一種低功耗高容量服務器內存制造技術

本實用新型專利技術涉及一種低功耗高容量服務器內存，包括電路板、存儲芯片，所述電路板上安裝有至少兩個存儲芯片，所述電路板上間隔的排布有橫放和縱放的存儲芯片，本實用新型專利技術結構簡單，通過存儲芯片間隔的橫豎放，減少了電路板的面積和體積，且采用該排列方式，存儲芯片相互之間形成間隔，起到了良好的散熱效果，增加了電路板以及存儲芯片的使用壽命。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及半導體領域，特別涉及一種低功耗高容量服務器內存。
技術介紹
各類互聯網技術的不斷發展，云存儲數據量不斷提高，高端服務器及一些圖形處理站上對內存處理數據準確性以及容量的要求不斷提高，DDR3服務器內存（RDIMM）產品已經不能滿足高端服務器要求，DDR4 正是具備了即時、準確、高速、大容量、超低功耗等優良特點而受到服務器內存市場的歡迎，DDR4 RDIMM性能的好壞是決定一個公司能否進軍內存高端市場的重要憑據，各大世界著名半導體公司對DDR4 RDIMM大容量內存的研發也在如火如荼的進行中。
技術實現思路
本技術提供一種低功耗高容量服務器內存，包括電路板、存儲芯片，所述電路板上安裝有至少兩個存儲芯片，所述電路板上間隔的排布有橫放和縱放的存儲芯片。優選的，所述電路板上還設置有金手指、讀寫錯誤糾正模塊和模式寄存器模塊。優選的，所述金手指非對稱的分布于電路板的一側。本技術的有益效果：本技術結構簡單，通過存儲芯片間隔的橫豎放，減少了電路板的面積和體積，且采用該排列方式，相鄰的存儲芯片長寬度不一致，使得多個存儲芯片之間形成間隔，起到了良好的散熱效果，增加了電路板以及存儲芯片的使用壽命。附圖說明圖1為本技術的結構示意圖；圖2為圖1中A點的局部結構示意圖；圖3位圖1中B點的局部結構示意圖；圖中，1、電路板；2、存儲芯片；3、讀寫錯誤糾正模塊；4、模式寄存器模塊;5、金手指；A、電路板的最左側邊距離電路板中間位置的1/2位置處；B、電路板最右側邊距離電路板中間位置的1/2位置處。具體實施方式本技術包括電路板1、存儲芯片2、電路板1上設置有金手指5，所述電路板1上設置有i行、j列的安裝座，用于安裝存儲芯片2、讀寫錯誤糾正模塊3和模式寄存器模塊4存儲芯片2，所述存儲芯片2分為橫放和縱放兩種排列方式，相鄰的兩個存儲芯片2采用不同的放置方式。圖1所示中，電路板1上排布i=2行、j=10列的安裝座，其中存儲芯片2橫放的位置分別為：i=1、j=1，i=1、j=3,i=1、j=5,i=1、j=7,i=1、j=9,i=2、j=2,i=2、j=4,i=2、j=8,i=2、j=10這9個位置；存儲芯片2豎放的位置分別為：i=1、j=2，i=1、j=4,i=1、j=8,i=1、j=10,i=2、j=1,i=2、j=3,i=2、j=7,i=2、j=9這8個位置；由上述可知，相鄰的兩行兩列的四個存儲芯片2形成一個環形陣列。所述電路板1上在i=2、j=5位置安裝讀寫錯誤糾正模塊3，在i=2、j=6位置安裝模式寄存器模塊4。由圖2、圖3所示可知，所述金手指5分均勻的分布于電路板1的一側，最左側和最右側的金手指5長度最短，且越靠近A、B位置金手指5長度越長，A點到電路板1中間位置處的金手指5長度相等，B點到電路板1中間位置的金手指5長度相等。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本專利申請的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬
中具有通常知識者在未脫離本專利申請所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本專利請的權利要求所涵蓋。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種低功耗高容量服務器內存，包括電路板、存儲芯片，所述電路板上安裝有至少兩個存儲芯片，其特征在于：所述電路板上間隔的排布有橫放和縱放的存儲芯片。

【技術特征摘要】
1.一種低功耗高容量服務器內存，包括電路板、存儲芯片，所述電路板上安裝有至少兩個存儲芯片，其特征在于：所述電路板上間隔的排布有橫放和縱放的存儲芯片。2.據權利要求1所述一種低功耗高容量...

【專利技術屬性】
技術研發人員：沈澤斌，
申請(專利權)人：海太半導體無錫有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32