一種晶圓切割、減薄用保護膜制造技術

本實用新型專利技術涉及半導體技術領域，公開了一種晶圓切割、減薄用保護膜，依次包括抗粘層、芯層和膠層，抗粘層和芯層即流延聚丙烯(CPP)基材膜是通過流延機共擠流延制備得到，隨后在基材膜上涂布UV減粘膠水即可得到成品保護膜。本實用新型專利技術，使得抗粘層得到一種粗糙的結構表面，從而保護膜在高剝離力的情況下也易于解卷，避免因為解卷力過大，導致薄膜剝開變形；選用CPP作為基材膜，耐溫性和強度都要優越于PE基材膜，可以滿足更高要求的工藝條件；流延工藝制備CPP基材膜的厚薄均勻度高，可以提高晶圓加工的精確度和良品率。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及半導體
，特別是涉及一種晶圓切割、減薄用保護膜。
技術介紹
目前，在對半導體晶圓進行切割或減薄過程中通常的加工方法有兩種：1、是采用高粘保護膜，于加熱的條件下覆于晶圓表面，切割后再冷凍取下晶片，最后對晶片進行清洗。但是在切割過程中，由于局部溫度比較高，常常造成保護膜的膠粘層脫落在晶片表面，需要大量的溶劑去清洗，而有些溶劑會對晶片帶來損傷，并且帶來環境的污染。2、是使用UV減粘保護膜，初始剝離力高，貼附晶圓進行加工完畢后，經過UV照射，剝離力急劇降低，便于晶圓成品從保護膜上取下。但是由于初始剝離力大，可能會導致保護膜在解卷的過程中由于解卷力過大，導致薄膜拉伸變形，影響后續使用?，F有的UV減粘保護膜普遍基材為PE膜，由于其強度和耐溫性不佳，對于日新月異的工藝配合度不高。隨著對環保要求越來越高，UV減粘保護膜可能會是未來發展的趨勢，而其現在所面臨的缺陷，值得解決。
技術實現思路
針對現有技術存在的不足，本技術目的是提供一種晶圓切割、減薄用保護膜。為了實現上述目的，本技術是通過如下的技術方案來實現：一種晶圓切割、減薄用保護膜，其特征在于，依次由抗粘層、芯層和膠層構成；抗粘層和芯層構成基材膜，且該基材膜由流延聚丙烯構成。前述的晶圓切割、減薄用保護膜，所述基材膜厚度為25～200 μm；基材膜厚薄均勻度±3%，拉伸強度>20 Mpa。前述的晶圓切割、減薄用保護膜，抗粘層的表面有一定粗糙度，表面霧度為30%～50%，抗粘層厚度為5～50 μm。前述的晶圓切割、減薄用保護膜，芯層厚度為20～150 μm。前述的晶圓切割、減薄用保護膜，膠層厚度為5～20 μm。本技術有益效果如下：1.抗粘層有一種粗糙的結構表面，使得保護膜在高粘的情況下易于解卷，避免因為解卷力過大，導致薄膜剝開變形；2. 選用CPP作為基材膜，耐溫性和強度都要優越于PE基材膜，可以滿足更高要求的工藝條件；3. 流延工藝制備CPP基材膜的厚薄均勻度高，可以提高晶圓加工的精確度和良品率。附圖說明圖1為本技術的晶圓切割、減薄用保護膜結構示意圖；圖中各標號：抗粘層1、芯層2、膠層3。具體實施方式為使本技術實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體實施方式，進一步闡述本技術。晶圓切割、減薄用保護膜，由基材膜和膠層構成；上述基材膜為CPP基材膜，通過流延機共擠流延制備得到，厚度為25～200 μm。上述基材膜由抗粘層和芯層構成，抗粘層厚度5～50 μm，芯層厚度20～150 μm；上述抗粘層，設有具有一定粗糙度的表面，霧度為30%～50%。上述CPP基材膜厚薄均勻度±3%，拉伸強度>20 Mpa，在120℃下正常使用；上述膠層優選為UV照射失粘壓敏膠（也可以是其它壓敏膠），厚度為5～20 μm。實施例1：參見圖1，晶圓切割、減薄用保護膜依次包括抗粘層1、芯層2、膠層3。通過共擠流延制備得到霧度為30%，厚度為40 um的CPP基材膜。選取昆山梓瀾電子材料有限公司的晶圓切割膜UV-260產品配方膠水用狹縫式涂布于CPP基材上，干膠涂布厚度為5 um。成品收卷后即可進入倉庫，要注意遮光包裝和存儲。實施例2：通過共擠流延制備得到霧度為40%，厚度為80 um的CPP基材膜。將UV失粘膠水用狹縫式涂布于CPP基材上，干膠涂布厚度為10 um。成品收卷后即可進入倉庫，要注意遮光包裝和存儲。實施例3：通過共擠流延制備得到霧度為50%，厚度為120 um的CPP基材膜。將UV失粘膠水用狹縫式涂布于CPP基材上，干膠涂布厚度為20 um。成品收卷后即可進入倉庫，要注意遮光包裝和存儲。以上顯示和描述了本技術的基本原理和主要特征和本技術的優點。本行業的技術人員應該了解，本技術不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本技術的原理，在不脫離本技術精神和范圍的前提下，本技術還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本技術范圍內。本技術要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶圓切割、減薄用保護膜，其特征在于，依次由抗粘層、芯層和膠層構成；抗粘層和芯層構成基材膜，且該基材膜由流延聚丙烯構成。

【技術特征摘要】
1.一種晶圓切割、減薄用保護膜，其特征在于，依次由抗粘層、芯層和膠層構成；抗粘層和芯層構成基材膜，且該基材膜由流延聚丙烯構成。2.根據權利要求1所述的晶圓切割、減薄用保護膜，其特征在于，所述基材膜厚度為25～200 μm；基材膜厚薄均勻度±3%，拉伸強度>20 Mpa。3.根據權利要求1所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：喻四海，施法寬，楊洋，
申請(專利權)人：昆山博益鑫成高分子材料有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32