一種陣列基板、其驅動方法、液晶顯示面板及顯示裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種陣列基板、其驅動方法、液晶顯示面板及顯示裝置，包括襯底基板、像素電極、補償電容、控制線和控制電路。當像素電極充電后，像素電極處于浮接狀態，控制電路向補償電容施加與像素電極上電壓極性相同的電壓，根據電容電荷守恒原理，補償電容兩端電壓差壓要保持為像素電極充電時狀態，因此控制電路向補償電容一端施加電壓時會使補償電容另一端電壓發生相同改變，從而使像素電極電壓幅度增大，當該陣列基板應用于液晶顯示面板時，像素電極的電壓幅度增大使控制液晶分子翻轉的電場增強，從而減小液晶分子響應時間。因此本發明專利技術實施例提供的上述陣列基板解決了現有技術中存在的低溫時液晶響應速度變慢的問題，從而提高液晶顯示質量。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及顯示裝置，尤其涉及一種陣列基板、其驅動方法、液晶顯示面板及顯示裝置。
技術介紹
液晶顯示器一般包括對盒的上基板和下基板，以及填充在上基板和下基板之間的液晶分子層。在顯示畫面時，由于加載在各像素的像素電極上的驅動電壓和公共電極上的公共電極電壓之間形成電場，而液晶分子在電場作用下會發生偏轉，偏轉程度不同，導致透過率不同，從而實現畫面顯示。但是，由于液晶分子具有粘滯效應，因此液晶分子偏轉至預期狀態會有一個時間過程，即響應時間，特別是在低溫環境下，液晶分子的響應時間會比較長，從而導致像素充電率不足，進而影響液晶顯示器的顯示品質。因此，如何減小液晶分子的響應時間是本領域技術人員亟需解決的問題。
技術實現思路
本專利技術實施例提供的一種陣列基板、其驅動方法、液晶顯示面板及顯示裝置，通過在像素電極與控制線之間設置補償電容，來實現改變電極電壓，從而解決了現有技術中存在因液晶特性導致低溫時液晶響應速度變慢的問題，從而提高液晶顯示質量。因此，本專利技術實施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板上呈矩陣排列的多個像素電極；還包括：與各所述像素電極一一對應的補償電容；與各所述補償電容對應連接的控制線；與各所述控制線連接的控制電路，所述控制電路用于通過所述控制線在各所述像素電極充電后，向與各所述像素電極對應的補償電容施加預設時長的、且與各所述像素電極上的電壓極性相同的電壓。較佳地，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，所述補償電容包括相互絕緣且相對設置的第一電極和第二電極，其中所述第二電極與對應的像素電極相連，所述第一電極與對應的控制線相連；或者所述補償電容包括與所述像素電極相對設置的第一電極，所述第一電極與所述像素電極形成電容結構。較佳地，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，還包括：與各行所述像素電極對應連接的柵線。較佳地，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，一條所述控制線對應連接一行所述像素電極所對應的各所述補償電容。較佳地，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，一條所述控制線對應連接一個所述補償電容。較佳地，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，所述柵線與所述控制線同層設置。較佳地，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，還包括：與各列像素電極對應連接的數據線；當所述補償電容僅包括第一電極時，所述第一電極與所述數據線同層設置。相應地，本專利技術實施例還提供了一種液晶顯示面板，包括上述任一種所述的陣列基板。相應地，本專利技術實施例還提供了一種顯示裝置，包括液晶顯示面板。相應地，本專利技術實施例還提供了一種所述的陣列基板的驅動方法，包括：依次對各行所述像素電極進行充電；在每一行所述像素電極充電后，控制電路通過與該行像素電極對應的控制線向與該行像素電極對應的補償電容施加預設時長的、且與該行像素電極上的電壓極性相同的電壓。本專利技術實施例提供的上述陣列基板、其驅動方法、液晶顯示面板及顯示裝置，包括襯底基板、像素電極、補償電容、控制線和控制電路。當各像素電極充電后，像素電極處于浮接狀態，而控制電路向補償電容施加了與像素電極上的電壓極性相同的電壓，根據電容電荷守恒原理，補償電容兩端的電壓差壓要保持為像素電極充電時的狀態，因此控制電路向補償電容一端施加電壓時會使補償電容另一端的電壓發生相同的改變，從而使像素電極的電壓幅度增大，當該陣列基板應用于液晶顯示面板時，像素電極的電壓幅度增大會使控制液晶分子翻轉的電場增強，從而減小液晶分子的響應時間。因此本專利技術實施例提供的上述陣列基板可以解決現有技術中存在的在低溫時液晶響應速度變慢的問題，從而提高液晶顯示質量。附圖說明圖1為本專利技術實施例提供的陣列基板的結構示意圖之一；圖2為本專利技術實施例提供的陣列基板的結構示意圖之二；圖3為本專利技術實施例提供的陣列基板的結構示意圖之三；圖4為本專利技術實施例提供的陣列基板的結構示意圖之四；圖5為本專利技術實施例提供的陣列基板的驅動方法流程圖；圖6為本專利技術實施例提供的陣列基板的時序控制圖；圖7為本專利技術實施例提供的陣列基板的時序控制效果圖。具體實施方式為了使本專利技術的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本專利技術作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。附圖中各部件的形狀和大小不反映真實比例，目的只是示意說明本
技術實現思路
。本專利技術實施例提供的一種陣列基板，如圖1至圖3所示，包括襯底基板01，位于襯底基板01上呈矩陣排列的多個像素電極02；還包括：與各像素電極02一一對應的補償電容03；與各補償電容03對應連接的控制線04；與各控制線04連接的控制電路05，控制電路05用于通過控制線04在各像素電極02充電后，向與各像素電極02對應的補償電容03施加預設時長的、且與各像素電極02上的電壓極性相同的電壓。本專利技術實施例提供的上述陣列基板，包括襯底基板、像素電極、補償電容、控制線和控制電路。當各像素電極充電后，像素電極處于浮接狀態，而控制電路向補償電容施加了與像素電極上的電壓極性相同的電壓，根據電容電荷守恒原理，補償電容兩端的電壓差壓要保持為像素電極充電時的狀態，因此控制電路向補償電容一端施加電壓時會使補償電容另一端的電壓發生相同的改變，從而使像素電極的電壓幅度增大，當該陣列基板應用于液晶顯示面板時，像素電極的電壓幅度增大會使控制液晶分子翻轉的電場增強，從而減小液晶分子的響應時間。因此本專利技術實施例提供的上述陣列基板可以解決現有技術中存在的在低溫時液晶響應速度變慢的問題，從而提高液晶顯示質量。具體實施時，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，如圖2所示，補償電容03包括相互絕緣且相對設置的第一電極031和第二電極032，其中第二電極032與對應的像素電極02相連，第一電極031與對應的控制線04(圖中未畫出)相連；或者如圖3所示，補償電容03包括與像素電極02相對設置的第一電極，第一電極與像素電極02形成電容結構。在具體實施時，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，如圖1所示，還包括：與各行像素電極02對應連接的柵線gate1、gate2、gate3、…。在具體實施時，為了減少襯底基板上的布線數量，以提高開口率，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，如圖1所示，一條控制線04對應連接一行像素電極02所對應的各補償電容03。當然，在具體實施時，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，也可以是一條控制線04對應連接一個補償電容03，在此不作限定。較佳地，在具體實施時，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，柵線與控制線同層設置，在此不作限定。當柵線與控制線同層設置時，可以在制備時，僅改變構圖圖案，不用單獨增加形成控制線的刻蝕工藝，在形成柵線的同時形成控制線，從而可以降低工藝成本。在具體實施時，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，如圖1所示，還包括：與各列像素電極02對應連接的數據線data1、data2、data3、…。在具體實施時，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，當補償電容僅包括第一電極時，第一電極與數據線同層設置，這樣可以降低工藝成本，在此不作限定。進一步地，在本專利技術實施例提供的上述陣列基板中，當補償電容僅包括第一電極時，第一電極的材料可以為本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板上呈矩陣排列的多個像素電極；其特征在于，還包括：與各所述像素電極一一對應的補償電容；與各所述補償電容對應連接的控制線；與各所述控制線連接的控制電路，所述控制電路用于通過所述控制線在各所述像素電極充電后，向與各所述像素電極對應的補償電容施加預設時長的、且與各所述像素電極上的電壓極性相同的電壓。

【技術特征摘要】
1.一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板上呈矩陣排列的多個像素電極；其特征在于，還包括：與各所述像素電極一一對應的補償電容；與各所述補償電容對應連接的控制線；與各所述控制線連接的控制電路，所述控制電路用于通過所述控制線在各所述像素電極充電后，向與各所述像素電極對應的補償電容施加預設時長的、且與各所述像素電極上的電壓極性相同的電壓。2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述補償電容包括相互絕緣且相對設置的第一電極和第二電極，其中所述第二電極與對應的像素電極相連，所述第一電極與對應的控制線相連；或者所述補償電容包括與所述像素電極相對設置的第一電極，所述第一電極與所述像素電極形成電容結構。3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括：與各行所述像素電極對應連接的柵線。4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，一條所述控制線對應連...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李鵬濤，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，北京京東方光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：北京;11