一種裝置包括：載體，其具有第一層級上的第一載體部分和第二層級上的第二載體部分，第二層級不同于第一層級。該裝置還包括：化合物半導體芯片，其設置在第一載體部分之上；和控制半導體芯片，其設置在第二載體部分之上，其中，控制半導體芯片被配置成用于控制所述化合物半導體芯片。封裝材料覆蓋所述化合物半導體芯片和所述控制半導體芯片。
【技術實現步驟摘要】
本公開總體涉及半導體裝置。更特別地，本公開涉及包括化合物半導體材料和具有多層級的載體的裝置。
技術介紹
半導體裝置可包括可設置在單獨封裝中的多個半導體芯片。單獨封裝可需要被電聯接，以便在所包括的半導體芯片之間建立通信。在操作半導體裝置過程中，不期望的效應、例如寄生電感可發生在半導體裝置的內側和外側。半導體裝置時常需要被改進。尤其地，期望的是降低在操作裝置過程中可能發生的不期望的效應。附圖說明所包括的附圖提供了對本說明書的實施例的進一步理解，且附圖被合并在本說明書中，并構成本說明書的一部分。附圖示出了實施例，且連同說明書用于解釋實施例的原理。其他實施例以及實施例的許多期望優點將通過參考詳細說明書更好地理解它們而被容易地接受。附圖的元件不必定地彼此成比例。相同的附圖標記可表示相應的類似部件。圖1A示意性地示出了根據本公開的裝置100的頂視圖。圖1B示意性地示出了裝置100的剖視側視圖。圖2A示意性地示出了根據本公開的裝置200的頂視圖。圖2B示意性地示出了裝置200的剖視側視圖。圖3A示意性地示出了根據本公開的裝置300的頂視圖。圖3B示意性地示出了裝置300的剖視側視圖。圖4A示意性地示出了根據本公開的裝置400的頂視圖。圖4B示意性地示出了裝置400的剖視側視圖。圖5A示意性地示出了根據本公開的裝置500的頂視圖。圖5B示意性地示出了裝置500的剖視側視圖。圖6示意性地示出了根據本公開的裝置600的透視圖。圖7示出了半橋式電路700的示意圖。具體實施方式在以下的詳細說明書中，將會參考構成說明書的一部分的附圖，在附圖中，通過描述示出了可以實施本公開的特定實施例。在這方面，方向術語、比如“上”、“下”、“前”、“后”等可參考所描述的附圖的方位來使用。由于所描述裝置的構件可以以多種不同的方位定位，因此，方向術語可用于說明性目的，而不是限制性的。也可以使用其他實施例，而且也可在不脫離本公開的范圍的情況下進行結構上或邏輯上的改變。因此，下面的詳細說明書不應認為是限制性的，且本公開的思想由所附的權利要求來限定。該說明書中所采用的術語“連接的”、“聯接的”、“電連接的”和/或“電聯接的”不必是指元件必須直接地連接或聯接起來。中間元件可設置在“連接的”、“聯接的”、“電連接的”或“電聯接的”的元件之間。另外，例如關于形成于或位于物體的表面“之上”的材料層所使用的術語“之上”在此可用于表示材料層可“直接地”位于(例如形成于、沉積于等)(例如直接接觸于)所指的表面上。例如關于形成于或位于表面“之上”的材料層所使用的術語“之上”在此也可用于表示材料層可“間接地”位于(例如形成于、沉積于等)所指的表面上，且例如一個或多個附加層設置在所指的表面與所述材料層之間。另外，術語“垂直的”和“平行的”在此可針對兩個或更多個構件的相對定向來使用。應當理解，這些術語不是必定意味著所規定的幾何關系以理想的幾何意義來實現。相反，在這方面可能需要考慮到所涉及的構件的制造公差。例如，如果半導體封裝的封裝材料的兩個表面被限定為彼此垂直(或平行)，則這些表面之間的實際角度可根據公差以偏移值偏離于90(或0)度的精確值，所述公差通?？稍趹糜糜谥圃煊煞庋b材料制成的殼體的技術時產生。在此對裝置和用于制造該裝置的方法進行描述。關于所描述的裝置所作的評述也可同樣適用于相應的方法，反之亦然。例如，如果描述了裝置
的特定構件，則用于制造該裝置的相應方法就可包括以適當的方式提供該構件的行動，即便這種行動未被明確描述或未被附圖示出。此外，除非另外特別說明，否則，在此所描述的各種示例性實施例的特征可彼此組合。在此所描述的裝置可包括可以是不同類型的且可通過不同技術制造的一個或多個半導體芯片。通常，半導體芯片可包括集成電子、電子光學或機電電路、被動元件(passive)等。此外，集成電路可被設計成邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號集成電路、功率集成電路、存儲電路、集成被動元件、微機電系統等。半導體芯片不必由特定半導體材料來制造，且可包含非半導體的無機和/或有機材料，例如絕緣體、塑料或金屬。在一個示例中，半導體芯片可由基本半導體材料(例如Si等)制成或可包括基本半導體材料。在另一示例中，半導體芯片可由化合物半導體材料(例如GaN、SiC、SiGe、GaAs等)制成或可包括化合物半導體材料。尤其地，在此所描述的裝置可包括基于化合物半導體材料的一個或多個化合物半導體芯片。半導體芯片可包括一個或多個功率半導體。通常，功率半導體芯片可被配置成二極管、功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT、(絕緣柵雙極晶體管)、JFET(結柵場效應晶體管)、HEMT(高電子遷移率晶體管)、超結裝置(super junction device)、功率雙極晶體管等。尤其地，功率半導體芯片可基于以上所特定的化合物半導體材料中的一個或多個。根據本公開的裝置不限于包括特定類型的功率半導體芯片。因此，關于特定類型的功率半導體芯片可所作的評述可同樣地適用于其他類型的功率半導體芯片。因此，例如術語“功率MOSFET”、“功率HEMT”、“MOSFET”、“HEMT”在此可同義地使用。半導體芯片可具有垂直結構，即半導體芯片可被制造成：使得電流可大致沿著與半導體芯片的主面垂直的方向流動。具有垂直結構的半導體芯片可具有在它的兩個主面之上的電極，即在它的上側和下側之上的電極。尤其地，功率半導體芯片可具有垂直結構，且可具有設置在兩個主面之上的負載電極。例如，功率MOSFET的源電極和柵極電極可設置在一個面之上，同時功率MOSFET的漏電極可設置在另一面之上。在另一示例中，功率HEMT可被配置成垂直功率半導體芯片。對于垂直功率半導體芯片的另
外的示例是PMOS(P溝道金屬氧化物半導體)、NMOS(N溝道金屬氧化物半導體)或以上所說明的示例性功率半導體中的一個。半導體芯片可具有橫向結構，即半導體芯片可被制造成：使得電流可大致沿著與半導體芯片的主面平行的方向流動。具有橫向結構的半導體芯片可具有設置在它的主面中的一個之上的電極。在一個示例中，具有橫向結構的半導體芯片可包括集成電路，例如邏輯芯片。在另一示例中，功率半導體芯片可具有橫向結構，其中，負載電極可設置在芯片的一個主面之上。例如，功率MOSFET的源電極、柵極電極和漏電極可設置在功率MOSFET的一個主面之上。橫向功率半導體芯片的另一示例可以是HEMT(高電子遷移晶體管)，其可由上述化合物半導體材料中的一個或多個來制造。在此所描述的裝置可包括一個或多個控制半導體芯片(或控制集成電路)，其被配置成用于控制和/或驅動裝置的電子構件。例如，控制半導體芯片可被配置成用于控制和/或驅動一個或多個功率半導體芯片的集成電路。在這方面，術語“控制半導體芯片”和“驅動器半導體芯片”可同義地使用。驅動電路可被配置成用于驅動可被包括在裝置中的一個或多個電子構件，例如高功率晶體管。被驅動的構件可以是電壓驅動式或電流驅動式。例如，功率MOSFET、IGBT等可以是電壓驅動式開關，因為它們的絕緣柵可尤其表現成類似于電容器。相反地，開關、比如三端雙向可控硅開關(triac)(用于交流的三極管)、閘流晶體管、雙極晶體管、PN二極管等可以是電本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種裝置，包括：載體，其包括第一層級上的第一載體部分和第二層級上的第二載體部分，第二層級不同于第一層級；化合物半導體芯片，其設置在第一載體部分之上；控制半導體芯片，其設置在第二載體部分之上，且被配置成用于控制所述化合物半導體芯片；和封裝材料，其覆蓋所述化合物半導體芯片和所述控制半導體芯片。
【技術特征摘要】
2015.03.31 DE 102015104995.31.一種裝置，包括：載體，其包括第一層級上的第一載體部分和第二層級上的第二載體部分，第二層級不同于第一層級；化合物半導體芯片，其設置在第一載體部分之上；控制半導體芯片，其設置在第二載體部分之上，且被配置成用于控制所述化合物半導體芯片；和封裝材料，其覆蓋所述化合物半導體芯片和所述控制半導體芯片。2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述化合物半導體芯片設置在第一載體部分的第一表面之上，且第一載體部分的相反于第一表面的第二表面暴露于封裝材料，且其中，所述控制半導體芯片設置在第二載體部分的第一表面之上，且第二載體部分的相反于第一表面的第二表面被封裝材料覆蓋。3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，第一載體部分的第二表面被配置成聯接至散熱器，且散熱路徑從所述化合物半導體芯片沿著與第一載體部分的第二表面垂直的方向延伸至所述散熱器。4.根據權利要求2或3所述的裝置，其特征在于，封裝材料的表面與第一載體部分的第二表面平齊。5.根據前述權利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述化合物半導體芯片包括背向第一載體部分的表面上的第一電接觸部，且所述控制半導體芯片包括背向第二載體部分的表面上的第二電接觸部，且第一電接觸部和第二電接觸部通過導電式聯接元件電聯接。6.根據前述權利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括從封裝材料伸出的多個引線，其中，所述多個引線設置在第二層級和第
\t三層級中的至少一個上，第三層級不同于第一層級和第二層級。7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括設置在所述多個引線之上的半導體芯片。8.根據權利要求6或7所述的裝置，其特征在于，第一載體部分包括從封裝材料伸出的第一引線，第二載體部分包括從封裝材料伸出的第二引線，其中，第一引線、第二引線和所述多個引線包括至少兩個不同的引線距。9.根據權利要求6-8中任一項所述的裝置，其特征在于，所述控制半導體芯片電聯接至所述多個引線。10.根據權利要求6-9中任一項所述的裝置，其特征在于，所述多個引線從封裝材料的表面伸出，其中，該表面垂直于第一載體部分的安裝表面。11.根據權利要求6-10中任一項所述的裝置，其特征在于，所述多個引線中的引線彼此平行，且沿著垂直于從化合物半導體芯片至散熱器延伸的散熱路徑的方向延伸。12.根據權利要求6-11...
【專利技術屬性】
技術研發人員：R·奧特倫巴，K·席斯，
申請(專利權)人：英飛凌科技奧地利有限公司，
類型：發明
國別省市：奧地利;AT
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