一種提高清洗效率的濕法清洗水槽及其清洗方法技術

本發明專利技術公開了一種提高清洗效率的濕法清洗水槽及其清洗方法，通過在水槽底部兩側及中間位置設置第一?第四進液管，使第一、第二進液管與第三、第四進液管交替開啟和關閉，在水槽內的兩側和中間位置分別相向進行交替間斷噴水，以增加水流的波動性，提高水槽內流經芯片表面的水流速度，且不會破壞芯片表面的脆弱圖形，從而提高了清洗效果和清洗效率。

Wet cleaning tank and method for improving cleaning efficiency

The invention discloses a method for improving the cleaning efficiency of the wet cleaning tank and cleaning method, through the tank at the bottom of both sides and the middle position of the first set fourth liquid inlet pipe, the first second, third, fourth liquid inlet pipe and the liquid inlet pipe alternately opened and closed in the water inside the two side and middle position are respectively opposite alternating intermittent spray, to increase the volatility of water flow, improve water flow rate through the surface of the chip, and will not damage the fragile graphics chip surface, thereby improving the cleaning effect and cleaning efficiency.

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及先進集成電路制造工藝
，更具體地，涉及一種在濕法清洗制程中可提高清洗效率的濕法清洗水槽及其清洗方法。
技術介紹
槽式濕法清洗幾十年來在濕法清洗制程里一直占統治地位，同時槽式濕法清洗也是最成熟、穩定的制程。但是，隨著技術的發展，在先進制程中，芯片設計的關鍵尺寸越來越小，對濕法清洗的質量要求也越來越高。這對傳統的槽式清洗提出了很大的挑戰。槽式清洗一般采用酸液槽浸泡---水槽清洗---酸液槽浸泡---水槽清洗---干燥的交替步驟。其中，酸液槽可為HF酸、SPM、SC1、SC2等酸液槽。每經過一個酸液槽，其后面設置的水槽即用來清洗掉芯片表面剩余的殘酸，起到清洗芯片表面的作用。而且在芯片干燥前的最近一個步驟，一定是水槽清洗。所以水槽清洗的好壞就決定了槽式濕法清洗的效率。請參閱圖1，圖1是現有的一種濕法清洗水槽結構示意圖。如圖1所示，該水槽用于對經酸液浸泡后的芯片進行清洗。芯片11可通過芯片卡槽12固定在水槽10中，在水槽底部的兩側各設置有一個進液閥13，用于沿水槽底部兩側向中間方向進行不間斷供水。水流可在水槽內從下到上作溢流流動排出水槽(如圖示箭頭所指)。然而，上述水槽的進液模式，僅起到單純的水流溢流流動清洗作用，清洗效果并不好。這種清洗方式對芯片上精細圖形結構的清洗效果以及清洗效率，已越來越難以滿足先進制程對清洗的質量要求。為了增加水槽的清洗效果和清洗效率，已開始引進兆聲波技術。利用兆聲波的物理作用，可增加流經芯片表面的水流速度，達到更好的清洗效果。但是采用兆聲波清洗的副作用是，兆聲波往往會損壞芯片上的脆弱圖形，造成良率損失。所以在先進制程的濕法清洗中，需要專利技術一種能提高清洗效率但又不會損傷脆弱圖形的新技術。
技術實現思路
本專利技術的目的在于克服現有技術存在的上述缺陷，提供一種提高清洗效率的濕法清洗水槽及其清洗方法，能夠既提高清洗效率又不會損傷芯片上的脆弱圖形。為實現上述目的，本專利技術的技術方案如下：一種提高清洗效率的濕法清洗水槽，所述水槽的底部設有第一-第四進液管，用于向水槽內進行噴水，并使水流在水槽內從下到上作溢流流動；其中，第一、第二進液管分設于水槽的底部兩側，其進液方向為指向水槽的中間，第三、第四進液管并列設于水槽的底部中間，其進液方向為指向水槽的兩側；通過使第一、第二進液管與第三、第四進液管交替開啟和關閉，在水槽內的兩側和中間位置分別相向進行交替間斷噴水，以增加水流的波動性，提高水槽內流經芯片表面的水流速度，從而提高清洗效果和清洗效率。優選地，所述第一-第四進液管設有多個進液口，用于同時向水槽內進行噴水。優選地，所述第一-第四進液管分設有第一-第四進液閥，用于控制第一-第四進液管的開啟和關閉。優選地，所述第一-第四進液閥為電磁控制閥。優選地，所述第一-第四進液管分設有第一-第四質量流量控制器，用于控制向水槽內進行噴水時的流量。優選地，還包括控制模塊，用于控制第一、第二進液管與第三、第四進液管交替開啟和關閉。優選地，所述控制模塊還用于控制第一-第四進液管向水槽內進行噴水時的流量。一種基于上述的濕法清洗水槽的提高清洗效率的清洗方法，包括以下步驟：步驟S01：將經酸液浸泡后的芯片放入水槽并固定；步驟S02：交替開啟和關閉第一、第二進液管與第三、第四進液管，從水槽內的兩側與中間位置分別相向進行交替間斷噴水，以形成波動的水流；步驟S03：重復步驟S02，直至制程結束。優選地，步驟S02中，通過調整第一、第二進液管和/或第三、第四進液管向水槽內進行噴水時的流量，以形成具有不同波動大小的水流。優選地，步驟S02中，通過組合調整第一、第二進液管和/或第三、第四進液管向水槽內進行噴水時的流量及時間，以形成具有不均勻波動性的水流。從上述技術方案可以看出，本專利技術通過在水槽中間增加設置兩個進液管，與兩側的進液管分別進行間斷式噴水操作，增加了槽內水流的波動性，提高了芯片表面的水流速度，從而提高了清洗效果；而且，這種間斷性噴水增加的水槽內水的波動不足于破壞芯片內的脆弱圖形，所以可以達到在不破壞芯片表面脆弱圖形的基礎上增加清洗效率的目的；同時，通過對不同位置的進液管進行間斷式操作，可使得總體的水用量保持不變，因而不會導致成本的增加。附圖說明圖1是現有的一種濕法清洗水槽結構示意圖；圖2是本專利技術一較佳實施例的一種提高清洗效率的濕法清洗水槽結構示意圖；圖3-圖5是本專利技術一較佳實施例的一種提高清洗效率的清洗方法工作模式示意圖。具體實施方式下面結合附圖，對本專利技術的具體實施方式作進一步的詳細說明。需要說明的是，在下述的具體實施方式中，在詳述本專利技術的實施方式時，為了清楚地表示本專利技術的結構以便于說明，特對附圖中的結構不依照一般比例繪圖，并進行了局部放大、變形及簡化處理，因此，應避免以此作為對本專利技術的限定來加以理解。在以下本專利技術的具體實施方式中，請參閱圖2，圖2是本專利技術一較佳實施例的一種提高清洗效率的濕法清洗水槽結構示意圖。如圖2所示，本專利技術的一種提高清洗效率的濕法清洗水槽，用于對放置在水槽內的待清洗芯片進行流水清洗。芯片21可通過芯片卡槽22固定在水槽20中。在所述水槽20的底部設有第一-第四進液管23、26、24、25，用于向水槽內進行噴水，并使水流在水槽內從下到上作溢流流動排出水槽。請參閱圖2。第一、第二進液管23、26分別安裝在水槽的底部兩側，其進液方向為指向水槽的中間，即第一、第二進液管可分別沿水槽底部兩側向水槽的中間方向進行噴水。該第一、第二進液管的進液方向可以是水平方向，或者接近水平方向，或者是沿水槽底部的走向。請參閱圖2。第三、第四進液管24、25并列安裝在水槽的底部中間，其進液方向為指向水槽的兩側，即第三、第四進液管可分別沿水槽底部中間向水槽的兩側方向進行噴水。該第三、第四進液管的進液方向也可以是水平方向，或者接近水平方向，或者是沿水槽底部的走向，但最好是與第一、第二進液管的進液方向形成對應。本專利技術水槽的第一、第二進液管23、26與第三、第四進液管24、25不同時開閉，其工作模式為位于兩側的第一、第二進液管開啟時，位于中間的第三、第四進液管關閉；而當第一、第二進液管關閉時，第三、第四進液管開啟，并不斷重復循環進行。現有的水槽單純通過兩側不間斷噴水，使槽內形成溢流，這種方式的清洗效果并不好。本專利技術通過在槽內增加中間兩個第三、第四進液管，并采用使第一、第二進液管與第三、第四進液管交替開啟和關閉的進水方式，在水槽內的兩側和中間位置分別相向進行交替間斷噴水，增加了槽內水流的波動性，這種波動會增加水槽內流經芯片表面的水流速度，從而可提高清洗效果和清洗效率。這種通過間斷性噴水增加的水槽內水的波動效果，并不足以破壞芯片內的脆弱圖形，所以可以達到在不破壞芯片表面脆弱圖形的基礎上增加清洗效率的目的。作為一優選的實施方式，可以沿所述第一-第四進液管并列加工多個進液口，每個進液管上的進液口可用于同時向水槽內進行噴水。還可以在所述第一-第四進液管分別安裝控制閥門(即第一-第四進液閥)，用于控制第一-第四進液管的開啟和關閉。作為優選，這些閥門可以采用電磁控制閥，以便實現自動控制。進一步還可以在所述第一-第四進液管分別安裝流量控制閥(即第一-第四質量流量控制器)，用于控制向水槽內進行噴水時的流量。本專利技術的上述水槽可通過設置的一控本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種提高清洗效率的濕法清洗水槽，其特征在于，所述水槽的底部設有第一?第四進液管，用于向水槽內進行噴水，并使水流在水槽內從下到上作溢流流動；其中，第一、第二進液管分設于水槽的底部兩側，其進液方向為指向水槽的中間，第三、第四進液管并列設于水槽的底部中間，其進液方向為指向水槽的兩側；通過使第一、第二進液管與第三、第四進液管交替開啟和關閉，在水槽內的兩側和中間位置分別相向進行交替間斷噴水，以增加水流的波動性，提高水槽內流經芯片表面的水流速度，從而提高清洗效果和清洗效率。

【技術特征摘要】
1.一種提高清洗效率的濕法清洗水槽，其特征在于，所述水槽的底部設有第一-第四進液管，用于向水槽內進行噴水，并使水流在水槽內從下到上作溢流流動；其中，第一、第二進液管分設于水槽的底部兩側，其進液方向為指向水槽的中間，第三、第四進液管并列設于水槽的底部中間，其進液方向為指向水槽的兩側；通過使第一、第二進液管與第三、第四進液管交替開啟和關閉，在水槽內的兩側和中間位置分別相向進行交替間斷噴水，以增加水流的波動性，提高水槽內流經芯片表面的水流速度，從而提高清洗效果和清洗效率。2.根據權利要求1所述的提高清洗效率的濕法清洗水槽，其特征在于，所述第一-第四進液管設有多個進液口，用于同時向水槽內進行噴水。3.根據權利要求1或2所述的提高清洗效率的濕法清洗水槽，其特征在于，所述第一-第四進液管分設有第一-第四進液閥，用于控制第一-第四進液管的開啟和關閉。4.根據權利要求3所述的提高清洗效率的濕法清洗水槽，其特征在于，所述第一-第四進液閥為電磁控制閥。5.根據權利要求1或2所述的提高清洗效率的濕法清洗水槽，其特征在于，所述第一-第四進液管分設有第一-第四質量流量控制器，用于控制向水槽...

【專利技術屬性】
技術研發人員：宋振偉，徐友峰，
申請(專利權)人：上海華力微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31