純化三氟化氮?dú)怏w的方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及從雜質(zhì)ＣＦ＃－［４］中純化三氟化氮?dú)怏w的方法。該方法包括在－３０～３０℃的溫度下用脫水的毛沸石選擇性吸附三氟化氮，用惰性氣體置換四氟化碳，解吸和濃縮已純化的三氟化氮。純化結(jié)果得到純度為９９．９９％的ＮＦ＃－［３］，并且ＣＦ＃－［４］含量不超過(guò)１０ｐｐｍ。所提出的吸附純化ＮＦ＃－［３］的方法可以在環(huán)境溫度下實(shí)施，且吸附劑的工作壽命長(zhǎng)。該方法在實(shí)踐中是可行的，在經(jīng)濟(jì)上是有利的，而且易于在工業(yè)條件下實(shí)施。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
?純化三氟化氮?dú)怏w的方法
本專利技術(shù)涉及無(wú)機(jī)化學(xué)領(lǐng)域，具體涉及從四氟化碳中純化三氟化氮?dú)怏w的方法。
技術(shù)介紹
三氟化氮廣泛用于半導(dǎo)體材料、高能激光器的制造以及化學(xué)氣相沉積中。與元素氟不同，三氟化氮可采用壓力高達(dá)110atm的壓縮氣體貯存容器而容易以濃縮形式運(yùn)輸，其包裝密度高達(dá)600g/l(J.Fluor.Chem.，1991，56，No.1-3，p.37)。當(dāng)今的電子工業(yè)對(duì)高純半導(dǎo)體材料工業(yè)中所使用的三氟化氮的純度提出了非常高的要求。主物質(zhì)NF3的含量為99.9～99.999％，雜質(zhì)的總含量不應(yīng)超過(guò)10～100ppm或體積份數(shù)/百萬(wàn)份的主產(chǎn)物。最困難的工藝任務(wù)是從作為雜質(zhì)的四氟化碳中純化三氟化氮，即使四氟化碳的含量很小，也會(huì)因形成碳或碳化硅固體殘余物而導(dǎo)致半導(dǎo)體蝕刻工藝中的嚴(yán)重問(wèn)題。分離NF3和CF4的復(fù)雜性的原因是它們的分子大小及沸點(diǎn)沒(méi)有顯著的差異，其中沸點(diǎn)差異不超過(guò)1℃(Gmelin?Handbook，1986，V.4，pp179-180)。已知的現(xiàn)有技術(shù)是通過(guò)氣相色譜分離氣體氟化物的方法，其采用硅膠作為分離相，所述硅膠的平均粒徑為22，并且混有5～30％重量的低分子量的氯三氟乙烯聚合物液體(US3125425，17/03/64)。該聚合物在0℃時(shí)為液體，分子量為200～1500，在壓力為0.5mmHg時(shí)的沸點(diǎn)為121～260℃。氣相色譜分離法可以在-80～50℃下，從含NF3和CF4的氣體混合物中得到主物質(zhì)濃度高于90％的氟化物。該方法的缺點(diǎn)在于效率低，氦或其它惰性氣體的高消耗(高達(dá)500升/1升NF3)，以及雜質(zhì)濃度小于1％體積時(shí)的分離不十分有效。按已知方法制備的三氟化氮的純度不超過(guò)99％體積，這對(duì)于電子工業(yè)中使用的產(chǎn)品來(lái)說(shuō)顯然是不夠的。為了得到具有電子工業(yè)級(jí)純度的氣體鹵化物，建議采用氣相色譜法，其中采用多孔的聚合物，特別是“Poropak”作為分離(吸附)介質(zhì)(Z.Analyt.-->Chem.，1968，235，No.4，pp341-344)。該方法在三氟化氮與CF4、N2F2、CO2、N2O及一些其它雜質(zhì)的混合物的分析氣相色譜中已有廣泛的應(yīng)用，但是，由于NF3和CF4的產(chǎn)出時(shí)間沒(méi)有顯著的差異以及大量消耗分離用惰性氣體，所以該方法用于工業(yè)的氣體純化是不可取的。為了克服上述缺點(diǎn)，提出了一種采用氣-固色譜技術(shù)，從NF3和CF4的混合物中分離NF3的方法，所得到的組分具有高達(dá)99.99％的純度(US5069690，03/12/91)。該專利技術(shù)是分離CF4與NF3的制備氣相色譜的改進(jìn)方法，采用水熱處理的沸石分子篩5A作為氣相色譜的吸附劑或菱沸石。該方法包括使NF3與CF4的混合物在連續(xù)的惰性載氣流中以單個(gè)部分(不連續(xù)地)通過(guò)多孔吸附劑床，與CF4相比，該吸附劑在動(dòng)力學(xué)上更容易吸附NF3。采用經(jīng)水熱預(yù)處理的5A分子篩或開孔范圍為4.4～4.8的菱沸石作為這種吸附劑。但是，應(yīng)當(dāng)注意到，在靜止條件下，從所述專利的圖4，5和6可以看出，所采用的吸附劑以絕對(duì)相似的方式吸附NF3和CF4。大量耗費(fèi)的氣體速度為2.5～8.6g/cm2·小時(shí)。大量消耗惰性分離載氣(至少100升/1升得到的NF3)使作者推薦與氦氣、氮?dú)夂蜌鍤庖黄鹗褂脷錃猓@從工藝的爆炸安全性考慮，只有當(dāng)具有H2的混合物中NF3的濃度小于9.0％體積時(shí)才是允許的。這種NF3分離方法的主要缺點(diǎn)在于：效率低，大量消耗載氣，需要對(duì)沸石進(jìn)行專門的耗能的水熱預(yù)處理(未經(jīng)處理的沸石不能分離NF3與CF4的混合物并不能提供所需質(zhì)量的產(chǎn)品)，以及需要精確地調(diào)節(jié)所有氣流的流量排出，以便在分離設(shè)備的出口排除三氟化氮的二次污染。所有這些缺點(diǎn)均使該方法復(fù)雜化，并且使其在經(jīng)濟(jì)上不利于工業(yè)實(shí)施。公知的現(xiàn)有技術(shù)是從含三氟化氮，水，一氧化二氮，二氧化碳，二氟二吖嗪的混合物中除去水和一氧化二氮的方法，此外，該混合物還可以含有氧氣，四氟化碳和六氟化硫或其混合物(JP?10-259011，29/09/98)。在所述的日本專利中提出并解決了從水和一氧化二氮中純化三氟化氮并排除NF3與吸附劑(沸石)相互作用的問(wèn)題，結(jié)果導(dǎo)致一氧化二氮對(duì)NF3的二次污染。為了實(shí)現(xiàn)該目的，所述日本專利的作者提出兩步法，其中首先，與沸石3A型接觸以在孔徑不小于3的沸石上除去混合物中的水，然后通過(guò)與Si/Al比大于3.0(優(yōu)選4.5)的沸石接觸，以除去一氧化二氮，所述Si/Al比大于3.0的沸石選自斜發(fā)沸石，絲光沸石，菱鉀沸石，毛沸石，ZSM-5，鎂堿沸石，-->L，ω，β或其混合物。所述專利的作者觀察到?jīng)]有任何沸石吸附NF3。根據(jù)說(shuō)明書中的實(shí)施例，采用絲光沸石鈉從N2O雜質(zhì)中純化三氟化氮(實(shí)施例2)。在其它實(shí)施例1和3～6中，表明可以排除由于NF3與沸石的相互作用而導(dǎo)致的一氧化二氮對(duì)NF3的二次污染。從說(shuō)明書可以看出，所述方法沒(méi)有解決分離NF3與CF4混合物的問(wèn)題，盡管作者述及混合物中可能存在CF4，但是實(shí)施例和正文中均未示出NF3與CF4混合物的分離。在其技術(shù)本質(zhì)和所得結(jié)果上與本專利技術(shù)提出的方法最接近的純化含CF4雜質(zhì)的三氟化氮?dú)怏w的方法，其包括如下步驟：使三氟化氮?dú)怏w在-50～10℃下與結(jié)晶的多孔合成沸石接觸，所述沸石的孔徑基本上是均勻的，并且具有大約4.9的有效孔徑；然后從吸附劑中置換含有CF4的氣體；使純化的三氟化氮解吸；以及濃縮(US?5069887，03/12/91，原型)。使用分子篩5A作為合成沸石，以經(jīng)驗(yàn)式Ca6Al12Si12O48·xH2O來(lái)表示，并含1～10％重量的結(jié)晶水。如果沸石5A中的結(jié)晶水含量小于1％重量，則吸附劑有效地吸附CF4和NF3，沒(méi)有顯著的選擇性。當(dāng)結(jié)晶水的含量大于10％重量時(shí)，幾乎等同地發(fā)生CF4和NF3的吸附，而且吸附量很小。吸附溫度是關(guān)鍵的因素，因?yàn)樵?0℃以上，NF3的吸附程度顯著降低。為了從分子篩中置換出CF4，可以采用惰性氣體(氦)。三氟化氮的解吸是在真空下進(jìn)行的。通過(guò)該方法得到的三氟化氮含有小于10ppm的CF4，這與電子工業(yè)的要求相一致。如本專利的作者所指出的，采用分子篩或其它種類的沸石，難于進(jìn)行選擇性地單獨(dú)吸附NF3。只有采用孔徑約4.9的分子篩5A，在水含量為1～10％重量且沸石保持不高于10℃的條件下，才可能實(shí)現(xiàn)NF3的選擇性吸附。上述方法具有這樣的缺點(diǎn)：即使分子篩5A在所指定結(jié)晶水含量范圍內(nèi)，也顯著降低吸附劑的容量(從4.5％到1％重量的NF3)，以及不良的沸石工作壽命。要求保持吸附區(qū)的溫度為-50～10℃，盡管該因素十分重要還造成降低分子篩5A容量的因素，按本專利技術(shù)的作者的意見，必需使三氟化氮在解吸工藝中的水解反應(yīng)過(guò)程最小化，并相應(yīng)地，需要使水解產(chǎn)物對(duì)分子篩的氟化最小化，其發(fā)生于60℃以上的吸附劑的再生中。當(dāng)用分子篩5A于-50～10℃的溫度下分離NF3與CF4的純二組份混合物時(shí)，沸石的循環(huán)工作壽命是足夠長(zhǎng)的。然而，即使存在較小量(10～100ppm)的如CO2、N2O、N2F2和H2O-->等雜質(zhì)(它們?nèi)鏝F3一樣被分子篩5A所吸附)，也會(huì)導(dǎo)致沸石對(duì)NF3的容量的顯著降低，從而需要再生吸附劑。在本案所推薦的吸附劑(水含量為1～10％重量的分子篩5A)中存在矛盾：一方面，需要存在結(jié)晶水，以保證選擇性分離本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
純化含有ＣＦ↓［４］雜質(zhì)的三氟化氮?dú)怏w的方法，包括用脫水的結(jié)晶的多孔合成沸石選擇性地吸附三氟化氮，用惰性氣體置換四氟化碳，解吸和濃縮已純化的三氟化氮，其特征在于，采用毛沸石作為合成沸石，所述毛沸石具有最大和最小直徑分別為５．２＊和３．５＊的橢圓形微孔。

【技術(shù)特征摘要】
RU 2002-2-26 20021050421.純化含有CF4雜質(zhì)的三氟化氮?dú)怏w的方法，包括用脫水的結(jié)晶的多孔合成沸石選擇性地吸附三氟化氮，用惰性氣體置換四氟化碳，解吸和濃縮已純化的三氟化氮，其特征在于，采用毛沸石作為合成沸石，所述毛沸石具有最大和最小直徑分別為5....

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：瑟蓋M伊古諾夫，瓦萊里P卡里托諾夫，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：皮姆因維斯特科學(xué)生產(chǎn)食品股份公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：RU[俄羅斯]