【技術實現步驟摘要】
?分離單晶硅堝底料中石英的工藝??????????????????????
本專利技術屬于半導體分離
，特別是涉及一種分離單晶硅堝底料中石英的工藝。??????????????????????
技術介紹
單晶硅堝底料是在用石英坩堝拉制單晶硅時殘留在坩堝底部的硅料，這部分硅料約占坩堝中全部硅料的15％，由于單晶硅是生產多晶硅的原料，它具有很高的使用和經濟價值，因而分離單晶硅堝底料中石英，使單晶硅堝底料得到有效的利用，一直是人們關注的問題。在現有技術中，將石英與硅分離的方法主要由機械方法和化學方法；采用機械方法分離堝底料與石英時，其切割分離難度和工作量都很大，而且在分離后的硅料表面仍然粘附有少量的石英，其實際分離效果較差；而采用化學方法分離堝底料與石英時，先用機械方法將大部分堝底料與石英分離，再將分離的硅料(表面仍粘附有少量石英)置于氫氟酸中浸泡12小時，然后用去離子水淋洗，最后和頭尾料一起清洗烘干后裝料，由于氫氟酸具有較強的腐蝕性，使用時存在著較大的安全隱患和環境污染問題，因而化學方法不適合工業生產中應用。-->?????????????????????
技術實現思路
本專利技術的目的是為了克服上述石英與硅分離方法所存在的缺陷，并提供一種生產安全、能耗較低、效果明顯的分離單晶硅堝底料中石英的工藝。在達到上述專利技術目的中，本專利技術提供的一種分離單晶硅堝底料中石英的工藝包括下列步驟：(1)將堝底料破碎，得到塊狀和顆粒狀的堝底料；(2)用Si3N4涂料刷抹坩堝底部和內壁，讓其自然干燥；(3)把顆粒狀堝底料放置在坩堝內；(4)將裝有顆粒狀堝底料的坩堝放入中頻感...
【技術保護點】
一種分離單晶硅堝底料中石英的工藝，包括下列步驟：（１）將堝底料破碎，得到顆粒狀的堝底料；（２）用Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］涂料刷抹坩堝底部和內壁，讓其自然干燥；（３）把顆粒狀堝底料放置在坩堝內；（４）將裝有顆粒狀堝底料的坩堝放入 中頻感應電爐，開啟電源使爐內溫度升高至熔點溫度后１００℃左右，保溫１０－３０分鐘，則顆粒狀堝底料在坩堝內重熔；（５）在加熱達到規定時間后，關掉電源，待自然冷卻后，可得到已分離的硅與石英。
【技術特征摘要】
1.一種分離單晶硅堝底料中石英的工藝，包括下列步驟：(1)將堝底料破碎，得到顆粒狀的堝底料；(2)用Si3N4涂料刷抹坩堝底部和內壁，讓其自然干燥；(3)把顆粒狀堝底料放置在坩堝內；(4)將裝有顆粒狀堝底料的坩堝放入中頻感應電爐，開啟電源使爐內溫度升高至熔點溫度...
【專利技術屬性】
技術研發人員：昌金銘，唐駿，楊佳榮，黃炳華，吳建榮，
申請(專利權)人：中國科技開發院浙江分院，
類型：發明
國別省市：86[中國|杭州]
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