一種抗PID單晶太陽電池鍍雙層減反射膜工藝制造技術

本發明專利技術涉及一種抗PID單晶太陽電池鍍雙層減反射膜工藝。其特點是，包括如下步驟：(1)在去磷硅玻璃后的硅片上生長一層氧化層，具體采用紫外氧化工藝，工藝溫度控制在350～400℃，氧氣流量控制在4～10L/min，時間控制在20?50s，在硅片表面形成致密氧化層；(2)將硅片插入石墨舟后送進爐管；(3)爐管抽真空，使爐管內壓力降到35mtorr以下；(4)給爐管通入氨氣6000～6200sccm，控制爐管內壓力在1600～1700mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源。經過試用證明，采用本發明專利技術的方法后，可以通過紫外氧化和PECVD工序很好的解決太陽電池PID效應。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種抗PID單晶太陽電池鍍雙層減反射膜工藝。
技術介紹
太陽能是一種清潔能源，太陽電池是把太陽能轉化成電能的器件，太陽能電池片生產工藝中，為了減少太陽光的反射，一般通過PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強化學氣相沉積法)技術在太陽能電池片的表面表面沉積一層氮化硅膜，工作原理是高頻電源使氨氣和硅烷混合氣體電離，形成等離子體，等離子體沉積在硅片上形成氮化硅薄膜，能夠極大減少太陽光在硅片表面的反射，降低反射率。太陽電池在長期使用過程中，組件邊框和電池片之間會產生一個電場，電池組件邊框以及EVA內的金屬離子會在電場的作用下向電池表面漂移，最終導致太陽電池效率明顯下降甚至失效，此過程稱之為電致電性能衰減效應(PID)，現有的單晶太陽電池鍍膜工藝對太陽電池電致電性能衰減效應無明顯阻抗作用，PID效應會導致太陽電池在長期使用過程中功率損失嚴重，從而導致電池性能大幅降低。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種抗PID單晶太陽電池鍍雙層減反射膜工藝，能夠使電池片具有抗PID功能。一種抗PID單晶太陽電池鍍雙層減反射膜工藝，其特別之處在于，包括如下步驟：(1)在去磷硅玻璃后的硅片上生長一層氧化層，具體采用紫外氧化工藝，工藝溫度控制在350～400℃，氧氣流量控制在4～10L/min，時間控制在20-50s，在硅片表面形成致密氧化層；(2)將硅片插入石墨舟后送進爐管；(3)爐管抽真空，使爐管內壓力降到35mtorr以下；(4)給爐管通入氨氣6000～6200sccm，控制爐管內壓力在1600～1700mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源，控制射頻電源功率6500～6650w，占空比4:45，持續時間300～330秒；(5)關閉射頻電源，抽真空使爐內壓力降到35mtorr以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管內壓力恢復至常壓，停止通氣，再抽真空使爐管內壓力降到35毫托以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管內壓力恢復常壓，停止通氣；(6)抽真空使爐管內壓力降到35mtorr以下，通入氨氣，氨氣流量6000～6200sccm，通入硅烷，硅烷流量800～850sccm，爐管壓力控制在1600～1700mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源，射頻電源功率6500～6650w，占空比3:36，持續時間120～130秒；(7)關閉射頻電源，抽真空使爐管內壓力降至35mtorr以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管壓力恢復常壓，停止通氣；(8)抽真空使爐管內壓力降至35mtorr以下，通入氨氣，氨氣流量5300～5500sccm，通入硅烷，硅烷流量580～680sccm，爐管壓力控制在1600～1700mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源，射頻電源功率6500～6650w，占空比3:36，持續時間620～630秒；(9)關閉射頻電源，抽真空使爐管內壓力降至35mtorr以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管壓力恢復常壓，停止通氣。步驟(4)和(6)和(8)中均利用真空泵電磁閥控制爐管內壓力。經過試用證明，采用本專利技術的方法后，可以通過紫外氧化和PECVD工序很好的解決太陽電池PID效應。本專利技術PECVD后電池片膜厚為85nm，折射率為2.12。具體實施方式實施例1：一種抗PID太陽電池片鍍雙層減反射膜工藝，包括如下步驟：本實施例中所用爐管為深圳捷佳偉創公司380A爐管。(1)將去磷硅玻璃完的硅片，進行紫外氧化工藝，工藝溫度控制在300℃，氧氣流量控制在6L/min，時間控制在35s，形成致密氧化層。(2)將硅片插入石墨舟后送進爐管(爐管為深圳捷佳偉創公司380A爐管)；(3)爐管抽真空，使爐管內壓力降到30mtorr；(4)給爐管通入氨氣6000sccm，利用真空泵電磁閥控制爐管內壓力1600mtorr，繼續通入氨氣，溫度控制在425℃，打開(爐子自帶的)射頻電源，射頻電源功率6500w，占空比4:45，放電持續時間300秒；(5)關閉射頻電源，抽真空使爐內壓力降到30mtorr，通入氮氣，氮氣流量10000sccm，使爐管內壓力恢復至常壓，然后停止通氣，再抽真空使爐管內壓力降到30mtorr，通入氮氣，氮氣流量10000sccm，使爐管壓力恢復常壓，停止通氣；(6)抽真空使爐管內壓力降到30mtorr，通入氨氣，氨氣流量6000sccm，通入硅烷，硅烷流量800sccm，利用真空泵電磁閥爐管壓力控制在1600mtorr，繼續通入反應氣體，溫度控制在425℃，打開射頻電源，射頻電源功率6500w，占空比3:36，放電持續時間120秒；(7)關閉射頻電源，抽真空使爐管內壓力降至30mtorr，通入氮氣，氮氣流量10000sccm，使爐管壓力恢復常壓，停止通氣；(8)抽真空使爐管內壓力降至30mtorr，通入氨氣，氨氣流量5300sccm，通入硅烷，硅烷流量580sccm，爐管壓力控制在1600mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源，射頻電源功率6500w，占空比3:36，放電持續時間620秒；(9)關閉射頻電源，抽真空使爐管內壓力降至30mtorr，通入氮氣，氮氣流量10000sccm，使爐管壓力恢復常壓，然后停止通氣。(10)采用此工藝和常規工藝膜厚、折射率對比：表一：電池片做成組件恒溫恒濕(PID，溫度85℃，相對濕度85％，1000h)環境測試數據記錄：由此可見，采用上述技術方案，從實驗結果得出組件抗電性能衰減(PID)優于常規鍍膜工藝行業衰減5％。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種抗PID單晶太陽電池鍍雙層減反射膜工藝，其特征在于，包括如下步驟：(1)在去磷硅玻璃后的硅片上生長一層氧化層，具體采用紫外氧化工藝，工藝溫度控制在350～400℃，氧氣流量控制在4～10L/min，時間控制在20?50s，在硅片表面形成致密氧化層；(2)將硅片插入石墨舟后送進爐管；(3)爐管抽真空，使爐管內壓力降到35mtorr以下；(4)給爐管通入氨氣6000～6200sccm，控制爐管內壓力在1600～1700mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源，控制射頻電源功率6500～6650w，占空比4:45，持續時間300～330秒；(5)關閉射頻電源，抽真空使爐內壓力降到35mtorr以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管內壓力恢復至常壓，停止通氣，再抽真空使爐管內壓力降到35毫托以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管內壓力恢復常壓，停止通氣；(6)抽真空使爐管內壓力降到35mtorr以下，通入氨氣，氨氣流量6000～6200sccm，通入硅烷，硅烷流量800～850sccm，爐管壓力控制在1600～1700mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源，射頻電源功率6500～6650w，占空比3:36，持續時間120～130秒；(7)關閉射頻電源，抽真空使爐管內壓力降至35mtorr以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管壓力恢復常壓，停止通氣；(8)抽真空使爐管內壓力降至35mtorr以下，通入氨氣，氨氣流量5300～5500sccm，通入硅烷，硅烷流量580～680sccm，爐管壓力控制在1600～1700mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源，射頻電源功率6500～6650w，占空比3:36，持續時間620～630秒；(9)關閉射頻電源，抽真空使爐管內壓力降至35mtorr以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管壓力恢復常壓，停止通氣。...

【技術特征摘要】
1.一種抗PID單晶太陽電池鍍雙層減反射膜工藝，其特征在于，包括如下步驟：(1)在去磷硅玻璃后的硅片上生長一層氧化層，具體采用紫外氧化工藝，工藝溫度控制在350～400℃，氧氣流量控制在4～10L/min，時間控制在20-50s，在硅片表面形成致密氧化層；(2)將硅片插入石墨舟后送進爐管；(3)爐管抽真空，使爐管內壓力降到35mtorr以下；(4)給爐管通入氨氣6000～6200sccm，控制爐管內壓力在1600～1700mtorr，溫度控制在425℃，打開射頻電源，控制射頻電源功率6500～6650w，占空比4:45，持續時間300～330秒；(5)關閉射頻電源，抽真空使爐內壓力降到35mtorr以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管內壓力恢復至常壓，停止通氣，再抽真空使爐管內壓力降到35毫托以下，通入氮氣，氮氣流量10000～20000sccm，使爐管內壓力恢復常壓，停止通氣；(6)抽真空使爐管內壓力降到35mtorr以下，通入氨氣，氨氣流量6000～6200sccm...

【專利技術屬性】
技術研發人員：丁繼業，陳剛剛，安百俊，崔智秋，
申請(專利權)人：寧夏銀星能源光伏發電設備制造有限公司，
類型：發明
國別省市：寧夏;64