一種存儲單元的擦除方法技術

本發明專利技術公開了一種存儲單元的擦除方法，該方法包括：首先對當前擦除塊內當前字線地址對應的存儲單元進行擦除校驗，然后判斷所述擦除校驗是否通過，并進行標記，并判斷所述當前字線地址是否為當前擦除塊內最后的字線地址，若不是則對當前字線地址累加，對當前擦除塊內其它的字線地址進行上述擦除校驗操作，若是當前擦除塊內最后的字線地址，則結束擦除校驗操作，對沒有通過所述擦除校驗的字線地址對應的存儲單元進行擦除操作，然后再將沒有通過所述擦除校驗的存儲單元對應的字線地址依次更新為當前字線地址，并重復執行擦除校驗操作，直至當前擦除塊內所有的存儲單元通過擦除校驗。提高了擦除速度，節約了擦除時間。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及存儲器
，尤其涉及一種存儲單元的擦除方法。
技術介紹
快閃存儲器(flash memory)是一種非易失性存儲器(Non-volatile memory)，其內部采用非線性宏單元模式，具有容量大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲。在flash存儲器中，一個存儲單元可看作為一個金屬氧化物半導體場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。圖1是一種常見的MOSFET結構圖，包括柵極20、源極21、漏極22、P型硅半導體襯底23、以及隧穿氧化層24。其相互間的連接為：P型硅半導體襯底23擴散出兩個N型區，P型硅半導體襯底23上方覆蓋一層隧穿氧化層24，最后在N型區上方用腐蝕的方法做成兩個孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極：柵極20、源極21和漏極22，源極21和漏極22分別對應兩個N型區且柵極20為存儲單元的字線，漏極22為存儲單元的位線。進一步的，柵極20又包括控制柵極201、多晶硅層間電介質202(Inter Poly Dielectric,IPD)、浮動柵極203，且浮動柵極203存儲電荷。flash存儲器通過改變浮動柵極203中電子的數量來存儲數據。flash存儲器的物理結構決定了其擦除操作是塊擦除，每次擦除操作都是某個區域內一定數量的存儲單元在同時進行，不會對每一個存儲單元單獨進行擦除操作。對flash存儲器所進行的擦除操作，是對某個區域內一定數量存儲單元的浮動柵極203施加負電壓、襯底施加正電壓，每一次對某個區域一定數量存儲單元的浮動柵極施加負電壓、P型硅半導體襯底23施加正電壓，被稱為一次“擦除”。由于工藝偏差，疲勞老化等原因各個存儲單元不可能完全相同，所以每次擦除操作完成之后，不能保證擦除區域內的每一個存儲單元被擦除成功，即擦除區域內的存儲單元可能不能全部通過擦除校驗，現有的擦除方法是，只要擦除區域內存在擦除不成功的存儲單元，就需要對該區域內的所有存儲單元重新繼續進行擦除操作，直到該區域內所有存儲單元都被擦除成功為止，此時才認為完成了一輪擦除操作，即一次完整的一輪擦除操作過程可能包括多次擦除操作。現有的擦除方法為了保證擦除區域被擦除成功，需要對擦除區域進行多次擦除操作，然而有些存儲單元可能在第一次被擦除的時候就已經擦除成功，再次被擦除的時候會使這些已經擦除成功的存儲單元處于過擦除狀態，增加了存儲單元的擦除次數，同時一輪擦除操作過程所用的時間被大大延長了，相應的，flash存儲器的擦除速度被減緩了，同時對flash存儲器的性能產生了極大的不良影響，進而影響了flash存儲器的使用壽命。因此，需要對現有的擦除方法進行改進，以減少擦除次數，縮短擦除所需要的時間，延長flash存儲器的使用壽命。
技術實現思路
本專利技術實施例提供一種存儲單元的擦除方法，以延長flash存儲器產品的使用壽命。該方法包括：101、對當前擦除塊內當前字線地址對應的存儲單元進行擦除校驗；102、判斷所述擦除校驗是否通過，并進行標記；103、判斷所述當前字線地址是否為當前擦除塊內最后的字線地址，若是則繼續執行104，否則對當前字線地址累加，并返回執行101；104、結束擦除校驗操作，對沒有通過所述擦除校驗的字線地址對應的存儲單元進行擦除操作；105、將沒有通過所述擦除校驗的存儲單元對應的字線地址依次更新為當前字線地址，并返回執行步驟101，直至當前擦除塊內所有的存儲單元通過擦除校驗。示例性地，所述判斷所述擦除校驗是否通過，并進行標記，包括：判斷所述擦除校驗是否通過，并將通過所述擦除校驗的字線地址進行標記；或，判斷所述擦除校驗是否通過，并將沒有通過所述擦除校驗的字線地址進行標記。進一步地，所述方法還包括：對通過所述擦除校驗的字線地址對應的存儲單元進行過擦除校驗；判斷所述過擦除校驗是否通過，若是則結束流程，否則對沒有通過所述過擦除校驗的字線地址對應的存儲單元進行過擦除編程。示例性地，判斷所述擦除校驗是否通過，包括：分別判斷所述當前擦除塊內當前字線地址對應的多個存儲單元中的每一個存儲單元擦除校驗是否通過，若是，則確定所述擦除校驗通過，否則，確定所述擦除校驗不通過。示例性地，所述對沒有通過所述擦除校驗的字線地址對應的存儲單元進行擦除操作，包括：依次將所述沒有通過所述擦除校驗的存儲單元對應的字線地址作為當前字線地址；對所述當前字線地址對應的存儲單元進行擦除操作，并統計所述當前字線地址對應的擦除操作的次數；判斷所述擦除操作的次數是否達到預設擦除操作次數閾值，若是則確定當前字線地址對應的存儲單元擦除成功。優選的，所述預設的擦除操作次數閾值為小于或者等于2000的正整數。示例性地，所述進行擦除操作具體為：分別向存儲單元的柵極和P阱施加擦除電壓。進一步地，向存儲單元的柵極施加的擦除電壓范圍為-7V到-10V，向存儲單元的P阱施加的擦除電壓范圍為6V到10V。示例性地，所述判斷所述擦除校驗是否通過，具體為：檢測從所述存儲單元的源極流向漏極的電流值是否大于預設電流值，若是，則確定所述存儲單元的當前狀態為擦除成功，所述擦除校驗通過。進一步地，當所述當前擦除塊內所有的存儲單元通過擦除校驗后，還包括：判斷所述當前擦除塊是否為擦除區域內最后的擦除塊，若是則結束流程，否則繼續對擦除區域內其他的擦除塊內的存儲單元進行擦除校驗操作，直至所述擦除區域內所有的存儲單元通過擦除校驗。本專利技術實施例提供的一種存儲單元的擦除方法，通過首先對當前擦除塊內當前字線地址對應的存儲單元進行擦除校驗，然后判斷所述擦除校驗是否通過，并進行標記，以將通過擦除校驗的字線地址與沒有通過擦除校驗的字線地址區別開，并判斷所述當前字線地址是否為當前擦除塊內最后的字線地址，若不是則對當前字線地址累加，對當前擦除塊內其它的字線地址進行上述擦除校驗操作，若是當前擦除塊內最后的字線地址，則結束擦除校驗操作，對沒有通過所述擦除校驗的字線地址對應的存儲單元進行擦除操作，然后再將沒有通過所述擦除校驗的存儲單元對應的字線地址依次更新為當前字線地址，并重復執行擦除校驗操作，直至當前擦除塊內所有的存儲單元通過擦除校驗。實現了以字線地址為掃描單位對存儲單元進行“擦除校驗-擦除-擦除校驗”的循環操作，減少了對flash存儲器中存儲單元的擦除次數，提高了擦除速度，節約了整體的擦除時間，延長了flash存儲器的使用壽命。附圖說明圖1是flash芯片中一種作為存儲單元的金屬氧化物半導體場效晶體管的結構圖；圖2是本專利技術實施例一中的一種存儲單元的擦除方法流程圖；圖3是本專利技術實施例二中的一種存儲單元的擦除方法流程圖；圖4為本專利技術實施例三中的一種存儲單元的擦除方法流程圖。具體實施方式下面結合附圖和實施例對本專利技術作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本專利技術，而非對本專利技術的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本專利技術相關的部分而非全部結構。實施例一圖2為本專利技術實施例一提供的一種存儲單元的擦除方法流程圖，本實施例可適用于對flash存儲器的整個擦除區域進行擦除操作。參見圖2，本實施例提供的存儲單元的擦除方法具體包括如下步驟：101、對當前擦除塊內當前字線地址對本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種存儲單元的擦除方法，其特征在于，包括：101、對當前擦除塊內當前字線地址對應的存儲單元進行擦除校驗；102、判斷所述擦除校驗是否通過，并進行標記；103、判斷所述當前字線地址是否為當前擦除塊內最后的字線地址，若是則繼續執行104，否則對當前字線地址累加，并返回執行101；104、結束擦除校驗操作，對沒有通過所述擦除校驗的字線地址對應的存儲單元進行擦除操作；105、將沒有通過所述擦除校驗的存儲單元對應的字線地址依次更新為當前字線地址，并返回執行步驟101，直至當前擦除塊內所有的存儲單元通過擦除校驗。

【技術特征摘要】
1.一種存儲單元的擦除方法，其特征在于，包括：101、對當前擦除塊內當前字線地址對應的存儲單元進行擦除校驗；102、判斷所述擦除校驗是否通過，并進行標記；103、判斷所述當前字線地址是否為當前擦除塊內最后的字線地址，若是則繼續執行104，否則對當前字線地址累加，并返回執行101；104、結束擦除校驗操作，對沒有通過所述擦除校驗的字線地址對應的存儲單元進行擦除操作；105、將沒有通過所述擦除校驗的存儲單元對應的字線地址依次更新為當前字線地址，并返回執行步驟101，直至當前擦除塊內所有的存儲單元通過擦除校驗。2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述判斷所述擦除校驗是否通過，并進行標記，包括：判斷所述擦除校驗是否通過，并將通過所述擦除校驗的字線地址進行標記；或，判斷所述擦除校驗是否通過，并將沒有通過所述擦除校驗的字線地址進行標記。3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：對通過所述擦除校驗的字線地址對應的存儲單元進行過擦除校驗；判斷所述過擦除校驗是否通過，若是則結束流程，否則對沒有通過所述過擦除校驗的字線地址對應的存儲單元進行過擦除編程。4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，判斷所述擦除校驗是否通過，包括：分別判斷所述當前擦除塊內當前字線地址對應的多個存儲單元中的每一個存儲單元擦除校驗是否通過，若是，則確定所述擦除校驗通過，否則，確定所述擦除校驗不通過。5.根據權利要求1所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：薛子恒，
申請(專利權)人：北京兆易創新科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：北京;11