本實(shí)用新型專利技術(shù)提供了一種發(fā)光二極管，包括組裝的一外延結(jié)構(gòu)和一支架，外延結(jié)構(gòu)的底部具有一通孔，支架具有一凸起，外延結(jié)構(gòu)通過凸起插入通孔內(nèi)，使支架與外延結(jié)構(gòu)快速組裝，并且當(dāng)注入一定電流后，外延結(jié)構(gòu)發(fā)射一定波長(zhǎng)的光線。本實(shí)用新型專利技術(shù)無需電極蒸鍍制程制作電極，從而簡(jiǎn)化了發(fā)光二極管的制程，降低了其生產(chǎn)成本；并且在后續(xù)的封裝制程中，無需傳統(tǒng)的打線，直接通過支架接入外接電源，即可完成封裝，從而大大簡(jiǎn)化了封裝流程，降低了封裝成本。另外,無電極的發(fā)光二極管，減少了電極pad的遮光面積，可進(jìn)一步提升發(fā)光二極管亮度。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管。
技術(shù)介紹
目前發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)包括水平結(jié)構(gòu)、垂直結(jié)構(gòu)和倒裝結(jié)構(gòu)，三種結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管各具優(yōu)勢(shì)和不足，就制作工序而言，水平結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管制作工序較垂直結(jié)構(gòu)和倒裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；而就封裝工序而言，水平結(jié)構(gòu)需P、N電極打線封裝，而垂直結(jié)構(gòu)和倒裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化了打線或無需打線操作。另外，水平結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管在制作工序中，為滿足打線，通常需采用鍍膜工藝蒸鍍P、N電極，具體地還包括光刻、清洗、蒸鍍、剝離（剝?nèi)ザ嘤嗟慕饘伲⑷ツz等復(fù)雜工序。因此，若簡(jiǎn)化設(shè)置省略電極制作工序和打線工序，可大大縮減發(fā)光二極管的生產(chǎn)成本以及封裝成本。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供了一種發(fā)光二極管， 包括一外延結(jié)構(gòu)和一支架，所述外延結(jié)構(gòu)包括依次層疊的絕緣襯底、N型層、發(fā)光層、P型層、電流擴(kuò)展層、以及位于所述N型層、發(fā)光層和P型層側(cè)面的絕緣層，所述支架包括金屬豎直結(jié)構(gòu)和金屬水平結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述發(fā)光二極管由所述外延結(jié)構(gòu)和支架組裝而成，所述絕緣襯底具有一通孔，所述金屬水平結(jié)構(gòu)具有一凸起，所述凸起插入通孔內(nèi)與N型層接觸，所述金屬豎直結(jié)構(gòu)上端與所述電流擴(kuò)展層接觸，下端通過絕緣的鉸鏈與所述金屬水平結(jié)構(gòu)連接，當(dāng)所述支架注入電流后，所述外延結(jié)構(gòu)發(fā)光。優(yōu)選的，所述通孔的深度為D，絕緣襯底的厚度為L(zhǎng)1，N型層的厚度為L(zhǎng)2，D、L1和L2的關(guān)系符合：L1≤D＜L1+L2。優(yōu)選的，所述凸起的高度為H，所述通孔的深度為D，H和D的關(guān)系符合：H=D。優(yōu)選的，所述金屬豎直結(jié)構(gòu)上端具有一方形接觸部，所述金屬豎直結(jié)構(gòu)通過接觸部與電流擴(kuò)展層接觸。優(yōu)選的，所述方形接觸部寬度等于絕緣層厚度，高度小于等于電流擴(kuò)展層厚度。優(yōu)選的，所述金屬豎直結(jié)構(gòu)上端具有一指狀接觸部，所述指狀接觸部具有復(fù)數(shù)個(gè)接觸凸起，所述電流擴(kuò)展層側(cè)面具有復(fù)數(shù)個(gè)凹陷區(qū)，所述接觸凸起插入所述凹陷區(qū)內(nèi)，使所述金屬豎直結(jié)構(gòu)通過接觸部與電流擴(kuò)展層接觸。優(yōu)選的，所述接觸凸起和凹陷區(qū)數(shù)目相同。本技術(shù)的有益效果包括：通過支架和外延結(jié)構(gòu)快速組裝成發(fā)光二極管，無需電極蒸鍍制程制作電極，從而簡(jiǎn)化了發(fā)光二極管的制程，降低了其生產(chǎn)成本；并且在后續(xù)的封裝制程中，無需傳統(tǒng)的打線，直接通過支架接入外接電源，即可完成封裝，從而大大簡(jiǎn)化了封裝流程，降低了封裝成本。另外, 無電極的發(fā)光二極管，減少了電極pad的遮光面積，可進(jìn)一步提升發(fā)光二極管亮度。附圖說明圖1為本技術(shù)實(shí)施例1之發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本技術(shù)實(shí)施例1之外延結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本技術(shù)實(shí)施例1之支架結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本技術(shù)實(shí)施例2之指狀接觸部俯視示意圖。圖5為本技術(shù)實(shí)施例2之電流擴(kuò)展層俯視示意圖。圖6為本技術(shù)實(shí)施例2之指狀接觸部和電流擴(kuò)展層接觸俯視示意圖。附圖標(biāo)注：100.外延結(jié)構(gòu)；110.絕緣襯底；111.通孔；120.N型層；130.發(fā)光層；140.P型層；150.電流擴(kuò)展層；151.凹陷區(qū)；160.絕緣層；200.支架；210.金屬水平結(jié)構(gòu)；211.凸起；220.金屬豎直結(jié)構(gòu)；221.方形接觸部；221’.指狀接觸部；2211.接觸凸起；230.絕緣鉸鏈。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本專利技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)說明。需說明的是，本專利技術(shù)的附圖均采用非常簡(jiǎn)化的非精準(zhǔn)比例，僅用以方便、明晰的輔助說明本專利技術(shù)。實(shí)施例1本技術(shù)公開了一種發(fā)光二極管， 大大簡(jiǎn)化了電極的制程，降低發(fā)光二極管的生產(chǎn)成本，參看附圖1，其包括一外延結(jié)構(gòu)100和一支架200，支架200呈“00型，所述發(fā)光二極管由所述外延結(jié)構(gòu)和支架組裝而成。外延結(jié)構(gòu)100和支架200組裝成發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管無需電極蒸鍍制程制作電極，從而簡(jiǎn)化了發(fā)光二極管的制程，降低了其生產(chǎn)成本；并且在后續(xù)的封裝制程中，無需傳統(tǒng)的打線，直接通過支架200接入外接電源，即可完成封裝，從而大大簡(jiǎn)化了封裝流程，降低了封裝成本。另外, 無電極的發(fā)光二極管，減少了電極pad的遮光面積，可進(jìn)一步提升發(fā)光二極管亮度。圖1中所示外延結(jié)構(gòu)100位于支架200的右側(cè)為本實(shí)施例的優(yōu)選方案，兩者的位置關(guān)系并不限于此，例如支架200也可位于外延結(jié)構(gòu)的右側(cè)，此時(shí)支架呈反“可位型。參看附圖2，其中，外延結(jié)構(gòu)100包括依次層疊的絕緣襯底110、N型層120、發(fā)光層130、P型層140、電流擴(kuò)展層150、以及位于N型層120、發(fā)光層130和P型層140側(cè)面的絕緣層160，絕緣襯底110具有一通孔111。如圖2所示，通孔111的深度為D，絕緣襯底110厚度為L(zhǎng)1，N型層的厚度為L(zhǎng)2，D、L1和L2的關(guān)系符合：L1≤D＜L1+L2。絕緣襯底110優(yōu)選藍(lán)寶石材料，可為平片襯底也可為圖形化襯底。電流擴(kuò)展層150優(yōu)選氧化銦錫材料。絕緣層160優(yōu)選Si02、SiNX等材料。參看附圖1和3，支架200包括金屬水平結(jié)構(gòu)210和金屬豎直結(jié)構(gòu)220，金屬水平結(jié)構(gòu)220具有一凸起211，凸起211插入通孔111內(nèi)與N型層120接觸，金屬豎直結(jié)構(gòu)220上端具有一方形接觸部221，其通過方形接觸部221與電流擴(kuò)展層150接觸，下端通過絕緣鉸鏈230與金屬水平結(jié)構(gòu)210連接，當(dāng)支架200注入電流后，外延結(jié)構(gòu)100發(fā)射一定波長(zhǎng)的光線。凸起211和方形接觸部221均為金屬材質(zhì)；凸起211的高度為H，H和D之間的關(guān)系符合：H=D，以保證凸起211和N型層120緊密接觸。方形接觸部221的寬度等于外延結(jié)構(gòu)100側(cè)面絕緣層160的厚度，其高度小于等于透明導(dǎo)電層150的厚度，以保證金屬豎直結(jié)構(gòu)220與透明導(dǎo)電層160緊密接觸。金屬水平結(jié)構(gòu)210和金屬豎直結(jié)構(gòu)220通過絕緣鉸鏈230連接，鉸鏈230采用絕緣材料，是為使金屬水平結(jié)構(gòu)210和金屬豎直結(jié)構(gòu)220電性隔離，保證注入電流時(shí)，電流流經(jīng)外延結(jié)構(gòu)100使其發(fā)光，而不是電流選擇最短路徑，支架導(dǎo)通，無法使外延結(jié)構(gòu)100發(fā)光。采用鉸鏈230連接金屬水平結(jié)構(gòu)210和金屬豎直結(jié)構(gòu)220，是因?yàn)椋诮M裝支架200和外延結(jié)構(gòu)100時(shí)，需將金屬豎直結(jié)構(gòu)220遠(yuǎn)離外延結(jié)構(gòu)100擺動(dòng)一定角度，然后將外延結(jié)構(gòu)100插入凸起211上，最后再將金屬豎直結(jié)構(gòu)220復(fù)位，以實(shí)現(xiàn)支架200和外延結(jié)構(gòu)100的快速組裝。實(shí)施例2本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于：為了提高支架200與外延結(jié)構(gòu)100的電性接觸性，參看附圖4，本實(shí)施例中金屬豎直結(jié)構(gòu)221上端具有一指狀接觸部221’其具有復(fù)數(shù)個(gè)接觸凸起2211，與復(fù)數(shù)個(gè)接觸凸起2211對(duì)應(yīng)，參看附圖5，電流擴(kuò)展層150具有復(fù)數(shù)個(gè)凹陷區(qū)151，接觸凸起2211與凹陷區(qū)151數(shù)目相同，并且接觸凸起2211的下表面涂覆或蒸鍍接觸性能較好的Cr或Ti等金屬材料，同樣地，凸起211的上表面也涂覆或蒸鍍接觸性能較好的Cr或Ti等金屬材料。為避免支架200吸收外延結(jié)構(gòu)100發(fā)射的光線，支架200與外延結(jié)構(gòu)100接觸的側(cè)面均涂覆或蒸鍍反射性金屬或支架200采用反射性金屬制備而成。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述具體實(shí)施方案為本技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例，本技術(shù)的范圍不限于該實(shí)施例，凡依本技術(shù)所做的任何變更，皆屬本技術(shù)的保護(hù)范圍之內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種發(fā)光二極管，?包括一外延結(jié)構(gòu)和一支架，所述外延結(jié)構(gòu)包括依次層疊的絕緣襯底、N型層、發(fā)光層、P型層、電流擴(kuò)展層、以及位于所述N型層、發(fā)光層和P型層側(cè)面的絕緣層，所述支架包括金屬豎直結(jié)構(gòu)和金屬水平結(jié)構(gòu)，所述絕緣襯底具有一通孔，所述金屬水平結(jié)構(gòu)具有一凸起，所述凸起插入通孔內(nèi)與N型層接觸，所述金屬豎直結(jié)構(gòu)上端與所述電流擴(kuò)展層接觸，下端通過絕緣的鉸鏈與所述金屬水平結(jié)構(gòu)連接，當(dāng)所述支架注入電流后，所述外延結(jié)構(gòu)發(fā)光。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光二極管， 包括一外延結(jié)構(gòu)和一支架，所述外延結(jié)構(gòu)包括依次層疊的絕緣襯底、N型層、發(fā)光層、P型層、電流擴(kuò)展層、以及位于所述N型層、發(fā)光層和P型層側(cè)面的絕緣層，所述支架包括金屬豎直結(jié)構(gòu)和金屬水平結(jié)構(gòu)，所述絕緣襯底具有一通孔，所述金屬水平結(jié)構(gòu)具有一凸起，所述凸起插入通孔內(nèi)與N型層接觸，所述金屬豎直結(jié)構(gòu)上端與所述電流擴(kuò)展層接觸，下端通過絕緣的鉸鏈與所述金屬水平結(jié)構(gòu)連接，當(dāng)所述支架注入電流后，所述外延結(jié)構(gòu)發(fā)光。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述通孔的深度為D，絕緣襯底的厚度為L(zhǎng)1，N型層的厚度為L(zhǎng)2，D、L1和L2的關(guān)系符合：L1≤D＜L1+L2。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蔡家豪，古靜，陳文志，鐘丹丹，王宜麗，劉晶，邱智中，張家宏，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：安徽三安光電有限公司，
類型：新型
國別省市：安徽;34
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