【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及驅動
,特別涉及一種測試電路。
技術介紹
隨著低溫多晶硅(LTPS)半導體薄膜晶體管的發展,由于LTPS半導體本身超高載流子遷移率的特性,相應的面板周邊的集成電路也成為大家關注的焦點。現有的測試電路(Array Test區域),用于在Array基板制作完成之后,對陣列基板的電性進行測試;測試電路通過外部扎針輸入的公共信號和時鐘信號生成多個測試數據信號,并通過驅動芯片提供的控制信號控制多個薄膜晶體管的開啟和關閉,以控制測試數據信號的輸出;每個薄膜晶體管連接一條數據線。當測試電路工作時,控制信號為高電平,且外部扎針有輸入信號;當測試電路工作時,控制信號為低電平,外部扎針無輸入信號;導致薄膜晶體管的輸入端處于浮動(Floating)狀態,也即不受任何信號的控制。如果當Floating端口有很大的負極性靜電(比如大于薄膜晶體管的控制端的電壓)導入時,會使得薄膜晶體管的柵極到源極之間的電壓Vgs>0,將會出現導通的狀況,此時負極性的靜電會導入到顯示區域的數據線(Dataline)上,
此時面板可能會出現顯示畫面異常的情況,從而降低了面板的顯示效果。故,有必要提出一種測試電路,以解決上述技術問題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種測試電路,以解決現有技術中現有測試電路的容易在測試完畢時,容易將靜電輸入到顯示區域中,導致面板的顯示異常的技術問題。為解決上述問題,本專利技術的技術方案如下:一種測試電路,其包括:其中所述測試電路用于對顯示區域的薄膜晶體管進行檢測;所述顯示區域包括n條數據線,其中n大于等于2;測試 ...
【技術保護點】
一種測試電路,其特征在于,包括:其中所述測試電路用于對顯示區域的薄膜晶體管進行檢測;所述顯示區域包括n條數據線,其中n大于等于2;測試公共信號輸入端、測試時鐘信號輸入端、測試控制端、n個數據輸出端、第一靜電控制端、第二靜電控制端;所述數據輸出端用于向對應的所述數據線輸入測試數據信號;所述數據輸出端與所述數據線一一對應;所述測試電路還包括:信號產生模塊,分別與所述測試公共信號輸入端、所述測試時鐘信號輸入端連接;所述信號產生模塊用于生成與所述數據線對應的測試數據信號;控制模塊,分別與所述測試控制端以及n個數據輸出端連接,所述控制模塊用于在所述測試電路處于工作狀態時,控制所述測試數據信號的輸出;靜電抑制模塊,與所述第一靜電控制端、所述第二靜電控制端、所述控制模塊以及所述信號產生模塊連接,所述靜電抑制模塊用于在所述測試電路處于非工作狀態時,阻止所述數據輸出端輸出。
【技術特征摘要】
1.一種測試電路,其特征在于,包括:其中所述測試電路用于對顯示區域的薄膜晶體管進行檢測;所述顯示區域包括n條數據線,其中n大于等于2;測試公共信號輸入端、測試時鐘信號輸入端、測試控制端、n個數據輸出端、第一靜電控制端、第二靜電控制端;所述數據輸出端用于向對應的所述數據線輸入測試數據信號;所述數據輸出端與所述數據線一一對應;所述測試電路還包括:信號產生模塊,分別與所述測試公共信號輸入端、所述測試時鐘信號輸入端連接;所述信號產生模塊用于生成與所述數據線對應的測試數據信號;控制模塊,分別與所述測試控制端以及n個數據輸出端連接,所述控制模塊用于在所述測試電路處于工作狀態時,控制所述測試數據信號的輸出;靜電抑制模塊,與所述第一靜電控制端、所述第二靜電控制端、所述控制模塊以及所述信號產生模塊連接,所述靜電抑制模塊用于在所述測試電路處于非工作狀態時,阻止所述數據輸出端輸出。2.根據權利要求1所述的測試電路,其特征在于,所述信號產生模塊具有n個輸出端;所述靜電抑制模塊包括第一靜電抑制單元和第二靜電抑制
\t單元;所述第一靜電抑制單元包括第一薄膜晶體管組;所述第一薄膜晶體管組中的每個薄膜晶體管的第一抑制輸出端與所述信號產生模塊的第2k+1輸出端中的一個連接;每個所述第一抑制輸出端對應一所述第2k+1輸出端;所述第一薄膜晶體管組中的每個薄膜晶體管的輸入端與所述第一靜電控制端連接;其中k大于等于0;所述第一薄膜晶體管組中的每個薄膜晶體管的控制端與所述測試控制端連接。3.根據權利要求2所述的測試電路,其特征在于,所述第二靜電抑制單元包括第二薄膜晶體管組;所述第二薄膜晶體管組中的每個薄膜晶體管的第二抑制輸出端與所述信號產生模塊的第2k輸出端中的一個連接,每個所述第二抑制輸出端對應一所述第2k輸出端;所述第二薄膜晶體管組中的每個薄膜晶體管的輸入端與所述第二靜電控制端連接;所述第二薄膜晶體管組中的每個薄膜晶體管的控制端與所述測試控制端連接。4.根據權利要求1所述的測試電路,其特征在于,所述測試時鐘信號輸入端包括m個總測試時鐘信號輸入端;所述信號產生模塊包括第一信號產生單元和第二信號產生單元;所述第一信號產生單元包括第三薄膜晶體管組,所述第三薄膜晶體管組包括m個復用薄膜...
【專利技術屬性】
技術研發人員:馬亮,趙莽,
申請(專利權)人:武漢華星光電技術有限公司,
類型:發明
國別省市:湖北;42
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