一種嵌入式封裝結構制造技術

本申請公開了一種嵌入式封裝結構，包括基板，配置用于封裝晶圓，基板中設有可供晶圓嵌入的腔體；腔體的下方設有第一金屬焊盤，第一金屬焊盤與晶圓之間通過第一金屬通孔連通；腔體的上方設有銅箔，銅箔與第一金屬焊盤之間通過第二金屬通孔連通，銅箔的上方設有第二金屬焊盤，第二金屬焊盤與銅箔之間通過第三金屬通孔連通；第一金屬通孔、第一金屬焊盤、第二金屬通孔、銅箔、第三金屬通孔和第二金屬焊盤通過層壓固定設置在所述基板中。本發明專利技術的嵌入式封裝結構更加輕、薄及緊湊。

【技術實現步驟摘要】

本公開一般涉及半導體技術，具體涉及晶圓封裝，尤其涉及再嵌入式封裝結構，以及再布線工藝和打線結構。
技術介紹
晶圓級封裝較多的產品采用金屬再布線的連接方式，部分采用銅柱再布線工藝，但是銅柱再布線的成本和輔助工藝難度。在半導體產業中，打線技術被廣泛地使用在芯片或基板等承載件上，其通常通過多條焊線電性連接該芯片上的焊墊與該基板上的接墊。而隨著電子產品的需求效能愈來愈高，各焊線的電性信號彼此之間的噪聲干擾也愈來愈多，部分電性信號在傳遞中會效率下降或者失真。隨著便攜式電子產品的廣泛應用，半導體器件日益需要小型化和大容量。為了實現小型化和大容量，大量的半導體芯片需要安裝在半導體封裝件中，并且半導體封裝件需要輕、薄及緊湊。
技術實現思路
鑒于現有技術中的上述缺陷或不足，期望提供一種再布線工藝，以及一種打線結構和一種嵌入式封裝結構。根據本公開的第一方面，提供了一種再布線工藝，包括在晶圓上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成鈦籽晶層；在所述鈦籽晶層上形成金屬薄膜；在所述金屬薄膜上鋪滿光刻膠；剝離金屬薄膜上無效區域的光刻膠，所述無效區域對應于用于非電性連接的區域；腐蝕掉無效區域對應位置處的金屬薄膜和鈦籽晶層；以及浸泡剝離剩余的光刻膠。優選地，在晶圓上形成緩沖層之前，還包括：所述晶圓表面上設置有晶圓金屬焊盤和鈍化層；所述晶圓金屬焊盤設置在所述晶圓表面和所述鈍化層之間，所述鈍化層覆蓋所述晶圓表面并露出所述晶圓金屬焊盤；在所述鈍化層表面形成所述緩沖層，并且所述緩沖層露出所述晶圓金屬焊盤。優選地，所述緩沖層為聚酰亞胺膠層，所述鈍化層為氮化硅層。優選地，所述在所述緩沖層上形成鈦籽晶層包括：在所述聚酰亞胺膠層表面濺鍍鈦籽晶層。優選地，所述鈦籽晶層的厚度是100nm。優選地，所述在所述鈦籽晶層上形成金屬薄膜包括：在所述鈦籽晶層表面濺鍍或蒸鍍金屬薄膜。優選地，所述金屬薄膜的厚度是1μm以上。優選地，所述剝離金屬薄膜上無效區域的光刻膠包括：通過曝光或顯影工藝，剝離金屬薄膜上無效區域的光刻膠。優選地，所述腐蝕掉無效區域對應位置處的金屬薄膜和鈦籽晶層包括：采用鋁腐蝕液先將無效區域對應位置處的金屬薄膜腐蝕，再將露出的鈦籽晶層腐蝕。優選地，所述金屬薄膜為鋁金屬薄膜。根據本公開的第二方面，提供了一種打線結構，所述結構包括：框架，所述框架上設有至少一個焊點；晶圓，所述晶圓設置在所述框架上，所述晶圓上設有金屬薄膜層；以及至少一個連接線，所述連接線設置于所述框架與所述晶圓之間，并構成了所述焊點與所述金屬薄膜層的電性連接。優選地，所述晶圓的上表面向上順序設有鈦籽晶層和所述金屬薄膜層。優選地，所述晶圓上設有晶圓金屬焊盤，所述晶圓金屬焊盤上設有鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述晶圓的上表面并露出所述晶圓金屬焊盤，所述鈦籽晶層設置在所述鈍化層上。優選地，所述鈍化層與所述鈦籽晶層之間設有緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述鈍化層的上表面并露出所述晶圓金屬焊盤。優選地，所述緩沖層為聚酰亞胺膠層。優選地，所述鈍化層為氮化硅層。優選地，所述連接線為鍵合線。優選地，所述金屬薄膜為鋁金屬薄膜。優選地，所述鋁金屬薄膜的厚度是1μm以上。根據本公開的第三方面，提供了一種嵌入式封裝結構，所述結構包括：基板，配置用于封裝晶圓，所述基板中設有可供所述晶圓嵌入的腔體；所述腔體的下方設有第一金屬焊盤，所述第一金屬焊盤與所述晶圓之間通過第一金屬通孔連通；所述腔體的上方設有銅箔，所述銅箔與所述第一金屬焊盤之間通過第二金屬通孔連通，所述銅箔的上方設有第二金屬焊盤，所述第二金屬焊盤與所述銅箔之間通過第三金屬通孔連通；所述第一金屬通孔、所述第一金屬焊盤、所述第二金屬通孔、所述銅箔、所述第三金屬通孔和所述第二金屬焊盤通過層壓固定設置在所述基板中。優選地，所述第一金屬通孔、所述第一金屬焊盤、所述第二金屬通孔、所述銅箔、所述第三金屬通孔和所述第二金屬焊盤分別壓合在各自的樹脂材料中，再通過各個樹脂材料層壓合固定于所述基板中。優選地，還包括晶圓，所述晶圓倒裝并嵌入于所述腔體中；以及再布線結構，所述再布線結構電性連接所述晶圓與所述基板。優選地，所述再布線結構電性連接所述晶圓和所述第一金屬焊盤。優選地，再布線結構包括鈦籽晶層和金屬薄膜層，所述鈦籽晶層
設置在所述晶圓上，所述金屬薄膜層與所述第一金屬焊盤電性連接。優選地，所述晶圓上設有晶圓金屬焊盤，所述晶圓金屬焊盤上設有鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述晶圓的上表面并露出所述晶圓金屬焊盤，所述鈦籽晶層設置在所述鈍化層上。優選地，所述鈍化層與所述鈦籽晶層之間設有緩沖層，所述緩沖層也露出所述晶圓金屬焊盤。優選地，所述緩沖層為聚酰亞胺膠層。優選地，所述鈍化層為氮化硅層。優選地，所述金屬薄膜為鋁金屬薄膜，且所述鋁金屬薄膜的厚度是1μm以上。根據本申請的再布線工藝，由于采用鋁金屬薄膜，效降了成本和工藝難度。根據本申請的打線結構，由于在金屬薄膜層與焊點之間打線，實現電連接，因此使電性信號能夠保持高效率，且不失真。根據本申請，由于設計了嵌入式的結構形式，因此使得封裝件結構上更加輕、薄及緊湊。附圖說明通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特征、目的和優點將會變得更明顯：圖1根據本申請實施例的再布線工藝的流程圖；圖2根據本申請實施例的再布線工藝S10后得到的結構示意圖；圖3根據本申請實施例的再布線工藝S20后得到的結構示意圖；圖4根據本申請實施例的再布線工藝S30后得到的結構示意圖；圖5根據本申請實施例的再布線工藝S50后得到的結構示意圖；圖6根據本申請實施例的再布線工藝S60后得到的結構示意圖；圖7根據本申請實施例的再布線工藝S70后得到的結構示意圖；圖8根據本申請實施例的再布線工藝S11后得到的結構示意圖；圖9根據本申請實施例的打線結構示意圖；以及圖10根據本申請實施例的嵌入式封裝結構的示意圖。具體實施方式下面結合附圖和實施例對本申請作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關專利技術，而非對該專利技術的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與專利技術相關的部分。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本申請。請參考圖1，其示出了本申請實施例的再布線工藝的流程圖。如圖所示，再布線工藝包括：S10：在晶圓101上形成緩沖層201，形成如圖2所示結構，優選地緩沖層201為聚酰亞胺膠層。S20：在緩沖層201上形成鈦籽晶層301，鈦籽晶層301將位于緩沖層201內的區域全部覆蓋，形成如圖3所示結構。S30：在鈦籽晶層301上形成金屬薄膜302，形成如圖4所示結構。優選地，金屬薄膜302為鋁金屬薄膜。S40：在金屬薄膜上鋪滿光刻膠303。S50：剝離金屬薄膜302上無效區域的光刻膠303，無效區域對應于用于非電性連接的區域，形成如圖5所示結構。S60：腐蝕掉無效區域對應位置處的金屬薄膜302和鈦籽晶層301，形成如圖6所示結構。S70：浸泡剝離剩余的光刻膠303，形成如圖7所示結構，使金屬薄膜用于非電性連接的有效區域無連接，形成再布線結構。采用本實施方式的再布線工藝，形成緩沖層，將晶圓表面的結構平坦化，有效釋放應力。而且，在用于非電性連接的有效區域設置鋁金屬薄本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種嵌入式封裝結構，所述結構包括：基板，配置用于封裝晶圓，所述基板中設有可供所述晶圓嵌入的腔體；所述腔體的下方設有第一金屬焊盤，所述第一金屬焊盤與所述晶圓之間通過第一金屬通孔連通；所述腔體的上方設有銅箔，所述銅箔與所述第一金屬焊盤之間通過第二金屬通孔連通，所述銅箔的上方設有第二金屬焊盤，所述第二金屬焊盤與所述銅箔之間通過第三金屬通孔連通；所述第一金屬通孔、所述第一金屬焊盤、所述第二金屬通孔、所述銅箔、所述第三金屬通孔和所述第二金屬焊盤通過層壓固定設置在所述基板中。

【技術特征摘要】
1.一種嵌入式封裝結構，所述結構包括：基板，配置用于封裝晶圓，所述基板中設有可供所述晶圓嵌入的腔體；所述腔體的下方設有第一金屬焊盤，所述第一金屬焊盤與所述晶圓之間通過第一金屬通孔連通；所述腔體的上方設有銅箔，所述銅箔與所述第一金屬焊盤之間通過第二金屬通孔連通，所述銅箔的上方設有第二金屬焊盤，所述第二金屬焊盤與所述銅箔之間通過第三金屬通孔連通；所述第一金屬通孔、所述第一金屬焊盤、所述第二金屬通孔、所述銅箔、所述第三金屬通孔和所述第二金屬焊盤通過層壓固定設置在所述基板中。2.根據權利要求1所述的嵌入式封裝結構，其特征在于，所述第一金屬通孔、所述第一金屬焊盤、所述第二金屬通孔、所述銅箔、所述第三金屬通孔和所述第二金屬焊盤分別壓合在各自的樹脂材料中，再通過各個樹脂材料層壓合固定于所述基板中。3.根據權利要求1或2所述的嵌入式封裝結構，其特征在于，還包括晶圓，所述晶圓倒裝并嵌入于所述腔體中；以及再布線結構，所述再布線結構電性連接所述晶圓與所述基板。4.根據...

【專利技術屬性】
技術研發人員：高國華，
申請(專利權)人：南通富士通微電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇;32