一種穩定性能好的SiC生長坩堝平臺制造技術
【技術實現步驟摘要】
本申請涉及SiC生產
，具體為一種穩定性能好的SiC生長坩堝平臺。
技術介紹
人造SiC通常是在坩堝中進行生產的，坩堝是通過石墨平臺進行支撐的，石墨平臺起到均熱作用，在SiC生長過程中，需要反復對坩堝進行加熱和冷卻，石墨平臺也需要經歷反復不斷的膨脹和收縮，石墨平臺的膨脹和收縮會導致坩堝的中心位置發生偏移，使得坩堝在使用過程中不穩定，容易晃動，一旦坩堝在使用過程中發生晃動，極易導致坩堝內的溫場不均勻，嚴重影響SiC的質量。基于上述問題，設計專利技術一種新型的SiC生長坩堝平臺就顯得尤為必要。
技術實現思路
為了克服現有技術中的缺陷，本申請提供了一種新型的SiC生長坩堝平臺，該裝置通過螺栓將兩塊石墨平臺連接在一起，并將坩堝固定于兩塊石墨平臺之間，當石墨受熱膨脹時，由于螺栓的固定，石墨平臺不會發生位置平移，從而保障了坩堝位置的穩定性。另外，該坩堝平臺具有結構簡單，使用方便等優點。為了實現上述目的，本申請采取的技術方案如下：一種穩定性能好的SiC生長坩堝平臺，包括第一石墨平臺和第二石墨平臺，所述的第一石墨平臺和第二石墨平臺通過兩個螺栓連接在一起，兩根螺栓分別貫穿第一石墨平臺和第二石墨平臺的兩側，在第二石墨平臺的一側為螺帽，在第一石墨平臺的一側為螺母；在螺帽與第二石墨平臺之間設有彈簧；所述的第一石墨平臺和第二石墨平臺放置在不銹鋼底座上，且不銹鋼底座上開設有通氣孔，通氣孔起到通風散熱的作用；所述的第一石墨平臺和第二石墨平臺相對的一側，在每個平臺上分別設有半圓，兩半圓大小及相對位置為對應的，兩個半圓正好形成放置坩堝的空間；所述的坩堝上設置有通電鈕，用于通電而對坩堝加...
【技術保護點】
一種穩定性能好的SiC生長坩堝平臺，其特征在于，包括第一石墨平臺(1)和第二石墨平臺(3)，所述的第一石墨平臺(1)和第二石墨平臺(3)通過兩個螺栓(2)連接在一起，兩根螺栓(2)分別貫穿第一石墨平臺(1)和第二石墨平臺(3)的兩側，在第二石墨平臺(3)的一側為螺帽(4)，在第一石墨平臺(1)的一側為螺母；在螺帽(4)與第二石墨平臺(3)之間設有彈簧(5)；所述的第一石墨平臺(1)和第二石墨平臺(3)相對的一側，在每個平臺上分別設有半圓，兩半圓大小及相對位置為對應的，兩個半圓正好形成放置坩堝(8)的空間。
【技術特征摘要】
1.一種穩定性能好的SiC生長坩堝平臺，其特征在于，包括第一石墨平臺(1)和第二石墨平臺(3)，所述的第一石墨平臺(1)和第二石墨平臺(3)通過兩個螺栓(2)連接在一起，兩根螺栓(2)分別貫穿第一石墨平臺(1)和第二石墨平臺(3)的兩側，在第二石墨平臺(3)的一側為螺帽(4)，在第一石墨平臺(1)的一側為螺母；在螺帽(4)與第二石墨平臺(3)之間設有彈簧(5)；所述的第一石墨平臺(1)和第二石...
【專利技術屬性】
技術研發人員：宗艷民，
申請(專利權)人：山東天岳晶體材料有限公司，
類型：新型
國別省市：山東;37
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