一種金鈴花快速繁殖的方法技術

本發明專利技術涉及一種金鈴花快速繁殖的方法，所述的方法包括：1)外植體的選取，2)外植體消毒，3)初始誘導培養，4)愈傷組織誘導，5)增殖培養，6)生根培養，7)煉苗和移栽。采用本方法繁育金鈴花，可以降低生產成本，提高繁殖速度和成活率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及植物快速繁殖
，尤其是一種金鈴花快速繁殖的方法

技術介紹
金鈴花(學名：Abutilon striatum)，又名燈籠花、網花苘麻、紅脈商麻，屬于常綠灌木，由于葉片常綠、花形獨特、花期較長、易于繁殖，頗受喜愛。金鈴花系叢生，莖直立，葉翠綠，質厚，卵狀，亦有掌狀，邊緣有鋸齒，花梗細長，小蕾期向上，隨著蕾的膨大逐漸向下，開花特別下垂，花鐘形，橙黃色，上有鮮艷的紫紅色脈紋，花蕊和花柱較長，伸出花冠之外，整花如吊著的金色鈴子而得名。喜溫暖及陽光充足，不耐寒，稍耐陰；宜肥沃、濕潤而排水花的砂壤土。原產南美洲的巴西、烏拉圭等地，中國西南等地有栽培，供園林觀賞用。金鈴花的葉和花可活血祛瘀，舒筋通絡。用于跌打損傷。目前，金鈴花多采用扦插來進行生產栽培，這種繁育技術提高了品種的純度，保持了品種特性，但成活率較低及繁殖速度較慢，制約了金鈴花產業的發展。而組織培養育苗技術既可以保持種的純度和特性，也可以降低生產成本，提高繁殖速度和成活率?，F有技術中尚無經愈傷組織途徑獲得金鈴花再生植株的報道。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種金鈴花快速繁殖的方法，經愈傷組織途徑獲得金鈴花叢生芽，誘導生根，可實現金鈴花組培苗的大量快速繁殖。為了解決上述技術問題，本專利技術提出下列技術方案：一種金鈴花快速繁殖的方法，其特征在于所述的方法包括以下步驟：1)外植體的選?。喝‘斈晟睆?0-20mm的金鈴花半木質化嫩枝枝條為外植體，剪去下部葉片后剪成5-12cm的莖段；2)外植體消毒：將上述莖段放入盛有自來水的20KHz超聲波清洗機中保持溫度30-35℃處理30-45min，然后用自來水沖洗10-20min；隨后在超凈工作臺
上以70-75％的酒精消毒20-30秒，0.5％升汞溶液中處理5-7分鐘，然后以無菌水沖洗6-8遍，置于無菌培養皿備用；3)初始誘導培養：將滅菌后外植體莖段各剪去3-5mm，莖段按末端向下插入初始誘導培養基中培養，培養條件為光強2500-3500Lx、光周期10-14h/d,溫度25℃±2℃；培養4-6d后將其中未污染的外植體莖段轉接到新的初始誘導培養基中，并繼續培養12-18d至新芽長出；所述的初始誘導培養基組成為：WPM+6-BA0.1-0.2mg/L+NAA0.01-0.02mg/L+PVP5-10mg/L；4)愈傷組織誘導：取初始誘導培養中的芽，放入愈傷組織誘導培養基中培養15-20d，條件為暗培養，溫度20℃±2℃；所述愈傷組織培養基為：WPM+6-BA0.5-2.0mg/L+NAA0.02-0.05mg/L+PVP5-10mg/L；5)分化和增殖培養：將透明無色的愈傷組織塊放入分化培養基中培養20-25d，增殖產生大量叢生苗，培養條件為光強1800-2500Lx、光周期10-14h/d,溫度25℃±2℃；所述分化和增殖培養用培養基為：1/2MS+6-BA0.1-0.5mg/L+NAA0.1-0.5mg/L+PVP 5-10mg/L；6)生根培養：將5)步驟中的叢生苗切割成單個，轉移至生根培養基中培養15-20d后生根，培養條件為光強1800-2500Lx、光周期10-14h/d,溫度25℃±2℃；所述生根用培養基為：1/2MS+IBA0.1-0.5mg/L+PVP5-10mg/L；7)煉苗和移栽：將有生根的金鈴花幼苗的培養基瓶蓋打開，室溫下煉苗3-5d后，取出幼苗，洗去根部培養基，移栽裝有河沙基質的苗床上，保持溫度20-25℃，濕度85％-95％，適當遮蔭即可；所述的WPM培養基配方為：大量元素：硝酸銨NH4NO3400mg/L，硫酸鉀K2SO4900mg/L，磷酸二氫鉀KH2PO3170mg/L，硫酸鎂MgSO4·7H2O370mg/L；鈣鹽：氯化鈣CaCl2·2H2O96mg/L；四水合硝酸鈣Ca(NO3)2·4H2O556mg/L；微量元素：硼酸H3BO36.2mg/L，硫酸錳MnSO4·4H2O22.5mg/L，硫酸鋅ZnSO4·7H2O8.6mg/L，鉬酸鈉Na2MoO4·2H2O0.25mg/L，硫酸銅CuSO4·5H2O0.25mg/L；鐵鹽：乙二胺四乙酸二鈉Na2-EDTA37.3mg/L，硫酸亞鐵FeSO4·7H2O27.8mg/L；有機酸：肌醇100mg/L，甘氨酸2mg/L，鹽酸硫胺素1mg/L，鹽酸吡哆醇0.5mg/L，煙酸0.5mg/L；所述的MS培養基配方為：大量元素：硝酸鉀KNO31900mg/L，硝酸銨NH4NO31650mg/L，磷酸二氫鉀KH2PO3170mg/L，硫酸鎂MgSO4·7H2O370mg/L；鈣鹽：氯化鈣CaCl2·2H2O440mg/L；微量元素：碘化鉀KI0.83mg/L，硼酸H3BO36.2mg/L，硫酸錳MnSO4·4H2O22.3mg/L，硫酸鋅ZnSO4·7H2O8.6mg/L，鉬酸鈉Na2MoO4·2H2O0.25mg/L，硫酸銅CuSO4·5H2O0.025mg/L，氯化鈷CoCl2·6H2O0.025
mg/L；鐵鹽：乙二胺四乙酸二鈉Na2-EDTA37.25mg/L,硫酸亞鐵FeSO4·7H2O27.85mg/L；有機酸：肌醇100mg/L，甘氨酸2mg/L，鹽酸硫胺素0.5mg/L，鹽酸吡哆醇0.5mg/L，煙酸0.5mg/L；蔗糖30g/L，瓊脂粉7g/L，pH為5.7；所述的1/2MS培養基配方為：大量元素：硝酸鉀KNO3950mg/L，硝酸銨NH4NO3825mg/L，磷酸二氫鉀KH2PO385mg/L，硫酸鎂MgSO4·7H2O185mg/L；余同上述MS培養基；所述的6-BA為6-芐氨基嘌呤；所述的NAA為α-萘乙酸；所述的IBA為吲哚-3-丁酸；所述的PVP為聚乙烯吡咯烷酮。優選的，步驟3)中初始誘導培養基組成為：WPM+6-BA0.15mg/L+NAA0.015mg/L+PVP6mg/L。優選的，步驟4)中愈傷組織培養基為：WPM+6-BA1.0mg/L+NAA0.04mg/L+PVP8mg/L。優選的，步驟5)中分化和增殖培養用培養基為：1/2MS+6-BA0.3mg/L+NAA0.3mg/L+PVP8mg/L。優選的，步驟6)中生根用培養基為：1/2MS+IBA0.3mg/L+PVP8mg/L。采用本專利技術繁殖金鈴花，可實現金鈴花組培苗的大量快速繁殖，為金鈴花生產栽培和品種改良奠定基礎。為了更好的闡述技術方案，下面結合具體實施方式對本專利技術作進一步的說明，但本專利技術所要求的保護范圍不限于下列實施例。具體實施方式實施例11)外植體的選?。喝‘斈晟睆?0-20mm的金鈴花枝條為外植體，剪去葉片后剪成5-12cm的莖段；2)外植體消毒：將上述莖段放入盛有自來水的20KHz超聲波清洗中保持溫度30℃處理30min，然后以自來水沖洗10min；隨后在超凈工作臺上以70％的酒精消毒25秒，0.5％升汞溶液中處理5分鐘，然后以無菌水沖洗6遍，置于無菌培養皿備用；3)初始誘導培養：將滅菌后外植體莖段各剪去3-5mm，莖段按末端向下插入<本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種金鈴花快速繁殖的方法，其特征在于所述的方法包括以下步驟：1)外植體的選?。喝‘斈晟睆?0?20mm的金鈴花半木質化嫩枝枝條為外植體，剪去下部葉片后剪成5?12cm的莖段；2)外植體消毒：將上述莖段放入盛有自來水的20KHz超聲波清洗機中保持溫度30?35℃處理30?45min，然后用自來水沖洗10?20min；隨后在超凈工作臺上以70?75％的酒精消毒20?30秒，0.5％升汞溶液中處理5?7分鐘，然后以無菌水沖洗6?8遍，置于無菌培養皿備用；3)初始誘導培養：將滅菌后外植體莖段各剪去3?5mm，莖段按末端向下插入初始誘導培養基中培養，培養條件為光強2500?3500Lx、光周期10?14h/d,溫度25℃±2℃；培養4?6d后將其中未污染的外植體莖段轉接到新的初始誘導培養基中，并繼續培養12?18d至新芽長出；所述的初始誘導培養基組成為：WPM+6?BA0.1?0.2mg/L+NAA0.01?0.02mg/L+PVP5?10mg/L；4)愈傷組織誘導：取初始誘導培養中的芽，放入愈傷組織誘導培養基中培養15?20d，條件為暗培養，溫度20℃±2℃；所述愈傷組織培養基為：WPM+6?BA0.5?2.0mg/L+NAA0.02?0.05mg/L+PVP5?10mg/L；5)分化和增殖培養：將透明無色的愈傷組織塊放入分化培養基中培養20?25d，增殖產生大量叢生苗，培養條件為光強1800?2500Lx、光周期10?14h/d,溫度25℃±2℃；所述分化和增殖培養用培養基為：1/2MS+6?BA0.1?0.5mg/L+NAA0.1?0.5mg/L+PVP?5?10mg/L；6)生根培養：將5)步驟中的叢生苗切割成單個，轉移至生根培養基中培養15?20d后生根，培養條件為光強1800?2500Lx、光周期10?14h/d,溫度25℃±2℃；所述生根用培養基為：1/2MS+IBA0.1?0.5mg/L+PVP5?10mg/L；7)煉苗和移栽：將有生根的金鈴花幼苗的培養基瓶蓋打開，室溫下煉苗3?5d后，取出幼苗，洗去根部培養基，移栽裝有河沙基質的苗床上，保持溫度20?25℃，濕度85％?95％，適當遮蔭即可；所述的6?BA為6?芐氨基嘌呤；所述的NAA為α?萘乙酸；所述的IBA為吲哚?3?丁酸；所述的PVP為聚乙烯吡咯烷酮。...

【技術特征摘要】
1.一種金鈴花快速繁殖的方法，其特征在于所述的方法包括以下步驟：1)外植體的選?。喝‘斈晟睆?0-20mm的金鈴花半木質化嫩枝枝條為外植體，剪去下部葉片后剪成5-12cm的莖段；2)外植體消毒：將上述莖段放入盛有自來水的20KHz超聲波清洗機中保持溫度30-35℃處理30-45min，然后用自來水沖洗10-20min；隨后在超凈工作臺上以70-75％的酒精消毒20-30秒，0.5％升汞溶液中處理5-7分鐘，然后以無菌水沖洗6-8遍，置于無菌培養皿備用；3)初始誘導培養：將滅菌后外植體莖段各剪去3-5mm，莖段按末端向下插入初始誘導培養基中培養，培養條件為光強2500-3500Lx、光周期10-14h/d,溫度25℃±2℃；培養4-6d后將其中未污染的外植體莖段轉接到新的初始誘導培養基中，并繼續培養12-18d至新芽長出；所述的初始誘導培養基組成為：WPM+6-BA0.1-0.2mg/L+NAA0.01-0.02mg/L+PVP5-10mg/L；4)愈傷組織誘導：取初始誘導培養中的芽，放入愈傷組織誘導培養基中培養15-20d，條件為暗培養，溫度20℃±2℃；所述愈傷組織培養基為：WPM+6-BA0.5-2.0mg/L+NAA0.02-0.05mg/L+PVP5-10mg/L；5)分化和增殖培養：將透明無色的愈傷組織塊放入分化培養基中培養20-25d，增殖產生大量叢生苗，培養條件為光強1800-2500Lx、光周期10-14h/d,溫度25℃±2℃；所述分化和增殖培養用培養基為：1/2MS+6-BA...

【專利技術屬性】
技術研發人員：戴勤，王冬梅，李慧珍，
申請(專利權)人：蕪湖歐標農業發展有限公司，
類型：發明
國別省市：安徽;34