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    太陽能電池制造技術

    技術編號:14027597 閱讀:129 留言:0更新日期:2016-11-19 11:24
    一種太陽能電池,該太陽能電池包括:基板;多個第一電極,它們沿著第一方向設置在所述基板的第一表面上;多個第一集流器,它們沿著與所述第一方向交叉的第二方向設置在所述第一表面上,其中,所述多個第一集流器以電氣方式和物理方式連接到所述多個第一電極;多個第二電極,它們沿著所述第一方向設置在所述基板的第二表面上;以及多個第二集流器,它們沿著所述第二方向設置在所述第二表面上,所述多個第二集流器以電氣方式和物理方式連接到所述多個第二電極,其中,所述多個第二電極的數量大于所述多個第一電極的數量。

    【技術實現步驟摘要】
    本申請是原案申請號為201210063297.7的專利技術專利申請(申請日:2012年3月12日,專利技術名稱:雙面太陽能電池)的分案申請。
    本專利技術的實施方式針對的是一種雙面太陽能電池。
    技術介紹
    本申請要求2011年3月29日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2011-0028041的優選權,其全部內容以引用的方式并入本文。太陽能電池利用光伏效應將光轉換為電力。太陽能電池包括形成了PN結的基板和發射極部分。光入射在基板表面上以生成電流。在通用太陽能電池中,僅通過各太陽能電池的一個表面接收光,從而表現出較低的光伏效率。需要一種通過基板的兩個相背表面接收光的雙面太陽能電池。
    技術實現思路
    根據本專利技術的一種實施方式,提供了一種雙面太陽能電池,該雙面太陽能電池包括:基板;多個第一電極,它們沿著第一方向設置在所述基板的第一表面上;多個第一集流器,它們沿著與所述第一方向交叉的第二方向設置在所述第一表面上,其中,所述多個第一集流器以電氣方式和物理方式連接到所述多個第一電極;多個第二電極,它們沿著所述第一方向設置在所述基板的第二表面上;以及多個第二集流器,它們沿著所述第二方向設置在所述第二表面上,所述多個第二集流器以電氣方式和物理方式連接到所述多個第二電極,其中,所述多個第二電極中的至少一個第二電極位于與所述多個第一電極中的至少一個第一電極的基準線不同的基準線上。太陽能電池使用入射在所述基板的第一表面和第二表面上的光生成電流。因此,相較于僅通過一個表面接收光的太陽能電池,此太陽能電池的效率被進一步提高。此外,在入射在第一表面上并從第二表面出射的光束中,一些光束被第二電極反射,進一步提高了太陽能電池的效率。所述第二電極的數量等于或多于所述第一電極的數量。在所述第一電極的數量等于所述第二電極的數量的情況下,所述多個第一電極中的兩個相鄰第一電極彼此之間隔開第一間距P1,并且所述多個第二電極中的兩個相鄰第二電極彼此之間隔開第二間距P2,其中,所述第一間距P1與所述第二間距P2相同。在所述第二電極的數量大于所述第一電極的數量的情況下,所述多個第一電極中的兩個相鄰第一電極彼此之間隔開第一間距P1,并且所述多個第二電極中的兩個相鄰第二電極彼此之間隔開第二間距P2,其中,所述第二間距P2小于所述第一間距P1。根據實施方式,所述第一間距P1與所述第二間距P2的比率n滿足式:0.1<n<1,其中n=P2/P1)。考慮光接收表面的面積,所述第一間距P1大于所述第二間距P2,并且考慮串聯電阻,所述第二間距P2小于所述第一間距P1。這樣提高了太陽能電池的效率。所述多個第一電極中的各個第一電極具有小于60um的行寬和大于10um的厚度。所述多個第二電極中的各個第二電極具有與所述多個第一電極中的各個第一電極相似的行寬和厚度。例如,所述多個第二電極中的各個第二電極具有小于70um的行寬和大于10um的厚度。上述結構可以減少電荷的復合損耗,從面進一步提高了太陽能電池的效率。所述基板為第一導電類型,其中,在所述第一表面上設置發射極部,其中,所述發射極部為與所述第一導電類型相反的第二導電類型。所述多個第一電極和所述多個第一集流器接觸所述發射極部。因此,被吸引到發射極部的電荷(例如,電子或空穴)被直接轉移到所述多個第一電極和所述多個第一集流器,從而促進了電流流動。在所述發射極部的表面上沒有設置所述多個第一電極和所述多個第一集流器的部分處設置第一絕緣膜。所述第一絕緣膜可以執行防反射功能和鈍化功能二者。在所述第二表面上設置電場部,其中,所述電場部為第一導電類型,并且具有比所述基板的雜質濃度高的雜質濃度。在所述電場部的表面上沒有設置所述多個第二電極和所述多個第二集流器的部分處設置第二絕緣膜。第二絕緣膜可以執行防反射功能和鈍化功能二者。所述多個第二電極和所述多個第二集流器接觸所述電場部。附圖說明圖1是例示了根據本專利技術的一種實施方式的太陽能電池的一部分的截面圖。圖2描繪了圖1中所示的根據本專利技術的一種實施方式的太陽能電池的第一表面和第二表面的平面圖。圖3是例示了根據本專利技術的另一種實施方式的太陽能電池的一部分的截面圖。圖4描繪了圖3中所示的根據本專利技術的另一種實施方式的太陽能電池的第一表面和第二表面的平面圖。圖5是例示了取決于第一間距與第二間距的比率的圖3中所示的太陽能電池的效率的圖表。具體實施方式來參考附圖更詳細地描述本專利技術的實施方式,其在整個說明書和附圖中可以使用同樣的附圖標記表示同樣的或類似的元件。可以理解的是,當諸如層、膜、區域或基板之類的元件被稱為僅位于另一元件“上”時,它可以是直接位于另一元件上或者也可以存在居間元件。相反,當元件被稱為“直接在另一元件上”時,則不存在居間元件。圖1是例示了根據本專利技術的一種實施方式的太陽能電池的一部分的截面圖。圖2描繪了圖1中所示的根據本專利技術的一種實施方式的太陽能電池的第一表面和第二表面的平面圖。太陽能電池包括具有彼此相背的第一表面和第二表面的基板110。太陽能電池還包括:第一表面上的發射極部120、第一絕緣層130、多個第一電極140和多個第一集流器150;以及第二表面上的背表面場(“BSF”)部160、第二絕緣層170、多個第二電極180和多個第二集流器190。發射極部120設置在基板110的第一表面上。第一絕緣層130設置在發射極部120上。多個第一電極140設置在發射極部120的沒有設置第一絕緣層130或第一電極140穿透了第一絕緣層130的部分上。第一集流器150以物理方式和電氣方式連接到第一電極140。在本專利技術的實施方式中,第一集流器150與第一電極140交叉(或相交)。第二絕緣層170設置在BSF部160上。多個第二電極180設置在BSF部160的沒有設置第二絕緣層170或第二電極180穿透了第二絕緣層170的部分上。第二集流器190以物理方式和電氣方式連接到第二電極180。在本專利技術的實施方式中,第二集流器190與第二電極180交叉(或相交)。基板110由諸如具有第一導電類型(例如,n導電類型)的硅晶片之類的半導體形成。硅晶片可以包括單晶硅、多晶硅或非晶硅。具有n導電類型的基板110包含V簇元素雜質,例如磷(P)、砷(As)或銻(Sb)。根據本專利技術的另一種實施方式,基板110可以具有p導電類型并且/或者可以包括除硅外的半導體材料。在基板110為p導電類型的情況下,基板110可以包含III簇元素雜質,例如,硼(B)、鎵(Ga)或銦(In)。基板110具有帶紋理表面。具體而言,基板110的第一表面和第二表面每一個均被實現為帶紋理表面。發射極部120包含具有與基板110的第一導電類型相反的第二導電類型的雜質。例如,發射極部120為p導電類型,并在基板110為n導電類型時與基板110形成PN結。由于PN結引起的固有電勢差,因此,由入射光產生的電子-空穴對被分成電子和空穴,并且電子和空穴分別向太陽能電池的n型電極和p型電極移動。例如,如果基板110為n導電類型,并且發射極部120為p導電類型,則電子和空穴分別被吸引到基板110和發射極部120。因此,基板110的電子和發射極部120的空穴成為多數載流子。可以通過利用諸如B、Ga或In之類的III簇元素的雜質對基板110進行摻雜來形成p導電類型發本文檔來自技高網...
    太陽能電池

    【技術保護點】
    一種太陽能電池,該太陽能電池包括:n導電類型半導體的基板,其中,所述基板的第一表面和第二表面中的每一個具有帶紋理的表面在所述基板的所述第一表面處的p導電類型的發射極部分;在所述基板的所述第二表面處的n導電類型的背表面場部分;在所述基板的所述第一表面上的第一絕緣層,其中,所述第一絕緣層包括多個開口;在所述基板的所述第二表面上的第二絕緣層,其中,所述第二絕緣層包括多個開口;多個第一電極,所述多個第一電極沿著第一方向被設置并且經由所述第一絕緣層的多個開口連接至所述發射極部分;多個第一集流器,所述多個第一集流器沿著與所述第一方向交叉的第二方向設置并且經由所述第一絕緣層的多個開口連接至所述發射極部分;多個第二電極,所述多個第二電極被沿著所述第一方向被設置并且經由所述第二絕緣層的多個開口連接至所述背表面場部分;多個第二集流器,所述多個第二集流器沿著所述第二方向設置并且經由所述第二絕緣層的多個開口連接至所述背表面場部分,其中,所述多個第二電極的數量不同于所述多個第一電極的數量,其中,所述多個第一電極中的兩個相鄰的第一電極彼此間隔開第一間距(P1),并且所述多個第二電極中的兩個相鄰的第二電極彼此間隔開第二間距(P2),所述第二間距(P2)不同于所述第一間距(P1),以及其中,所述多個第二集流器的數量與所述多個第一集流器的數量相同。...

    【技術特征摘要】
    2011.03.29 KR 10-2011-00280411.一種太陽能電池,該太陽能電池包括:n導電類型半導體的基板,其中,所述基板的第一表面和第二表面中的每一個具有帶紋理的表面在所述基板的所述第一表面處的p導電類型的發射極部分;在所述基板的所述第二表面處的n導電類型的背表面場部分;在所述基板的所述第一表面上的第一絕緣層,其中,所述第一絕緣層包括多個開口;在所述基板的所述第二表面上的第二絕緣層,其中,所述第二絕緣層包括多個開口;多個第一電極,所述多個第一電極沿著第一方向被設置并且經由所述第一絕緣層的多個開口連接至所述發射極部分;多個第一集流器,所述多個第一集流器沿著與所述第一方向交叉的第二方向設置并且經由所述第一絕緣層的多個開口連接至所述發射極部分;多個第二電極,所述多個第二電極被沿著所述第一方向被設置并且經由所述第二絕緣層的多個開口連接至所述背表面場部分;多個第二集流器,所述多個第二集流器沿著所述第二方向設置并且經由所述第二絕緣層的多個開口連接至所述背表面場部分,其中,所述多個第二電極的數量不同于所述多個第一電極的數量,其中,所述多個第一電極中的兩個相鄰的第一電極彼此間隔開第一間距(P1),并且所述多個第二電極中的兩個相鄰的第二電極彼此間隔開第二間距(P2),所述第二間距(P2)不同于所述第一間距(P1),以及其中,所述多個第二集流器的數量與所述多個第一集流器的數量相同。2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述多個第二電極的數量大于所述多個第一電極的數量。3.根據權利要求...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:張在元崔榮嫮
    申請(專利權)人:LG電子株式會社
    類型:發明
    國別省市:韓國;KR

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