【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及多組分主體材料和包含所述多組分主體材料的有機電致發(fā)光裝置。
技術(shù)介紹
電致發(fā)光裝置(EL裝置)為一種自發(fā)光裝置,其優(yōu)點在于其提供較寬的視角、較大的對比率和較快的響應(yīng)時間。有機EL裝置最初由Eastman Kodak通過使用小芳香族二胺分子和鋁配合物作為材料以形成發(fā)光層[應(yīng)用物理學(xué)報(Appl.Phys.Lett.)51,913,1987]而開發(fā)。有機EL裝置(OLED)為通過向有機電致發(fā)光材料施加電力而將電能改變成光的裝置,且一般具有包含陽極、陰極及在陽極與陰極之間的有機層的結(jié)構(gòu)。有機EL裝置的有機層可以由空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層(其包含主體材料和摻雜材料)、電子緩沖層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等組成,并且用于有機層的材料由其功能分類為空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子阻擋材料、發(fā)光材料、電子緩沖材料、空穴阻擋材料、電子傳輸材料、電子注入材料等。在有機EL裝置中,由于電壓的施加,空穴從陽極注入到發(fā)光層,電子從陰極注入到發(fā)光層,且高能量的激子通過空穴和電子的再結(jié)合形成。通過此能量,發(fā)光有機化合物達(dá)到激發(fā)態(tài),且通過由于發(fā)光有機化合物的激發(fā)態(tài)回到基態(tài)產(chǎn)生的能量發(fā)射光而發(fā)光。決定有機EL裝置中的發(fā)光效率的最重要因素是發(fā)光材料。發(fā)光材料必須具有高量子效率、高電子及空穴遷移率,且形成的發(fā)光材料層必須均勻且穩(wěn)定。發(fā)光材料根據(jù)發(fā)光的顏色分為發(fā)藍(lán)光材料、發(fā)綠光材料及發(fā)紅光材料,另外發(fā)黃光材料或發(fā)橙光材料。此外,發(fā)光材料還可根據(jù)其功能分類為主體材料和摻雜材料。近來,開發(fā)具有高效率和使用壽命的有機EL裝置裝置是迫切的問題。具體來說,考慮 ...
【技術(shù)保護(hù)點】
一種有機電致發(fā)光裝置,其包含至少一個在陽極與陰極之間的發(fā)光層,其中所述發(fā)光層包含主體和磷光摻雜劑,所述主體由多組分主體化合物組成,所述多組分主體化合物的至少第一主體化合物由以下式1表示,并且第二主體化合物由以下式2表示。其中A1和A2各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6?C30)芳基;L1表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6?C30)亞芳基;X1到X16各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1?C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C2?C30)烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C2?C30)炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C3?C30)環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6?C60)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(3元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C1?C30)烷基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C6?C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二(C1?C30)烷基(C6?C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1?C30)烷基二(C6?C30)芳基硅烷基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C6?C30)芳基氨基;或鍵聯(lián)到相鄰取代基以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單環(huán)或多環(huán)(C3?C30)脂環(huán)族環(huán)或芳香族環(huán),其 ...
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2014.04.18 KR 10-2014-0046857;2014.07.11 KR 10-2011.一種有機電致發(fā)光裝置,其包含至少一個在陽極與陰極之間的發(fā)光層,其中所述發(fā)光層包含主體和磷光摻雜劑,所述主體由多組分主體化合物組成,所述多組分主體化合物的至少第一主體化合物由以下式1表示,并且第二主體化合物由以下式2表示。其中A1和A2各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C30)芳基;L1表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C30)亞芳基;X1到X16各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C2-C30)烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C2-C30)炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C3-C30)環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C60)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(3元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C6-C30)芳基氨基;或鍵聯(lián)到相鄰取代基以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單環(huán)或多環(huán)(C3-C30)脂環(huán)族環(huán)或芳香族環(huán),其碳原子可被至少一個選自氮、氧和硫的雜原子替換;其中Ma表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的含氮(5元到11元)雜芳基;La表示單鍵或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C30)亞芳基;Xa到Xh各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C2-C30)烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C2-C30)炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C3-C30)環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C60)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(3元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C6-C30)芳基氨基;或鍵聯(lián)到相鄰取代基以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單環(huán)或多環(huán)(C3-C30)脂環(huán)族環(huán)或芳香族環(huán),其碳原子可被至少一個選自氮、氧和硫的雜原子替換;并且所述雜芳基含有至少一個選自B、N、O、S、P(=O)、Si和P的雜原子。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置,其中在式1中,A1及A2各自獨立地選自由以下各者組成的群組:苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、茚基、三亞苯基、芘基、并四苯基、苝基、□基及熒蒽基。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置,其中在式1中,L1由以下式7到式19中的任一者表示:其中Xi到Xp各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C2-C30)烯基、經(jīng)取...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:安熙春,金榮光,李琇炫,全志松,李仙優(yōu),金侈植,樸景秦,金南均,崔慶勳,沈載勛,趙英俊,李暻周,
申請(專利權(quán))人:羅門哈斯電子材料韓國有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:韓國;KR
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