【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體器件的制造，尤其涉及一種U型蝕刻直角臺面硅二極管及其硅芯和硅擴散晶圓片。
技術介紹
眾所周知，硅二極管是最重要的基礎元器件，在電子電路應用中，PN結的反向擊穿電壓VB和器件正向壓降VF為硅二極管兩個最重要的電性能參數，它們都與制造器件原材料硅單晶的電阻率直接相關。所用硅單晶的電阻率越高，二極管PN結的反向擊穿電壓VB越高，器件正向壓降VF越大。高壓電子電路工作時要求硅二極管既能承受高反向工作耐壓，同時具有盡可能低的器件正向壓降VF，二者之間存在著矛盾，須極力化解之。目前的常規制造硅二極管硅芯直角臺面的方法通常是：直接將硅擴散晶圓片進行鋸切獲得，然后對臺面進行化學腐蝕以去除鋸切造成的臺面機械損傷。該方法獲得的直角臺面畸形不規則，容易導致低電壓擊穿。
技術實現思路
本技術的目的在于解決現有技術中存在的問題，并提供一種U型蝕刻直角臺面硅二極管硅芯。本技術所采用的具體技術方案如下：U型蝕刻直角臺面硅二極管硅芯，由下到上分別為P+型雜質擴散層、原始硅單晶N-型層和N+型雜質擴散層，硅芯側面的臺面呈直角，所述的直角臺面為完整光滑的平面。本技術中所述的完整光滑是指直角臺面的側面光滑平直，硅晶格結構完整，不會出現直接鋸切再經化學腐蝕后造成的畸形不規則臺面。作為優選，所述的直角臺面是由各向異性擇優化學腐蝕獲得。本技術的另一目的在于提供一種制備所述硅芯的硅擴散晶圓片，由下至上依次為P+型雜質擴散層、原始硅單晶N-型層、N+型雜質擴散層、鎳層和抗腐蝕膠層，所述的鎳層和抗腐蝕膠層上開設有井字形腐蝕槽窗口，井字形腐蝕槽窗口貫通至N+型雜質擴散層上表面。U型蝕刻是指蝕刻...
【技術保護點】
一種U型蝕刻直角臺面硅二極管硅芯，其特征在于由下到上分別為P+型雜質擴散層、原始硅單晶N?型層和N+型雜質擴散層，硅芯側面的臺面呈直角，所述的直角臺面為完整光滑的平面。
【技術特征摘要】
1.一種U型蝕刻直角臺面硅二極管硅芯，其特征在于由下到上分別為P+型雜質擴散層、原始硅單晶N-型層和N+型雜質擴散層，硅芯側面的臺面呈直角，所述的直角臺面為完整光滑的平面。2.如權利要求1所述的U型蝕刻直角臺面硅二極管硅芯，其特征在于所述的直角臺面是由各向異性擇優化學腐蝕獲得。3.一種制備權利要求1所述硅芯的硅擴散晶圓片，其特...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳福元，胡煜濤，毛建軍，任亮，蘇云清，虞旭俊，
申請(專利權)人：杭州賽晶電子有限公司，
類型：新型
國別省市：浙江;33
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。