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    一種PCB上BGA位置的背鉆孔制作方法技術

    技術編號:13883553 閱讀:105 留言:0更新日期:2016-10-23 17:15
    本發明專利技術公開一種PCB上BGA位置的背鉆孔制作方法。本發明專利技術通過優化背鉆孔的工藝,可有效避免背鉆孔加工時由于溫度過高而導致孔壁出現碎屑粘連的問題,防止背鉆孔發生接觸不良、短路等問題,提高背鉆孔加工的精度,進而有效改善所制得的PCB的品質。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術線路板機械加工
    ,具體涉及一種 PCB 上BGA位置的背鉆孔制作方法。
    技術介紹
    PCB(印制線路板)上的BGA區域設有陣列的金屬化孔,為實現BGA區域的屏蔽效果,需要除去孔內的一部分金屬層。現有技術中,采用線路蝕刻以后連續兩次鉆重復鉆或直接鑼的方法 ;該方法會使得孔口披鋒嚴重,而且連續兩次鉆孔會造成孔口的焊環脫落,嚴重影響 PCB 成品率和性能。此外,鉆孔時產生的高溫容易使碎屑與金屬層粘連,不但容易導致鉆孔深度難以掌握,更容易導致鉆孔后孔內殘留金屬層接觸不良或短路。此外,鉆孔時的高溫還容易導致PCB尺寸變形、影響定位。
    技術實現思路
    有鑒于此,本專利技術公開一種降低鉆孔溫度對鉆孔工藝不良影響的背鉆孔方法。本專利技術的目的通過以下技術方案實現:一種 PCB 上BGA位置的背鉆孔制作方法,包括步驟 :S1.對線路板基板進行開料、貼干膜、內層棕化及壓板處理后,對其進行第一次鉆孔 ;S2.全板沉銅電鍍,并對沉銅電鍍后的步驟S1所述經壓板處理的壓合板進行外層圖形轉移,以及圖形電鍍銅及錫 ;S3.在BGA位置的孔上進行背鉆;S4.對背鉆以后的板進行堿性蝕刻處理 ;S5.將步驟S4所得PCB板進行退錫處理,將退錫處理后的PCB板通過飛針測試儀進行檢測,檢測合格,制得成品;所述步驟S3中,首先背鉆BGA位置上外側的孔,再依次背鉆BGA位置中心的孔。BGA位置上的孔一般為陣列狀排列,先背鉆邊緣(外側)的孔,可以使BGA區域的溫度均衡,避免板上溫度不均而發生變形影響定位精度。而BGA位置邊緣的孔熱量散發交款,后鉆中心位置的孔可以避免BGA區域溫度過高、碎屑粘連在孔壁。進一步的,所述的步驟S1第一次鉆孔孔徑為 0.4-0.5mm 直徑的孔,主軸鉆速110krpm-170krpm,控制孔徑粗細10-15μm。進一步的,所述的步驟 S2為全板加板電鍍,在孔內做上一層金屬層,厚度為 0.25μm-10μm,使其加板電鍍以后孔銅厚度為3-10 μm。更進一步的,所述的步驟S2圖形電鍍的電鍍孔銅厚 20-50μm ;電鍍錫使用 3.0-4.3ASD 的電流密度,電鍍 8-11min,錫厚控制3-6μm。更進一步的,所述的步驟S3進行背鉆時,先在機臺上墊上一塊酚醛或纖維板,使用同一個定位資料,先鑼出一個平臺,深度 0.3-1.6mm,將板放在平臺上,控制主軸的下鉆速度 0.2-0.8m/min ;主軸鉆速為20krpm-180krpm。優選的,所述步驟S4通過飛針測試儀進行檢測時為四線飛針檢測,通過測試孔內的銅開短路,使用通斷測試來判定背鉆孔的開路情況;開路判定合格,做切片分析分析背鉆的深度是否合格,要求控制深度的公差為±0.075mm 到 ±0.1mm。本專利技術對鉆孔參數的設計,可以確保鉆孔后孔壁的光潔度,提高PCB品質。優選的,所述S3在BGA位置的孔上進行背鉆孔錢,還包括對孔內灌注保護液;所述保護液其原料按重量計包括α-萘酚2份、茚三酮3份、二氫月桂烯醇29份和3份的EDTA二鈉以及90份的乙酸乙酯。所述α-萘酚,又名甲萘酚,1-萘酚。有難聞的苯酚氣味。 微溶于水,易溶于乙醇、乙醚、苯、氯仿,溶于氫氧化鈉溶液。用于合成染料及其中間體,還用于合成香料及其它有機合成工業,可選用任一種市售產品實現。所述茚三酮是一種用于檢測氨或者一級胺和二級胺的試劑。當與這些游離胺反應時,能夠產生深藍色或者紫色的物質,叫做Ruhemann紫。茚三酮常用來檢測指紋,這是由于指紋表面所蛻落的蛋白質和肽中含有的賴氨酸殘基,其上的一級胺被茚三酮檢測,本專利技術中可選用市售產品實現。二氫月桂烯醇主要從二氫月桂烯(自蒎烯的加氫產物蒎烷裂解生成)在酸催化下和水、甲酸加成而得,為市售產品。專利技術人在研究中發現,鉆孔時對孔內灌入適量的α-萘酚、茚三酮,可有效印制金屬碎屑與孔內軟化的非金屬區粘連,二氫月桂烯醇和EDTA二鈉更能避免碎屑聚集成團融化、附著在孔壁的金屬層上,確保孔壁的光滑度。本專利技術通過優化背鉆孔的工藝,可有效避免背鉆孔加工時由于溫度過高而導致孔壁出現碎屑粘連的問題,防止背鉆孔發生接觸不良、短路等問題,提高背鉆孔加工的精度,進而有效改善所制得的PCB的品質。具體實施方式為了便于本領域技術人員理解,下面將結合實施例對本專利技術作進一步詳細描述:實施例1本實施例提供一種 PCB 上BGA位置的背鉆孔制作方法,包括步驟 :S1.對線路板基板進行開料、貼干膜、內層棕化及壓板處理后,對其進行第一次鉆孔 ;S2.全板沉銅電鍍,并對沉銅電鍍后的步驟S1所述經壓板處理的壓合板進行外層圖形轉移,以及圖形電鍍銅及錫 ;S3.在BGA位置的孔上進行背鉆;S4.對背鉆以后的板進行堿性蝕刻處理 ;S5.將步驟S4所得PCB板進行退錫處理,將退錫處理后的PCB板通過飛針測試儀進行檢測,檢測合格,制得成品;所述步驟S3中,首先背鉆BGA位置上外側的孔,再依次背鉆BGA位置中心的孔。優選的,所述S3在BGA位置的孔上進行背鉆孔錢,還包括對孔內灌注保護液;所述保護液其原料按重量計包括α-萘酚2份、茚三酮3份、二氫月桂烯醇29份和3份的EDTA二鈉以及90份的乙酸乙酯。本實施例未詳細說明的,均可選用任一種現有技術實現。實施例2本實施例提供一種 PCB 上BGA位置的背鉆孔制作方法,包括步驟 :S1.對線路板基板進行開料、貼干膜、內層棕化及壓板處理后,對其進行第一次鉆孔 ;S2.全板沉銅電鍍,并對沉銅電鍍后的步驟S1所述經壓板處理的壓合板進行外層圖形轉移,以及圖形電鍍銅及錫 ;S3.在BGA位置的孔上進行背鉆;S4.對背鉆以后的板進行堿性蝕刻處理 ;S5.將步驟S4所得PCB板進行退錫處理,將退錫處理后的PCB板通過飛針測試儀進行檢測,檢測合格,制得成品;所述步驟S3中,首先背鉆BGA位置上外側的孔,再依次背鉆BGA位置中心的孔。進一步的,所述的步驟S1第一次鉆孔孔徑為 0. 5mm 直徑的孔,主軸鉆速160krpm,控制孔徑粗細12μm。進一步的,所述的步驟 S2為全板加板電鍍,在孔內做上一層金屬層,厚度為 5μm,使其加板電鍍以后孔銅厚度為7μm。更進一步的,所述的步驟S2圖形電鍍的電鍍孔銅厚30m ;電鍍錫使用 3.0-4.3ASD 的電流密度,電鍍 8-11min,錫厚控制5μm。更進一步的,所述的步驟S3進行背鉆時,先在機臺上墊上一塊酚醛或纖維板,使用同一個定位資料,先鑼出一個平臺,深度 0.5mm,將板放在平臺上,控制主軸的下鉆速度 0.3m/min ;主軸鉆速為150krpm。優選的,所述步驟S4通過飛針測試儀進行檢測時為四線飛針檢測,通過測試孔內的銅開短路,使用通斷測試來判定背鉆孔的開路情況;開路判定合格,做切片分析分析背鉆的深度是否合格,要求控制深度的公差為±0.075mm 到 ±0.1mm。優選的,所述S3在BGA位置的孔上進行背鉆孔錢,還包括對孔內灌注保護液;所述保護液其原料按重量計包括α-萘酚2份、茚三酮3份、二氫月桂烯醇29份和3份的EDTA二鈉以及90份的乙酸乙酯。實施例3本實施例提供一種 PCB 上BGA位置的背鉆孔制作方法,包括步驟 :S1.對線路板基板進行開料、貼干膜、內層棕化及壓板處理后,對其進行第一次鉆孔 ;S2.全板沉銅電鍍,并對沉銅電鍍后的步驟S1本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種?PCB?上BGA位置的背鉆孔制作方法,包括步驟?:S1.對線路板基板進行開料、貼干膜、內層棕化及壓板處理后,對其進行第一次鉆孔?;S2.全板沉銅電鍍,并對沉銅電鍍后的步驟S1所述經壓板處理的壓合板進行外層圖形轉移,以及圖形電鍍銅及錫?;S3.在BGA位置的孔上進行背鉆;S4.對背鉆以后的板進行堿性蝕刻處理?;S5.將步驟S4所得PCB板進行退錫處理,將退錫處理后的PCB板通過飛針測試儀進行檢測,檢測合格,制得成品;所述步驟S3中,首先背鉆BGA位置上外側的孔,再依次背鉆BGA位置中心的孔。

    【技術特征摘要】
    1.一種 PCB 上BGA位置的背鉆孔制作方法,包括步驟 :S1.對線路板基板進行開料、貼干膜、內層棕化及壓板處理后,對其進行第一次鉆孔 ;S2.全板沉銅電鍍,并對沉銅電鍍后的步驟S1所述經壓板處理的壓合板進行外層圖形轉移,以及圖形電鍍銅及錫 ;S3.在BGA位置的孔上進行背鉆;S4.對背鉆以后的板進行堿性蝕刻處理 ;S5.將步驟S4所得PCB板進行退錫處理,將退錫處理后的PCB板通過飛針測試儀進行檢測,檢測合格,制得成品;所述步驟S3中,首先背鉆BGA位置上外側的孔,再依次背鉆BGA位置中心的孔。2.如權利要求 1 所述的方法,其特征是 :所述的步驟S1第一次鉆孔孔徑為 0.4-0.5mm 直徑的孔,主軸鉆速110krpm-170krpm,控制孔徑粗細10-15μm。3.如權利要求 2 所述的 PCB 背鉆孔制作方法,其特征是 :所述的步驟 S2為全板加板電鍍,在孔內做上一層金屬層,厚度為 0.25μm-10μm,使其加板電鍍以后孔銅厚度為3-10 μm。4.如權利要求 2 所述的方法,其特征...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:韓明曾紅黎欽源王峻
    申請(專利權)人:廣合科技廣州有限公司
    類型:發明
    國別省市:廣東;44

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