存儲器讀取電路制造技術(shù)

本申請公開了存儲器讀取電路，包括：預(yù)充電控制模塊，用于提供充電路徑；存儲單元，與字線和位線連接，經(jīng)由所述位線連接至所述預(yù)充電控制模塊的放電路徑，用于存儲數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)鎖存模塊，包括存儲電容，所述存儲電容與所述預(yù)充電控制模塊相連接，從而經(jīng)由所述充電路徑進(jìn)行充電，以及經(jīng)由所述放電路徑向所述存儲單元放電，其中，所述數(shù)據(jù)鎖存模塊鎖存并輸出所述數(shù)據(jù)。該存儲器讀取電路由于采用存儲電容預(yù)充電的方式傳輸存儲單元的數(shù)據(jù)，因此可以提高存儲單元的讀取速度。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及存儲器技術(shù)，更具體地涉及一種存儲器讀取電路。
技術(shù)介紹
在現(xiàn)有的電子設(shè)備中，已經(jīng)廣泛地采用存儲器來存儲程序和數(shù)據(jù)。諸如手機(jī)、平板之類的移動終端的存儲器的容量已經(jīng)高達(dá)64G或更高。存儲容量的提高有利于在移動終端中安裝更多的應(yīng)用軟件，存儲更多的文件、照片和視頻等內(nèi)容，并且可以支持運行更為復(fù)雜的系統(tǒng)功能，以滿足用戶越來越高的要求。隨著存儲器在移動終端中的應(yīng)用越來越多，希望存儲器的存儲密度不斷增大、功耗不斷減小。然而，在上述存儲器的技術(shù)發(fā)展過程中，存儲器的特征尺寸也在不斷減小，工作電壓在不斷降低。存儲器的讀取延時也會越來截止嚴(yán)重，從而導(dǎo)致存儲器的訪問速度降低。存儲器的存儲密度的增加與訪問速度的提高通常是矛盾的因素，從而制約著存儲器性能的進(jìn)一步提高。作為一種現(xiàn)有技術(shù)的方案，在存儲器的讀取電路中采用預(yù)充電技術(shù)。在對位線進(jìn)行預(yù)充電之后，對所有的位線進(jìn)行讀取。根據(jù)從位線中流過的電流的大小，獲得存儲器中存儲的數(shù)據(jù)。在讀取操作中，預(yù)充電時間也會影響存儲器的讀取速度。期望進(jìn)一步改進(jìn)存儲器的讀取電路，以提高存儲器的讀取速度。
技術(shù)實現(xiàn)思路
有鑒于此，本技術(shù)的目的是提供一種采用改進(jìn)的預(yù)充電方式提高存儲單元的讀取速度的存儲器讀取電路。根據(jù)本技術(shù)的一方面，提供一種存儲器讀取電路，其特征在于，包括：預(yù)充電控制模塊，用于提供充電路徑；存儲單元，與字線和位線連接，經(jīng)由所述位線連接至所述預(yù)充電控制模塊的放電路徑，用于存儲數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)鎖存模塊，包括存儲電容，所述存儲電容與所述預(yù)充電控制模塊相連接，從而經(jīng)由所述充電路徑進(jìn)行充電，以及經(jīng)由所述放電路徑向所述存儲單元放電，其中，所述數(shù)據(jù)鎖存模塊鎖存并輸出所述數(shù)據(jù)。優(yōu)選地，還包括鉗位模塊，所述鉗位模塊位于所述預(yù)充電控制模塊和所述存儲單元之間，用于將位線電壓保持為預(yù)定電壓。優(yōu)選地，還包括數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路與所述數(shù)據(jù)鎖存模塊相連接，用于緩沖和放大所述數(shù)據(jù)的輸出信號。優(yōu)選地，所述存儲電容將所述存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)復(fù)制為所述存儲電容兩端的電壓。優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)鎖存模塊包括第一反相器，用于將所述存儲電容的電壓反相后輸出所述數(shù)據(jù)的反相版本，并且所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路包括第二反相器，用于將所述數(shù)據(jù)的反相版本轉(zhuǎn)變成所述數(shù)據(jù)的同相版本。優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)銷存模塊包括第三反相器和第一至第四開關(guān)管，所述第一至第四開關(guān)管依次串聯(lián)連接在高電平和地之間，其中，所述第一開關(guān)管和所述第四開關(guān)管的控制端連接至所述第一反相器的輸出端，所述第二開關(guān)管和所述第三開關(guān)管的中間節(jié)點連接至所述存儲電容以及連接至所述第一反相器的輸入端，所述第二開關(guān)管和所述第三開關(guān)管的控制端分別經(jīng)由所述第三反相器和直接獲得鎖存信號。優(yōu)選地，所述預(yù)充電控制模塊包括串聯(lián)連接在高電平和所述位線之間的第五開關(guān)管和第六開關(guān)管，其中，所述預(yù)充電控制模塊中的所述第五開關(guān)管和所述第六開關(guān)管的中間節(jié)點連接至所述數(shù)據(jù)鎖存模塊中的所述存儲電容，所述第五開關(guān)管在導(dǎo)通時提供所述充電路徑，所述第六開關(guān)管在導(dǎo)通時提供所述放電路徑。該存儲器讀取電路在數(shù)據(jù)鎖存模塊中復(fù)制存儲單元的數(shù)據(jù)信號，經(jīng)反相器反相后輸出數(shù)據(jù)信號的反相版本，然后利用數(shù)據(jù)驅(qū)動模塊的反相操作獲得數(shù)據(jù)信號的同相版本。由于采用存儲電容預(yù)充電的方式傳輸存儲單元的數(shù)據(jù)，因此可以提高存儲單元的讀取速度。附圖說明通過以下參照附圖對本技術(shù)實施例的描述，本技術(shù)的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點將更為清楚，在附圖中：圖1示出根據(jù)本技術(shù)實施例的存儲器讀取電路的示意性電路圖；圖2示出根據(jù)本技術(shù)實施例的存儲器讀取電路的工作波形圖。具體實施方式以下將參照附圖更詳細(xì)地描述本技術(shù)的各種實施例。在各個附圖中，相同的元件采用相同或類似的附圖標(biāo)記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個部分沒有按比例繪制。下面結(jié)合附圖和實施例對本技術(shù)進(jìn)一步說明。圖1示出根據(jù)本技術(shù)實施例的存儲器讀取電路的示意性電路圖。該存儲器讀取電路包括預(yù)充電控制模塊101、存儲單元102、鉗位模塊103、數(shù)據(jù)鎖存模塊104和數(shù)據(jù)驅(qū)動模塊105。預(yù)充電控制模塊101包括彼此串聯(lián)連接的開關(guān)管M1和M2。開關(guān)管M1和M2的柵極分別連接至端子T1和T2，分別從外部接收開關(guān)控制信號PREQb和LATb。開關(guān)管M1的源極連接至高電平，開關(guān)管M1的漏極連接至開關(guān)管M2的漏極。預(yù)充電控制模塊101的第一端為開關(guān)管M1和M2的中間節(jié)點，連接至數(shù)據(jù)鎖存模塊104。預(yù)充電控制模塊101的第二端為開關(guān)管M2的源極，連接至鉗位模塊103。在工作中，預(yù)充電控制模塊101的開關(guān)管M1和M2分別在各自的開關(guān)控制信號的控制下導(dǎo)通和斷開。存儲單元102例如為浮柵場效應(yīng)晶體管，其中浮柵中存儲的電荷用于表征數(shù)字值。晶體管的源極接地，漏極經(jīng)由位線連接至鉗位電路103，柵極經(jīng)由字線連接至外部的驅(qū)動電路。相應(yīng)地，存儲單元102的第一端和第二端分別是晶體管的漏極和柵極，分別連接位線和字線。數(shù)據(jù)鎖存模塊104包括連接至預(yù)充電控制模塊101的控制端和輸入端。該控制端從預(yù)充電控制模塊101獲得鎖存信號LAT。數(shù)據(jù)鎖存模塊104包括存儲電容C0、反相器U1和U2、以及開關(guān)管M3至M6。存儲電容C2的第一端連接至預(yù)充電控制模塊101的第一端，第二端接地。在預(yù)充電控制模塊101的開關(guān)管M1導(dǎo)通且開關(guān)管M2斷開時，對存儲電容C0進(jìn)行充電。在預(yù)充電控制模塊101的開關(guān)管M1斷開且開關(guān)管M2導(dǎo)通時，存儲單元102經(jīng)由對存儲電容C0進(jìn)行放電。在數(shù)據(jù)鎖存模塊104中，開關(guān)管M3至M6依次串聯(lián)連接在高電平和地之間。開關(guān)管M4和M5的中間節(jié)點連接至存儲電容C0的第一端，并且經(jīng)由反相器U2連接至數(shù)據(jù)鎖存模塊104自身的輸出端。數(shù)據(jù)鎖存模塊104的控制端分別直接連接至開關(guān)管M5的柵極，以及經(jīng)由反相器U1連接至開關(guān)管M4的柵極。數(shù)據(jù)鎖存模塊104的輸出端分別連接至開關(guān)管M3和M6的柵極。在鎖存信號LAT有效時，數(shù)據(jù)鎖存模塊104作為鎖存電路工作。鉗位電路103連接在預(yù)充電控制模塊101和存儲單元102之間，用于將存儲單元102的位線電壓鉗位于預(yù)定電壓，從而在存儲電容C0放電期間，保持位線電壓不變。數(shù)據(jù)驅(qū)動模塊105連接至數(shù)據(jù)鎖存模塊104的輸出端，用于對數(shù)據(jù)信號進(jìn)行緩沖和放大。數(shù)據(jù)驅(qū)動模塊105例如是反相器。該存儲器讀取電路在數(shù)據(jù)鎖存模塊104中復(fù)制存儲單元102的數(shù)據(jù)信號，經(jīng)反相器U2反相后輸出數(shù)據(jù)信號的反相版本，然后利用數(shù)據(jù)驅(qū)動模塊105的反相操作獲得數(shù)據(jù)信號的同相版本。圖2示出根據(jù)本技術(shù)實施例的存儲器讀取電路的工作波形圖。在圖中，PREQb和LATb分別表示開關(guān)管M1和M2的開關(guān)控制信號，LAT表示數(shù)據(jù)鎖存模塊104的鎖存信號。在時刻t0至?xí)r刻t2的第一時間段，開關(guān)控制信號PREQb有效，開關(guān)管M1導(dǎo)通，對存儲電容C0進(jìn)行充電。由于存儲單元102的電流和存儲單元102的漏端電壓比較相關(guān)，因此在電流工作的時候，通過一個鉗位模塊103，將位線電壓鉗位于預(yù)定電壓，使得存儲器單元的電流被固定。在時刻t1至?xí)r刻t3的第二時間段，開關(guān)控制信號LATb有效，開關(guān)管M2導(dǎo)通，通過存儲單元102對存儲電容C0放電。該第二時間段的時刻t1位于上述第一時刻段的時刻t0和時刻t2之間。通過調(diào)節(jié)該時間段的長度，可以改變存儲電容C0的放本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種存儲器讀取電路，其特征在于，包括：預(yù)充電控制模塊，用于提供充電路徑；存儲單元，與字線和位線連接，經(jīng)由所述位線連接至所述預(yù)充電控制模塊的放電路徑，用于存儲數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)鎖存模塊，包括存儲電容，所述存儲電容與所述預(yù)充電控制模塊相連接，從而經(jīng)由所述充電路徑進(jìn)行充電，以及經(jīng)由所述放電路徑向所述存儲單元放電，其中，所述數(shù)據(jù)鎖存模塊鎖存并輸出所述數(shù)據(jù)。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種存儲器讀取電路，其特征在于，包括：預(yù)充電控制模塊，用于提供充電路徑；存儲單元，與字線和位線連接，經(jīng)由所述位線連接至所述預(yù)充電控制模塊的放電路徑，用于存儲數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)鎖存模塊，包括存儲電容，所述存儲電容與所述預(yù)充電控制模塊相連接，從而經(jīng)由所述充電路徑進(jìn)行充電，以及經(jīng)由所述放電路徑向所述存儲單元放電，其中，所述數(shù)據(jù)鎖存模塊鎖存并輸出所述數(shù)據(jù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器讀取電路，其特征在于，還包括鉗位模塊，所述鉗位模塊位于所述預(yù)充電控制模塊和所述存儲單元之間，用于將位線電壓保持為預(yù)定電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器讀取電路，其特征在于，還包括數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路與所述數(shù)據(jù)鎖存模塊相連接，用于緩沖和放大所述數(shù)據(jù)的輸出信號。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器讀取電路，其特征在于，所述存儲電容將所述存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)復(fù)制為所述存儲電容兩端的電壓。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器讀取電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)鎖存模塊包括第一反相器，...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張登軍，李迪，劉大海，楊小龍，安友偉，
申請(專利權(quán))人：珠海泓芯科技有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44