pán)還可包括從所述第三鍵合焊盤(pán)的上部面突出規(guī)定高度而與所述第四金屬柱接觸的外部連接端子。所述外部連接端子包括錫球。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例，可利用芯片倒裝鍵合方式將多個(gè)半導(dǎo)體芯片向垂直方向?qū)盈B。而且，可通過(guò)芯片倒裝鍵合方式將半導(dǎo)體芯片向垂直方向?qū)盈B，從而防止半導(dǎo)體芯片被壓或傾斜。本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝中，所述半導(dǎo)體芯片包括芯片焊盤(pán)部，所述芯片焊盤(pán)部包括：第一芯片焊盤(pán)部，其配置在與所述封裝基板的第一鍵合區(qū)域相對(duì)的位置；以及第二芯片焊盤(pán)部，其配置在與所述封裝基板的第二鍵合區(qū)域相對(duì)的位置。本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝中，所述芯片焊盤(pán)部以I字型平面形狀配置。本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝中，所述第二金屬柱具有比所述第一金屬柱更厚的厚度。本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝中，所述第二半導(dǎo)體芯片包括芯片焊盤(pán)部，所述芯片焊盤(pán)部包括：第一芯片焊盤(pán)部，其配置在與所述封裝基板的第一鍵合區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置；以及第二芯片焊盤(pán)部，其配置在與所述封裝基板的第三鍵合區(qū)域相對(duì)的位置。本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝中，所述芯片焊盤(pán)部以I字型平面形狀配置。本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝中，所述第四金屬柱具有比所述第三金屬柱更厚的厚度。本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝中，所述第一半導(dǎo)體芯片的第一金屬柱與所述第二半導(dǎo)體芯片的第三金屬柱具有相同的厚度，且所述第一半導(dǎo)體芯片的第二金屬柱與所述第二半導(dǎo)體芯片的第四金屬柱具有相同的厚度。本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝中，所述第三鍵合焊盤(pán)還包括從所述第三鍵合焊盤(pán)的上部面突出規(guī)定高度而與所述第四金屬柱接觸的外部連接端子。本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝中，所述外部連接端子包括錫球。附圖說(shuō)明通過(guò)附圖和附加的具體實(shí)施方式，本技術(shù)的多個(gè)實(shí)施例將變得更清楚，其中：圖1是一個(gè)實(shí)施例的封裝基板的平面圖。圖2是表示沿著圖1的I-I’線切割的剖視圖。圖3是表示沿著圖1的II-II’線切割的剖視圖。圖4是表示用于說(shuō)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的立體圖。圖5是表示從上部俯視圖4的半導(dǎo)體封裝的平面圖。圖6是表示沿著圖4的I-I’線切割的剖視圖。圖7是表示沿著圖4的II-II’線切割的剖視圖。附圖說(shuō)明標(biāo)記100：封裝基板 102：基板主體部120a：第一鈍化層 120b：第二鈍化層A：第一鍵合區(qū)域 B：第二鍵合區(qū)域C：第三鍵合區(qū)域 130：第一半導(dǎo)體芯片160：第二半導(dǎo)體芯片 145：第一金屬柱150：第二金屬柱 170：第三金屬柱172：第四金屬柱 具體實(shí)施方式雖然通過(guò)例示附圖來(lái)說(shuō)明本技術(shù)的實(shí)施例，但這只是為了說(shuō)明本技術(shù)所提出的內(nèi)容，并不是通過(guò)詳細(xì)的實(shí)施例來(lái)限定本技術(shù)所提出的內(nèi)容。在說(shuō)明書(shū)全文中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的組件。因此，即便相同的附圖標(biāo)記或者類(lèi)似的附圖標(biāo)記未在相應(yīng)的附圖中提起或者說(shuō)明，也可參照其他附圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。而且，即使未標(biāo)注附圖標(biāo)記，也可參照其他附圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是一個(gè)實(shí)施例的封裝基板的俯視圖。圖2是表示沿著圖1的I-I’線切割的剖視圖。還有，圖3是表示沿著圖1的II-II’線切割的剖視圖。參照?qǐng)D1至圖3，根據(jù)本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的基板100包括基板主體部102(body)、第一鈍化層120a及第二鈍化本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種半導(dǎo)體封裝，其包括：封裝基板；第一配線圖案，其配置在所述封裝基板的第一面上；第一鍵合焊盤(pán)，其配置在第一配線圖案上，所述第一配線圖案配置在所述封裝基板的第一面上且從所述第一配線圖案中的第一鍵合區(qū)域露出圖案；內(nèi)部配線圖案，其配置在所述封裝基板的內(nèi)部；第二鍵合焊盤(pán)，其配置于從所述內(nèi)部配線圖案中最外圍部分的第二鍵合區(qū)域露出的內(nèi)部配線圖案上；第三鍵合焊盤(pán)，其配置在第一配線圖案上，所述第一配線圖案配置在所述封裝基板的第一面上且從所述第一配線圖案中的最外圍部分的第三鍵合區(qū)域露出圖案；第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片，在所述封裝基板上相互之間交錯(cuò)排列而層疊；第一金屬柱，將所述第一半導(dǎo)體芯片的第一芯片焊盤(pán)部分別與所述第一鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接；第二金屬柱，將所述第一半導(dǎo)體芯片的第二芯片焊盤(pán)部分別與所述多個(gè)第二鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接；第三金屬柱，其一端部連接在所述第二半導(dǎo)體芯片的第一芯片焊盤(pán)部，另一端部與所述第一半導(dǎo)體芯片的后側(cè)部接觸；以及第四金屬柱，將所述第二半導(dǎo)體芯片的第二芯片焊盤(pán)部分別與所述第三鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接。

【技術(shù)特征摘要】
2015.05.29 KR 10-2015-00763951.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：封裝基板；第一配線圖案，其配置在所述封裝基板的第一面上；第一鍵合焊盤(pán)，其配置在第一配線圖案上，所述第一配線圖案配置在所述封裝基板的第一面上且從所述第一配線圖案中的第一鍵合區(qū)域露出圖案；內(nèi)部配線圖案，其配置在所述封裝基板的內(nèi)部；第二鍵合焊盤(pán)，其配置于從所述內(nèi)部配線圖案中最外圍部分的第二鍵合區(qū)域露出的內(nèi)部配線圖案上；第三鍵合焊盤(pán)，其配置在第一配線圖案上，所述第一配線圖案配置在所述封裝基板的第一面上且從所述第一配線圖案中的最外圍部分的第三鍵合區(qū)域露出圖案；第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片，在所述封裝基板上相互之間交錯(cuò)排列而層疊；第一金屬柱，將所述第一半導(dǎo)體芯片的第一芯片焊盤(pán)部分別與所述第一鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接；第二金屬柱，將所述第一半導(dǎo)體芯片的第二芯片焊盤(pán)部分別與所述多個(gè)第二鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接；第三金屬柱，其一端部連接在所述第二半導(dǎo)體芯片的第一芯片焊盤(pán)部，另一端部與所述第一半導(dǎo)體芯片的后側(cè)部接觸；以及第四金屬柱，將所述第二半導(dǎo)體芯片的第二芯片焊盤(pán)部分別與所述第三鍵合焊盤(pán)進(jìn)行連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，所述第一鍵合焊盤(pán)在所述封裝基板的中央部分排成一列。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，所述第二鍵合焊盤(pán)向所述封裝基板的第一方向并沿著相對(duì)的邊在邊緣部分排列，所述第三鍵合 焊盤(pán)向垂直于所述第一方向的第二方向并沿著相對(duì)的邊在邊緣部分排列。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，所述第二鍵合焊盤(pán)分別從所述第一鍵合焊盤(pán)向兩側(cè)方向隔開(kāi)規(guī)定間隔。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，所述封裝基板還包括第二配線圖案，所述第二配線圖案與配置在所述封裝基板的第一面上的第一配線圖案中的至少一個(gè)連接，且配置在所述封裝基板的第二面上。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，所述內(nèi)部配線圖案通過(guò)一個(gè)以上的過(guò)孔電極來(lái)與所述第一鍵合焊盤(pán)、第二鍵合...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：申熙珉，文起一，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司，
類(lèi)型：新型
國(guó)別省市：韓國(guó);KR