磁性天線及其制造方法技術(shù)

提供了一種磁性天線及其制造方法。根據(jù)本公開的磁性天線可包括聚碳酸酯?鐵氧體組合物，在所述聚碳酸酯?鐵氧體組合物中形成孔，使得孔隙率(p＝(di?ds)×100/di)為25％或更大至40％或更小，這里，di是理論密度，并且ds是實際密度。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請要求于2015年5月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0076383號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用包含于此。
本公開涉及一種磁性天線及其制造方法。
技術(shù)介紹
一般的天線可分為基于電場的介質(zhì)天線和基于磁場的磁性天線。由于基于磁性材料的天線會具有如下問題：信號不會從天線傳輸大的距離，所以大部分情況下，使用基于電場的天線。一般的基于電場的天線的長度與將要通過該天線接收和發(fā)送的波長的長度相關(guān)，并且一般的單極天線具有與將要通過該天線接收和發(fā)送的波長的長度的1/4相對應(yīng)的尺寸。當前，移動電話天線按照通過對一般的基于電場的單極天線進行修改而獲得的倒F天線(IFA)的形式來制造。具體地講，大多數(shù)移動電話天線具有通過利用介電材料來減小一般的單極天線的尺寸而獲得的型內(nèi)天線(in-mold antenna，IMA)的形式。一般的天線的等效電路可以是L-C電路。在L-C電路中，諧振頻率可通過下面的等式1表示。由于L和C是與磁導(dǎo)率(μ)和介電常數(shù)(ε)成比例的值，所以簡單地說，可理解的是：諧振頻率與磁導(dǎo)率和介電常數(shù)的乘積的平方根成反比。一般的利用電場的天線的尺寸與將要通過該天線接收并發(fā)送的波長成比例，通過磁導(dǎo)率與介電常數(shù)的比所表示的天線的尺寸如下：用于發(fā)送和接收特定波長的信號的天線的長度與等式2中的磁導(dǎo)率和介電常數(shù)的乘積的平方
根成正比。因此，在天線具有介電常數(shù)的情況下，可進一步減小天線的尺寸。當前，設(shè)置在移動電話中的大多數(shù)天線是使用介電材料(磁導(dǎo)率＝1，介電常數(shù)>4)的型內(nèi)天線(IMA)，并且天線的長度可根據(jù)介電常數(shù)的大小而減小，有利于移動電話的小型化。然而，雖然僅具有介電常數(shù)(磁導(dǎo)率＝1，介電常數(shù)>4)的介質(zhì)天線有利于小型化，但存在如下問題：諧振頻率的帶寬與介電常數(shù)成比例地減小，使得利用在小型化和帶寬方面具有優(yōu)勢的磁性介電材料的天線的重要性增強。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本公開的一方面可提供一種包含25％至45％是孔的聚碳酸酯-鐵氧體組合物的磁性天線，以解決根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的型內(nèi)天線(IMA)的劣勢。本公開的一方面也可提供一種制造包含25％至45％是孔的聚碳酸酯-鐵氧體組合物的磁性天線的方法。根據(jù)本公開的一方面，一種磁性天線可包含聚碳酸酯-鐵氧體組合物，在聚碳酸酯-鐵氧體組合物中形成孔，使得孔隙率(p＝(di-ds)×100/di)為25％或更大至40％或更小，這里，di是理論密度，并且ds是實際密度。在這種情況下，可使用具有六角片狀的六角鐵氧體作為鐵氧體。根據(jù)本公開的另一方面，一種制造磁性天線的方法可包括：使聚碳酸酯粉末熔化；將鐵氧體粉末添加至熔化的聚碳酸酯粉末，以制備混合液；攪拌混合液以產(chǎn)生氣泡；使攪拌的混合液快速干燥并使干燥的混合物成型。附圖說明通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述，將更加清楚地理解本公開的以上和其它方面、特征和優(yōu)勢，在附圖中：圖1是根據(jù)本公開的示例性實施例的磁性天線的示意圖；圖2是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的制造磁性天線的方法的流程圖；圖3是示出根據(jù)磁性天線的孔隙率的磁導(dǎo)率的曲線圖；圖4是示出根據(jù)磁性天線的孔隙率的磁損耗的曲線圖；圖5是示出根據(jù)磁性天線的孔隙率的介電常數(shù)的曲線圖；圖6是示出根據(jù)磁性天線的孔隙率的介電損耗的曲線圖；圖7是示出根據(jù)磁性天線的頻率的磁導(dǎo)率的曲線圖；圖8是示出根據(jù)磁性天線的頻率的磁損耗的曲線圖；圖9是示出根據(jù)磁性天線的頻率的介電常數(shù)的曲線圖；圖10是示出根據(jù)磁性天線的頻率的介電損耗的曲線圖。具體實施方式在下文中，將參照附圖如下描述本專利技術(shù)構(gòu)思的實施例。然而，本專利技術(shù)構(gòu)思可按照多種不同的形式來舉例說明，并且不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述的具體實施例。更確切地說，提供這些實施例，以使本公開將是徹底的和完整的，并將本公開的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在整個說明書中，將理解的是，當諸如層、區(qū)域或晶圓(基板)的元件被稱為“位于”另一元件“上”、“連接到”或者“結(jié)合到”另一元件時，所述元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“連接到”或者直接“結(jié)合到”另一元件，或者可存在介于它們之間的其它元件。相比之下，當元件被稱為“直接位于”另一元件“上”、“直接連接到”或者“直接結(jié)合到”另一元件時，不存在介于它們之間的元件或?qū)印Ｏ嗤臉颂柺冀K指示相同的元件。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)聯(lián)的所列項目中的任何以及全部組合。將明顯的是，雖然可在此使用術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分與另一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離示例性實施例的教導(dǎo)的情況下，下面描述的第一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分可稱作第二構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分。為了描述的方便，可在此使用空間相關(guān)的術(shù)語(例如，“在…之上”、“上方”、“在…之下”和“下方”等)，以描述如圖中示出的一個元件與另一元件的關(guān)系。將理解的是，除了圖中示出的方位之外，與空間相關(guān)的術(shù)語意于包括裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，
則被描述為“在”其它元件或特征“之上”或“上方”的元件將被定位為“在”所述其它元件或特征“之下”或“下方”。因此，術(shù)語“在…之上”可根據(jù)附圖的特定方向而包含“在…之上”和“在…之下”的兩種方位。裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，并可對在此使用的與空間相關(guān)的描述符做出相應(yīng)解釋。在此使用的術(shù)語僅用于描述特定實施例，并且無意限制本專利技術(shù)構(gòu)思。如在此使用的，除非上下文中另外清楚地指明，否則單數(shù)形式也將包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，在本說明書中使用的術(shù)語“包括”和/或“包含”列舉存在所述的特征、整體、步驟、操作、構(gòu)件、元件和/或它們的組合，但不排除存在或增加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、構(gòu)件、元件和/或它們的組合。在下文中，將參照示出本專利技術(shù)構(gòu)思的實施例的示意圖描述本專利技術(shù)構(gòu)思的實施例。在附圖中，例如，由于制造技術(shù)和/或公差，所示出的形狀的修改是可預(yù)計的。因此，本專利技術(shù)構(gòu)思的實施例不應(yīng)被理解為受限于在此示出的區(qū)域的特定形狀，例如，不受限于包括由于制造導(dǎo)致的形狀的改變。以下的實施例也可由一個或其組合而構(gòu)成。下面描述的本專利技術(shù)構(gòu)思的內(nèi)容可具有多種構(gòu)造，并且雖然在此僅提出所需的構(gòu)造，但不限于此。圖1是根據(jù)本公開的示例性實施例的磁性天線的示意圖。參照圖1，根據(jù)本示例性實施例的磁性天線100可具有通常用在智能裝置(諸如智能電話等)中的型內(nèi)天線(IMA)結(jié)構(gòu)，并且包含聚碳酸酯-鐵氧體組合物，在聚碳酸酯-鐵氧體組合物中形成孔，使得孔隙率(p＝(di-ds)×100/di)為25％或更大至40％或更小，這里，di是理論密度，并且ds是實際密度。在這種情況下，理論密度di可指的是磁性天線不存在孔的狀態(tài)下的密度，實際密度ds可指的是磁性天線在包含孔的狀態(tài)下的密度。聚碳酸酯(一種熱塑性聚合物樹脂)具有諸如抗沖擊性、耐風(fēng)化、自熄性以及透明性等特征，并且具有良好的電絕緣和尺寸穩(wěn)定特性。聚碳酸酯可用作維持根據(jù)本示例性實施例的磁性天線(僅通過干燥不進行燒結(jié)而以天線的形式成型)中的鐵氧體和孔本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種磁性天線，包括聚碳酸酯?鐵氧體組合物，在所述聚碳酸酯?鐵氧體組合物中形成孔，使得孔隙率為25％或更大至40％或更小，孔隙率p可表示為p＝(di?ds)×100/di，其中，di是理論密度，并且ds是實際密度。

【技術(shù)特征摘要】
2015.05.29 KR 10-2015-00763831.一種磁性天線，包括聚碳酸酯-鐵氧體組合物，在所述聚碳酸酯-鐵氧體組合物中形成孔，使得孔隙率為25％或更大至40％或更小，孔隙率p可表示為p＝(di-ds)×100/di，其中，di是理論密度，并且ds是實際密度。2.如權(quán)利要求1所述的磁性天線，其中，鐵氧體是六角片狀的六角鐵氧體。3.如權(quán)利要求1所述的磁性天線，其中，所述磁性天線在2.1GHz的頻率中具有1.5或更大的磁導(dǎo)率和0.15或更小的磁損耗。4.如權(quán)利要求1所述的磁性天線，其中...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金晉模，金仁圭，徐正旭，羅恩慧，金學(xué)寬，
申請(專利權(quán))人：三星電機株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：韓國;KR