本發明專利技術提供一種LED芯片的加工和清洗方法,包括如下步驟:對芯片進行粗拋光加工,然后用沾有酒精的無塵布或無塵紙將芯片背面殘留的鉆石拋光液擦干凈;再對芯片進行精拋光加工,然后用干毛巾將芯片背面殘留的二氧化硅精拋液和水擦干凈;往芯片的背面噴灑酒精,然后用無塵布或無塵紙將芯片背面擦干凈;重復前一步驟至少一次;用N2氣槍吹掃芯片的背面,對芯片背面做進一步的清潔;在長條燈管的燈光下,用肉眼對芯片背面進行檢查,得到清潔干凈的LED芯片。該方法簡單易行,可以更有效地去除芯片背面殘留的精拋液,降低成品芯片的異常比例;同時在整個清洗過程用到的化學藥品有且僅有酒精,無毒、成本低、安全性高,不會出現錯用的情況。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及LED芯片制造領域,具體地,涉及一種LED芯片的加工和清洗方法。
技術介紹
發光二極管(Light-Emitting Diode,簡稱LED)是一種能將電能轉化為光能的半導體電子器件,當電流通過時,其內部的電子和空穴在光源層復合而釋放出光子,目前LED照明已廣泛應用于家具、裝飾、辦公、道路等照明領域。在LED芯片的制作過程中,芯片在經過前段工藝加工并形成COW片后,還需經過后段研磨、粗拋光、精拋光、切割、裂片、點測和分選,如此將一塊完整的2英寸芯片最終制作成一顆一顆微小的芯粒,而眾多工序之間,尤以精拋光更顯重要。精拋光的作業就是要將芯片背面因研磨和粗拋光產生的刮痕或劃痕去除干凈,使芯片背面形成一個平整光滑的反射鏡面,有利于提高芯片的出光效率和亮度,為了達到上述目的,通常將以高純度硅粉為原料制成的二氧化硅拋光液作為精拋液使用,而在粗拋光過程中使用的是鉆石拋光液。由于在作業完成后,殘留的二氧化硅精拋液極易黏附在芯片背面,不僅會對芯片本身造成污染,還會嚴重影響后續背鍍工藝的質量,導致出現掉背鍍等重大品質異常。為了解決上述問題,通常采用大量有毒的、高腐蝕性的、易燃易爆的化學藥品對殘留的精拋液進行擦洗,包括藍藥水(即濃度超過99.7%的甲紫與水按照1:5的體積比配制而成,具有高堿性和潛在致癌性)、丙酮(濃度不低于99.7%)、酒精等,不僅對人體有損害,而且在長時間的操作過程中容易出現用錯洗劑的情況,影響芯LED芯片的品質穩定性。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種能夠安全有效地去除殘留在LED芯片背面的二氧化硅精拋液的方法,以解決
技術介紹
中提出的問題。為實現上述目的,本專利技術提供了一種LED芯片的加工和清洗方法,包括如下步驟:1)對芯片進行粗拋光加工,然后用沾有酒精的無塵布或無塵紙將芯片背面殘留的鉆石拋光液擦干凈;2)再對芯片進行精拋光加工,然后用干毛巾將芯片背面殘留的二氧化硅精拋液和水擦干凈;3)往芯片的背面噴灑酒精,然后用無塵布或無塵紙將芯片背面擦干凈;4)重復步驟3)至少一次;5)用N2氣槍吹掃芯片的背面,對芯片背面做進一步的清潔;6)在長條燈管的燈光下,用肉眼對芯片背面進行檢查,得到清潔干凈的LED芯片。優選地,用于放置所述LED芯片的平臺也用酒精進行擦洗。優選地,所使用的酒精的濃度大于或等于80%。更優選地,所使用的酒精的濃度為99.9%。優選地,所使用的N2的純度為99.99~99.999%。優選地,步驟3)的重復次數為兩次,即用酒精清洗精拋光后的LED芯片背面共三次。本專利技術提供的技術方案具有如下有益效果:所述方法簡單易行,可以更有效地去除芯片背面殘留的精拋液,降低成品芯片的異常比例;同時在整個清洗過程用到的化學藥品有且僅有酒精,無毒、成本低、安全性高,不會出現錯用的情況。具體實施方式下面將對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅是本專利技術的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本專利技術保護的范圍。根據本專利技術所述的加工和清洗方法得到如下實施例:實施例11)對芯片進行粗拋光加工,然后用沾有99.9%酒精的無塵布或無塵紙將芯片背面殘留的鉆石拋光液擦干凈;2)再對芯片進行精拋光加工,然后用干毛巾將芯片背面殘留的二氧化硅精拋液和水擦干凈;3)往芯片的背面噴灑99.9%酒精,然后用無塵布或無塵紙將芯片背面擦干凈;4)重復步驟3)兩次;5)用N2氣槍吹掃芯片的背面,對芯片背面做進一步的清潔;6)在長條燈管的燈光下,用肉眼對芯片背面進行檢查,得到清潔干凈的LED芯片。實施例21)對芯片進行粗拋光加工,然后用沾有99.9%酒精的無塵布或無塵紙將芯片背面殘留的鉆石拋光液擦干凈;2)再對芯片進行精拋光加工,然后用干毛巾將芯片背面殘留的二氧化硅精拋液和水擦干凈;3)往芯片的背面噴灑99.9%酒精,然后用無塵布或無塵紙將芯片背面擦干凈;4)重復步驟3)一次;5)用N2氣槍吹掃芯片的背面,對芯片背面做進一步的清潔;6)在長條燈管的燈光下,用肉眼對芯片背面進行檢查,得到清潔干凈的LED芯片。實施例31)對芯片進行粗拋光加工,然后用沾有90%酒精的無塵布或無塵紙將芯片背面殘留的鉆石拋光液擦干凈;2)再對芯片進行精拋光加工,然后用干毛巾將芯片背面殘留的二氧化硅精拋液和水擦干凈;3)往芯片的背面噴灑90%酒精,然后用無塵布或無塵紙將芯片背面擦干凈;4)重復步驟3)兩次;5)用N2氣槍吹掃芯片的背面,對芯片背面做進一步的清潔;6)在長條燈管的燈光下,用肉眼對芯片背面進行檢查,得到清潔干凈的LED芯片。實施例41)對芯片進行粗拋光加工,然后用沾有80%酒精的無塵布或無塵紙將芯片背面殘留的鉆石拋光液擦干凈;2)再對芯片進行精拋光加工,然后用干毛巾將芯片背面殘留的二氧化硅精拋液和水擦干凈;3)往芯片的背面噴灑80%酒精,然后用無塵布或無塵紙將芯片背面擦干凈;4)重復步驟3)兩次;5)用N2氣槍吹掃芯片的背面,對芯片背面做進一步的清潔;6)在長條燈管的燈光下,用肉眼對芯片背面進行檢查,得到清潔干凈的LED芯片。對比例11)對芯片進行粗拋光加工;2)再對芯片進行精拋光加工,然后用干毛巾將芯片背面殘留的二氧化硅精拋液和水擦干凈;3)往芯片的背面噴灑藍藥水,并用軟毛刷進行來回刷洗;4)往芯片的背面再次噴灑藍藥水,然后用無塵布或無塵紙將芯片背面擦干凈;5)往芯片的背面噴灑酒精,然后用無塵布或無塵紙將芯片背面擦干凈;6)往芯片的背面噴灑丙酮,然后用無塵布或無塵紙將芯片背面擦干凈;7)在長條燈管的燈光下,用肉眼對芯片背面進行檢查,得到清潔干凈的LED芯片。按照上述不同的加工和清洗方法,分別處理得到不同批次的成品LED芯片,統計各自的異常比例并將數據填入表1中。表1根據實施例1和對比例1的數據對比,可發現相比于同時使用藍藥水、酒精和丙酮,使用酒精作為單一洗劑并加上N2吹掃的方式對殘留的二氧化硅精拋液具有更好的去除效果,成品LED芯片的異常比例有明顯下降。根據實施例1和2的數據對比,可發現用酒精擦洗芯片背面時,擦洗三次的效果要優于擦洗兩次的效果。根據實施例1、3、4的數據對比,可發現隨著酒精濃度的不斷提高,殘留的二氧化硅精拋液去除得越干凈,加工出來的成品LED芯片的質量越好。在實際生產過程中,將新舊工藝的品質對比數據填入表2中。表2綜上所述,本專利技術提供的加工和清洗方法具有如下優點:1、相比于舊工藝中要用三種不同的洗劑分四次擦洗芯片,本專利技術使用單一洗劑酒精加上氮氣吹掃的方法共同清潔芯片背面,且只需擦洗兩次以上、優選擦洗三次即可取得很好的效果,不僅明顯提升了成品LED芯片的品質,而且簡化了操作。2、整個加工和清洗過程保持無毒、不刺激、高安全性的特點,可有效保護操作人員的身體健康。3、所使用的無塵布或無塵紙可為循環使用的二次無塵布或二次無塵紙,既節約了成本也不會出現交叉污染的問題。4、在完成粗拋光工藝后,用無塵布或無塵紙將鉆石拋光液擦干凈,減少芯片背面鉆石微粒的殘留量,避免其再次對芯片造成磨損。以上所述僅為本專利技術的優選實施例,并非因此限制本專利技術的專利保護范圍,對于本領域的技術人員來說,本專利技術可以有各種更改和變化。在本專利技術的精本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種LED芯片的加工和清洗方法,其特征在于,包括如下步驟:1)對芯片進行粗拋光加工,然后用沾有酒精的無塵布或無塵紙將芯片背面殘留的鉆石拋光液擦干凈;2)再對芯片進行精拋光加工,然后用干毛巾將芯片背面殘留的二氧化硅精拋液和水擦干凈;3)往芯片的背面噴灑酒精,然后用無塵布或無塵紙將芯片背面擦干凈;4)重復步驟3)至少一次;5)用N2氣槍吹掃芯片的背面,對芯片背面做進一步的清潔;6)在長條燈管的燈光下,用肉眼對芯片背面進行檢查,得到清潔干凈的LED芯片。
【技術特征摘要】
1.一種LED芯片的加工和清洗方法,其特征在于,包括如下步驟:1)對芯片進行粗拋光加工,然后用沾有酒精的無塵布或無塵紙將芯片背面殘留的鉆石拋光液擦干凈;2)再對芯片進行精拋光加工,然后用干毛巾將芯片背面殘留的二氧化硅精拋液和水擦干凈;3)往芯片的背面噴灑酒精,然后用無塵布或無塵紙將芯片背面擦干凈;4)重復步驟3)至少一次;5)用N2氣槍吹掃芯片的背面,對芯片背面做進一步的清潔;6)在長條燈管的燈光下,用肉眼對芯片背面進行檢查,得到清潔干凈的LED芯片。2.根據權利要求1所述的...
【專利技術屬性】
技術研發人員:鄒賢軍,廖穎鈺,
申請(專利權)人:湘能華磊光電股份有限公司,
類型:發明
國別省市:湖南;43
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