用于承載晶片的支撐組件制造技術

本實用新型專利技術公開了一種用于承載晶片的支撐組件，包括：一支撐件，支撐件包括一不銹鋼層以及一膠層，膠層設置于不銹鋼層的下表面，用于黏合晶片；一剝離件，貼合于支撐件下方，剝離件包括一剝離層以及設置于剝離層下方的一載帶，剝離層可剝離地貼合于膠層的下方，載帶具有一黏合層與剝離層相黏合，且黏合層的面積大于或者等于剝離層的面積。本實用新型專利技術由于膠層與載帶之間增設了一層剝離層，因而膠層不會黏到載帶，由此改善誤排和變形問題。此外，由于黏合層的面積大于或者等于剝離層的面積，無需精確對位支撐件的位置來設置小面積的黏合層，在保證剝離層與載帶良好黏合的同時，可簡化制造工藝。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種支撐組件，尤其是指一種用于承載晶片的支撐組件。
技術介紹
晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。晶圓分割切成若干小晶片，不同的晶片進行組合封裝可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。現有用于支撐這些小晶片的支撐組件其通常包括支撐體和設置于支撐體表面的膠層，這種支撐組件通過以下工藝制成：將條帶狀支撐體表面涂布一層膠，再將上述整體貼合至條帶狀的載帶上，利用半沖切工藝，將支撐體層和膠層按照預定尺寸沖切形成多個支撐件(產品)，而載帶不切斷，并將多余的廢料(包括支撐體層和膠層)從載帶上剝離排除。在貼合晶片前或者轉移至特定承載盤中時，利用吸盤對支撐件進行吸附以將支撐件(產品)從載帶上剝離。由于膠層具有一定的流動性，其在受到擠壓時會溢出。溢出部分增大了產品與載帶間的接觸面積，而且溢出部分受到模具的直接擠壓容易和載帶貼合，形成擠壓結合區，擠壓結合區的吸附力比其他貼合區域更強，因此，不利于吸盤對支撐件進行吸附：當吸盤吸附力太小時，產品吸不起來；若增大吸附力，產品會發生變形或折痕，嚴重影響產品品質。此外，由于膠層的延展性強，半切時有可能出現未完全切斷的情況，嚴重時容易使得產品與廢料相互粘連，導致產品在排廢時一同被剝離。因此，有必要設計一種新的用于承載晶片的支撐組件，以克服上述問題。
技術實現思路
本技術的創作目的在于提供一種用于承載晶片的支撐組件，其可減小剝離時的吸附力和降低誤排率。為了達到上述目的，本技術采用如下技術方案：一種用于承載晶片的支撐組件，包括：一支撐件，所述支撐件包括一不銹鋼層以及一膠層，所述膠層設置于所述不銹鋼層的下表面，用于黏合晶片；一剝離件，貼合于所述支撐件下方，所述剝離件包括一剝離層以及設置于所述剝離層下方的一載帶，所述剝離層可剝離地貼合于所述膠層的下方，所述載帶具有一黏合層與所述剝離層相黏合，且所述黏合層的面積大于或者等于所述剝離層的面積。進一步，所述不銹鋼層與所述剝離層的面積相等且完全重疊。優選地，所述載帶包括一基膜，所述黏合層布滿所述基膜的整個上表面。所述載帶為單面膠。所述支撐件呈矩形，且所述載帶的長度大于所述支撐件的長度。所述不銹鋼層的上表面裸露。作為優選的實施方式，所述剝離層與所述黏合層之間的黏合力大于所述剝離層與所述膠層之間的黏合力。所述黏合層上方還貼設有一保護層位于所述剝離層的周圍，且保護層與所述剝離層之間具有間隙。所述保護層向上不超過所述剝離層。所述保護層與所述剝離層均為離型膜。與現有技術相比，本技術由于膠層與載帶之間增設了一層剝離層，因而膠層不會黏到載帶，由此改善誤排和變形問題。此外，由于黏合層的面積大于或者等于剝離層的面積，無需精確對位支撐件的位置來設置小面積的黏合層，在保證剝離層與載帶良好黏合的同時，可簡化制造工藝。【附圖說明】圖1為本技術第一實施例的立體圖；圖2為本技術第一實施例進行沖切后的示意圖；圖3為圖2中結構進行排廢的示意圖；圖4為本技術第二實施例的示意圖。具體實施方式的附圖標號說明：支撐件100剝離件200不銹鋼層11膠層12載帶21基膜21a黏合層21b剝離層22保護層23【具體實施方式】為便于更好的理解本技術的目的、結構、特征以及功效等，現結合附圖和具體實施方式對本技術作進一步說明。圖1至圖3為本技術的第一實施例。本技術用于承載晶片(未圖示)的支撐組件，包括支撐件100和貼合于支撐件100下方的剝離件200。如圖1，所述支撐件100呈矩形，其包括不銹鋼層11和膠層12。不銹鋼層11的上表面裸露，下表面則設置有膠層12，所述膠層12用于黏合晶片(未圖示)。所述剝離件200包括呈長條狀的載帶21以及多個相互獨立的剝離層22。本實施例中采用單面膠做載帶21，所述載帶21包括一基膜21a以及設置于基膜21a上的黏合層21b。所述載帶21的長度大于所述支撐件100的長度，因而載帶21上可設置多個支撐件100以及多個剝離層22。所述剝離層22為一整條離型膜經沖切成多個矩形，剝離層22的上表面為離型面(光面)，下表面則為粘性面 (粗面)。所述剝離層22的上表面可剝離地貼合于所述膠層12的下方，所述剝離層22的下表面則通過黏合層21b與載帶21相黏合固定。所述剝離層22與所述黏合層21b之間的黏合力大于所述剝離層22與所述膠層12之間的黏合力，如此可方便剝離層22與膠層12分離，同時確保剝離層22與載帶21牢固黏合以使得二者作為一個整體被剝離。所述黏合層21b的面積大于或者等于所述剝離層22的面積。本實施例中，由于載帶21為單面膠，所述黏合層21b布滿基膜21a的整個上表面，如此可簡化制造工藝，便于采用半沖切工藝制作，無需精確對位支撐件100的位置來設置黏合層21b。通過半沖切工藝將不銹鋼層11、膠層12以及剝離層22切斷，得到完全重疊的不銹鋼層11與剝離層22，且不銹鋼層11與剝離層22的面積相等，而膠層12尺寸會與剝離層22尺寸基本一致，因而膠層12不會黏住剝離層22。使用時，只需將支撐件100即不銹鋼層11和膠層12從剝離件200上剝離即可在支撐件100上貼合晶片。如圖2至圖3所示，本實施例的制造工藝如下：首先，在長條狀的不銹鋼板材下表面涂布一層膠形成膠層12；在膠層12下方貼設離型膜作為剝離層22，使得離型膜的光面與膠層12黏合；將單面膠貼合在離型膜下表面作為載帶21，使得離型膜的粗面與單面膠的黏合層21b相黏合。接著，進行半沖切，將不銹鋼層11、膠層12以及離型膜按照預定尺寸沖切成多個矩形，而載帶21保持連貫狀態。最后，將預定矩形以外的廢料從載帶21上剝離排除，所述廢料包括三層：不銹鋼層11、膠層12和離型膜。本技術第一實施例，通過在膠層12下方設置剝離層22，再進一步將載帶21貼合在剝離層22下方，通過半沖切工藝將不銹鋼層11、膠層12和剝離層22切斷，可有效避免膠層12未切斷的情況出現，減小支撐件100被誤排的幾率。此外，由于膠層12下方的剝離層22也被切斷，因而膠層12的溢出部分不會形成擠壓結合區，支撐件100的膠層12邊緣結合力會下降，即便溢膠也不會產生邊緣吸附力變大的狀況，可降低剝離力量。如圖4所示為本技術的第二實施例，其與第一實施例的區別在于：剝離件200還包括一保護層23貼設在所述黏合層21b上方且位于所述剝離層22的周圍，保護層23與所述剝離層22之間具有間隙。所述保護層23向上不超過所述剝離層22。所述保護層23與所述剝離層22均為離型膜。本實施例的制造工藝如下：首先，在長條狀的不銹鋼板材下表面涂布一層膠形成膠層12；在膠層12下方貼設離型膜，使得離型膜的光面與膠層12黏合；將單面膠貼合在離型膜下表面作為載帶21，使得離型膜的粗面與單面膠的黏合層21b相黏合。接著，進行半沖切，將不銹鋼層11、膠層12以及離型膜按照預定尺寸沖切成多個矩形，而載帶21保持連貫狀態。最后，將預定矩形以外的廢料從載帶21上剝離排除，所述廢料包括兩層：不銹鋼層11、和膠層12。經過上述步驟，離型膜在支撐件100下方形成剝離層22，而支撐件100以外的區域(剝離層22的周圍)則為所述保護層23，且保護層23與剝離層22相互分離。本技術第二實施例本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于承載晶片的支撐組件，其特征在于，包括：一支撐件，所述支撐件包括一不銹鋼層以及一膠層，所述膠層設置于所述不銹鋼層的下表面，用于黏合晶片；一剝離件，貼合于所述支撐件下方，所述剝離件包括一剝離層以及設置于所述剝離層下方的一載帶，所述剝離層可剝離地貼合于所述膠層的下方，所述載帶具有一黏合層與所述剝離層相黏合，且所述黏合層的面積大于或者等于所述剝離層的面積。

【技術特征摘要】
1.一種用于承載晶片的支撐組件，其特征在于，包括：一支撐件，所述支撐件包括一不銹鋼層以及一膠層，所述膠層設置于所述不銹鋼層的下表面，用于黏合晶片；一剝離件，貼合于所述支撐件下方，所述剝離件包括一剝離層以及設置于所述剝離層下方的一載帶，所述剝離層可剝離地貼合于所述膠層的下方，所述載帶具有一黏合層與所述剝離層相黏合，且所述黏合層的面積大于或者等于所述剝離層的面積。2.如權利要求1所述的用于承載晶片的支撐組件，其特征在于：所述不銹鋼層與所述剝離層的面積相等且完全重疊。3.如權利要求1所述的用于承載晶片的支撐組件，其特征在于：所述載帶包括一基膜，所述黏合層布滿所述基膜的整個上表面。4.如權利要求1所述的用于承載晶片的支撐組件，其特征在于：所述載帶為單面膠。...

【專利技術屬性】
技術研發人員：朱文杰，袁延顯，愛德華巴亞特，
申請(專利權)人：番禺得意精密電子工業有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44