【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種清洗劑，尤其涉及半導體材料拋光用清洗劑。
技術介紹
隨著半導體芯片設計得越來越小，銅材料以其良好的導電性和良好的抗電子遷移性，被普遍用作芯片導線材料，在芯片制造過程中，必須對硅片進行化學機械拋光，目前，硅片化學機械拋光是將硅片置于拋光墊上，使用拋光液對硅片進行拋光，典型的清洗液有去離子水、過氧化氫溶液和稀氨水，它們主要用于清洗前一工藝中殘留液，比如經化學機械拋光工藝后，表面殘留的拋光液，經過刻蝕去強光阻工藝后，殘留的去強光阻液以及經過沉積工藝后的殘留液等，有必要在化學機械研磨后清洗液中加入化學試劑以降低硅片的表面張力，并對表面活性劑或表面活性劑混合物進行仔細的選擇以獲得更好的清洗效果，以避免可能產生的化學殘留物問題。
技術實現思路
本專利技術的主要目的在于針對現有技術存在的問題，而提出半導體材料拋光用清洗劑。為了達到上述目的，本專利技術的技術方案如下：本專利技術所涉及的清洗劑由以下原料組分組成：有機酸、含氮化合物、滲透劑、光亮劑、螯合劑、防腐劑、緩蝕劑、表面活性劑和水。所述的有機酸選自氨基酸、檸檬酸、檸檬酸氫胺、檸檬酸氫二胺和乙二胺四乙酸中的一種或幾種。所述的含氮化合物為含-NH結構的胺類化合物。所述的胺類化合物選自1-2-4-三氮唑、5-氨基四氮唑、鹽酸雙胍、聚亞酰胺和3-氨基四氮唑中的一種或幾種。所述的光亮劑是鹵鹽。所述的螯合劑為醋酸、檸檬酸、蘋果酸、丙二酸、馬來酸、酒石酸、草酸、鄰苯二甲酸、琥珀酸、乙二胺四乙酸中的一種或幾種的混合物。所述的表面活性劑為烷基葡萄苷或乙二醇硅烷油。所述的防腐劑為磷酸鹽、氟化物中的一種。所述的緩蝕劑為五倍子...
【技術保護點】
半導體材料拋光用清洗劑，其特征在于：所述的清洗劑由以下原料組分組成：有機酸、含氮化合物、滲透劑、光亮劑、螯合劑、防腐劑、緩蝕劑、表面活性劑和水。
【技術特征摘要】
1.半導體材料拋光用清洗劑，其特征在于：所述的清洗劑由以下原料組分組成：有機酸、含氮化合物、滲透劑、光亮劑、螯合劑、防腐劑、緩蝕劑、表面活性劑和水。2.根據權利要求1所述的半導體材料拋光用清洗劑，其特征在于：所述的原料的重量百分比為有機酸5％-20％、含氮化合物10％-15％、滲透劑2％-5％、光亮劑0.01％-0.1％、螯合劑0.1％-1％、防腐劑0.01％-0.1％、緩蝕劑1％-4％、表面活性劑0.1％-1％和余量水。3.根據權利要求1所述的半導體材料拋光用清洗劑，其特征在于：所述的有機酸選自氨基酸、檸檬酸、檸檬酸氫胺、檸檬酸氫二胺和乙二胺四乙酸中的一種或幾種。4.根據權利要求1所述的半導體材料拋光用清洗劑，其特征在于：所述的含氮化合物為含-NH結構的胺類化合物。5.根據權利要求1所述的半導體材料拋光用清洗劑，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張萌，
申請(專利權)人：西安開能數字信息技術有限責任公司，
類型：發明
國別省市：陜西;61
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