自舉充電電路及三相逆變電路驅動系統技術方案

本實用新型專利技術涉及一種自舉充電電路及三相逆變電路驅動系統，包含控制單元、分別對電流采樣單元進行供電的上、下橋臂，且上、下橋臂相互連接，且分別并聯在控制單元的高電平輸出端和低電平輸出端上。其中，上橋臂包含與電流采樣單元連接第一三極管，下橋臂包含與電路采樣單元連接的第二三極管，控制單元的高電平輸出端與上、下橋臂的連接線路上還并聯連接上拉電阻器，控制單元的低電平輸出端與上、下橋臂的連接線路上還并聯連接下拉電阻器。同現有技術相比，通過上拉電阻器和下拉電阻器使得下橋臂中的第二三極管可持續導通，從而實現了對自舉電容的正常充電，進而避免了電流采樣單元因無法獲得足夠的供電而產生報錯的現象發生。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種通信電路，特別涉及一種自舉充電電路及三相逆變電路驅動系統。
技術介紹
在三相逆變電路驅動系統中，通過自舉充電電路實現浮動控制電源的方式可以將隔離電源的數量由四路減小到一路(N側控制電源)。然而由于在現有技術中，通過自舉電路實現浮動控制電源時，在初始充電階段，需要通過軟件讓低端絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)IGBT中的電路持續導通，并保持足夠的時間，才能完全充滿自舉電容。但是這種方式會有一個弊端，就是在軟件自舉電容充電程序運行前或運行中，電流采樣芯片處于無電或供電不足的狀態。然而電流采樣芯片在沒有供電的情況下，默認采集的電流信號為負無窮大，導致的采集的信號是錯誤的，從而會使得產品的研發人員無法得到準確的采集數據，進而給產品設計帶來了很大的麻煩。因此，如何通過合理的電路設計，使得電流采樣芯片可以采集到更準確的數據，是本技術所需要解決的問題。
技術實現思路
本技術為了克服現有技術的不足，設計了一種新型的自舉充電電路，無須通過軟件控制電路就能夠持續對自舉電容進行充電，避免電流采樣芯片處于無電或供電不足的狀態時，無法正常采集電流的信號，給研發人員對產 品的設計帶來不必要的麻煩。為了實現上述目的，本技術提供了一種自舉充電電路，包含控制單元、分別對電流采樣單元進行供電的上橋臂和下橋臂，且所述上橋臂和所述下橋臂相互連接，且分別并聯在所述控制單元的高電平輸出端和低電平輸出端上。其中，所述上橋臂包含一個與所述電流采樣單元連接第一三極管，所述下橋臂包含一個與所述電路采樣芯片連接的第二三極管，其特征在于：所述控制單元的高電平輸出端與所述上、下橋臂的連接線路上還并聯連接一個上拉電阻器，所述控制單元的低電平輸出端與所述上、下橋臂的連接線路上還并聯連接一個下拉電阻器。本技術還提供了一種三相逆變電路驅動系統，所述逆變電路驅動系統包含如上所述的自舉充電電路。本技術的實施方式相對于現有技術而言，在控制單元的高電平輸出端與低電平輸出端分別并聯一個上拉電阻器和下拉電阻器，通過上拉電阻器和下拉電阻器使得下橋臂中的第二三極管持續導通，從而實現了對自舉電容的正常充電，進而避免了電流采樣單元因無法獲得足夠的供電而產生報錯的現象發生。進一步的，所述上橋臂還包含與所述第一三極管連接的上橋光耦，所述下橋臂還包含與所述第二三極管連接下橋光耦；其中，所述上橋光耦的正極與所述下橋光耦的負極連接，且該條連接線路并聯連接所述控制單元的低電平輸出端；而所述上橋光耦的負極與所述下橋光耦的正極連接，且該條線路并聯連接所述控制單元的高電平輸出端。進一步的，所述下橋光耦為帶有過流保護功能的光耦。通過下橋光耦對電流起到限流的作用，防止三極管被電流擊穿。進一步的，所述第一三極管和所述第二三極管均為絕緣柵雙極型晶體管IGBT。另外，所述控制單元包含控制芯片、與所述控制芯片連接的緩沖寄存器。另外，所述上拉電阻器包含N個依次串聯或并聯的電阻；其中，所述N為 自然數；而所述下拉電阻器包含M個依次串聯或并聯的電阻；其中，所述M為自然數。另外，所述上拉電阻器和所述下拉電阻器中至少有一個電阻為可調電阻。從而在實際應用時，可以通過調節可調電阻的阻值來實現不同類型三極管的導通。附圖說明圖1為本技術第一實施方式的自舉充電電路的電路原理圖。具體實施方式為使本技術的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本技術的各實施方式進行詳細的闡述。然而，本領域的普通技術人員可以理解，在本技術各實施方式中，為了使讀者更好地理解本申請而提出了許多技術細節。但是，即使沒有這些技術細節和基于以下各實施方式的種種變化和修改，也可以實現本申請各權利要求所要求保護的技術方案。本技術的第一實施方式涉及一種新型的自舉充電電路，如圖1所示，包含控制單元、分別對電流采樣單元5進行供電的上橋臂和下橋臂。其中，上橋臂和下橋臂相互連接，且分別并聯在控制單元的高電平輸出端和低電平輸出端上。其中，上橋臂中的第一三極管與電流采樣單元5相連，下橋臂中的第二三極管也與電流采樣單元5相連，而控制單元的高電平輸出端與上、下橋臂的連接線路上還并聯連接一個上拉電阻器，控制單元的低電平輸出端與上、下橋臂的連接線路上還并聯連接一個下拉電阻器。在此需要說明的是，在該實施方式中，電流采樣單元5采用的是AD7401芯片，第一三極管和第二三極管采用的是絕緣柵雙極型晶體管IGBT。由此可知，通過在控制單元的高電平輸出端與低電平輸出端分別并聯一個上拉電阻器和下拉電阻器，通過上拉電阻器和下拉電阻器使得下橋臂中的第二三極管持續導通，從而實現了對自舉電容的正常充電，進而避免了電流采樣單元因無法獲得足夠的供電而產生報錯的現象發生。進一步的，上橋光耦3的正極與下橋光耦4的負極連接，且該連接線路并聯連接控制單元的低電平輸出端，而上橋光耦3的負極與下橋光耦4的正極連接，且該條連接線路并聯連接控制單元的高電平輸出端。如圖1中所示，由于在上述電路中，第一三極管的電路是持續導通的，且使得整個上橋臂和下橋臂與電流采樣單元5之間的電路是導通的，從而使得電流可以依次通過下橋光耦4、第二三極管、上橋光耦3和第一三極管后對電容進行自舉充電，保證了對電流采樣單元5有足夠的供電，進而避免了電流采樣單元5因無法獲得足夠的供電而產生報錯的現象發生。進一步的，在本實施方式中，下橋光耦4為帶有過流保護功能的光耦。由于上述電路連接方式使得下橋光耦4與第二三極管之間的電路是導通的，而第二三極管在導通的狀態下，基極電流過大時會損傷三極管，因此，下橋光耦4需要選用帶有過流保護功能的光耦，對電流起到限流的作用，防止三極管被電流擊穿。另外，值得一提的是，在本實施方式中，第一三極管和第二三極管均為絕緣柵雙極型晶體管IGBT。而IGBT因集MOSFET和GTR的優點于一身，具有輸入阻抗高、開關速度快、驅動電路簡單、通態電壓低、能承受高電壓大電流等優點，被選用作為第一三極管和第二三極管，有助于提升自舉充電電路的穩定性。另外，控制單元包含控制芯片1、與控制芯片1連接的緩沖寄存器2。具體的說，在本實施方式中，該緩沖寄存器2采用的是74ACT244芯片，且高電平輸出端與低電平輸出端分別與控制芯片1上的Y1和Y2端并聯。這使得在自舉電容充電時，控制單元的控制芯片1可以控制電流采樣單元5對電路中電流信號 進行采集，將采集的信號數據儲存于與控制芯片1連接的緩沖寄存器2中，便于研發人員根據采集的信號數據對產品作進一步的設計和改進。另外，值得一提的是，在本實施方式中，上拉電阻器包含N個依次串聯或并聯的電阻；其中，N為自然數；而下拉電阻器包含M個依次串聯或并聯的電阻；其中，M為自然數。進一步的，在自舉充電電路中，上拉電阻器和下拉電阻器中至少有一個電阻為可調電阻。所以在自舉充電電路中使用時，可調電阻作為上拉電阻器或下拉電阻器，從而在實際應用時，可以通過調節可調電阻的阻值以實現不同類型三極管的導通。本技術的第二實施方式涉及一種三相逆變電路驅動系統，其中，逆變電路驅動系統包含如上的自舉充電電路。由此可知，在三相逆變電路驅動系統中，控制單元的高電平輸出端與低電平輸出端分別并聯一個上拉電阻器和下拉電阻器使得下橋臂中的第本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種自舉充電電路，包含控制單元、分別對電流采樣單元進行供電的上橋臂和下橋臂，且所述上橋臂和所述下橋臂相互連接，且分別并聯在所述控制單元的高電平輸出端和低電平輸出端上；其中，所述上橋臂包含一個與所述電流采樣單元連接第一三極管，所述下橋臂包含一個與所述電路采樣單元連接的第二三極管，其特征在于：所述控制單元的高電平輸出端與所述上、下橋臂的連接線路上還并聯連接一個上拉電阻器，所述控制單元的低電平輸出端與所述上、下橋臂的連接線路上還并聯連接一個下拉電阻器。

【技術特征摘要】
1.一種自舉充電電路，包含控制單元、分別對電流采樣單元進行供電的上橋臂和下橋臂，且所述上橋臂和所述下橋臂相互連接，且分別并聯在所述控制單元的高電平輸出端和低電平輸出端上；其中，所述上橋臂包含一個與所述電流采樣單元連接第一三極管，所述下橋臂包含一個與所述電路采樣單元連接的第二三極管，其特征在于：所述控制單元的高電平輸出端與所述上、下橋臂的連接線路上還并聯連接一個上拉電阻器，所述控制單元的低電平輸出端與所述上、下橋臂的連接線路上還并聯連接一個下拉電阻器。2.根據權利要求1所述的自舉充電電路，其特征在于：所述上橋臂還包含與所述第一三極管連接的上橋光耦，所述下橋臂還包含與所述第二三極管連接下橋光耦；其中，所述上橋光耦的正極與所述下橋光耦的負極連接，且該條連接線路并聯連接所述控制單元的低電平輸出端；而所述上橋光耦的負極與所述下橋光耦的正極連接，且該條...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張強，付博，鄭成毅，姜宇，趙虎，
申請(專利權)人：上海新時達電氣股份有限公司，上海辛格林納新時達電機有限公司，
類型：新型
國別省市：上海;31