本發明專利技術公開了一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，用于鉬質量分數大于99.9%的半導體基片電鍍銠，包括半導體基片預處理和電鍍銠的步驟，在半導體基片預處理和電鍍銠步驟之間還依次設置有預鍍鎳、鍍鎳清洗、吹干的過程：所述預鍍鎳是指：將預處理后的半導體基片在20?40℃去離子水中浸泡1?3分鐘，然后放入預鍍鎳溶液中進行以電流密度10?30A/dm2進行2?10min的電鍍鎳；所述預鍍鎳溶液主要由以下成分按重量配比為，氯化鎳40?80g/L，磷酸二氫鎳50?200g/L，緩蝕劑2?10g/L，并通過磷酸或鹽酸調節pH值至4.0?5.0。本發明專利技術的鍍銠層與半導體基片結合良好。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體材料的貴金屬電鍍領域，具體是指一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝。
技術介紹
隨著我國經濟的迅速發展，人民生活水平的不斷提高，半導體行業迅速發展，為了使IGBT等模塊在高溫環境中保持穩定的工作性能，其鉬基片表面需涂覆一層防止鉬氧化且不影響鉬基片平面度、物理性能的鍍層。行業中，已經發現銠和鉬的物理性能較為接近且氧化后表面形成一種防護層，進而防止進一步氧化。但是，鉬基片上鍍銠，其結合度并不理想，鍍銠層容易脫落。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，使鉬質量分數大于99.9%的半導體基片表面電鍍銠以后，鍍銠層不易脫落。本專利技術通過下述技術方案實現：一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，用于鉬質量分數大于99.9%的半導體基片電鍍銠，包括半導體基片預處理和電鍍銠的步驟，在半導體基片預處理和電鍍銠步驟之間還依次設置有預鍍鎳、鍍鎳清洗、吹干的過程；所述預鍍鎳是指：將預處理后的半導體基片在20-40℃去離子水中浸泡1-3分鐘，然后放入預鍍鎳溶液中進行以電流密度10-30A/dm2進行2-10min的電鍍鎳；所述預鍍鎳溶液主要由以下成分按重量配比為，氯化鎳40-80g/L，磷酸二氫鎳50-200g/L，緩蝕劑2-10g/L，并通過磷酸或鹽酸調節pH值至4.0-5.0；所述鍍鎳清洗是指：半導體基片進過預鍍鎳后，通過三道去離子水的漂洗；所述吹干是指：半導體基片經過鍍鎳清洗后，用熱風快速吹干并靜置待鍍鎳層干燥。進一步的，為更好的實現本專利技術，所述預鍍鎳溶液穩定在20-50℃。進一步的，為更好的實現本專利技術，所述緩蝕劑為工業級硼酸。進一步的，為更好的實現本專利技術，所述預鍍鎳溶液還包括200-800目的活性炭顆粒。進一步的，為更好的實現本專利技術，所述鍍鎳清洗中三道去離子水依次為70-85℃的熱的去離子水、室溫的去離子水、室溫的去離子水。進一步的，為更好的實現本專利技術，所述鍍鎳清洗時，已預鍍鎳的半導體基片分別在三道去離子水中擺動清洗0.5-2min。進一步的，為更好的實現本專利技術，所述吹干是指以100-200℃熱風快速吹干鍍鎳層且無水漬殘留。進一步的，為更好的實現本專利技術，所述預鍍鎳是指：將預處理后的半導體基片在30-40℃去離子水中浸泡2分鐘，然后放入預鍍鎳溶液中進行以電流密度15-20A/dm2進行5-6min的電鍍鎳；所述預鍍鎳溶液主要由以下成分按重量配比為，氯化鎳60g/L，磷酸二氫鎳120g/L，緩蝕劑4g/L，并通過磷酸或鹽酸調節pH值至4.0-5.0；所述鍍鎳清洗是指：半導體基片進過預鍍鎳后，依次通過溫度為70-80℃、室溫、室溫的三道去離子水的漂洗；所述吹干是指：半導體基片經過鍍鎳清洗后，用150-200℃的熱風快速吹干，并靜置待鍍鎳層完全干燥。進一步的，為更好的實現本專利技術，所述預鍍鎳是指：將預處理后的半導體基片在30-40℃去離子水中浸泡2分鐘，然后放入預鍍鎳溶液中進行以電流密度25-30A/dm2進行2-3min的電鍍鎳；所述預鍍鎳溶液主要由以下成分按重量配比為，氯化鎳80g/L，磷酸二氫鎳200g/L，緩蝕劑4g/L，并通過磷酸或鹽酸調節pH值至4.5-5.0；所述鍍鎳清洗是指：半導體基片進過預鍍鎳后，依次通過溫度為70-80℃、室溫、室溫的三道去離子水的漂洗；所述吹干是指：半導體基片經過鍍鎳清洗后，用180-200℃的熱風快速吹干，并靜置待鍍鎳層完全干燥。本專利技術與現有技術相比，具有以下優點及有益效果：（1）本專利技術采用電鍍銠前預鍍鎳的工藝，使鍍銠層通過預鍍鎳層與鉬基片結合，不僅具有良好的抗氧化性，而且具有良好的結合力；（2）本專利技術中預鍍鎳步驟在鉬基片上預先電鍍一層薄鎳，既解決了結合力的問題，又不影響鉬基片的平面度；（3）本專利技術中預鍍鎳步驟所用化學原料較為常見，成本低廉，有利于成本控制。具體實施方式下面結合實施例對本專利技術作進一步地詳細說明，但本專利技術的實施方式不限于此。實施例1：本實施例的一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，主要是通過下述技術方案實現：一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，用于鉬質量分數大于99.9%的半導體基片電鍍銠，包括半導體基片預處理和電鍍銠的步驟，在半導體基片預處理和電鍍銠步驟之間還依次設置有預鍍鎳、鍍鎳清洗、吹干的過程：所述預鍍鎳是指：將預處理后的半導體基片在20-40℃去離子水中浸泡1-3分鐘，然后放入預鍍鎳溶液中進行以電流密度10-30A/dm2進行2-10min的電鍍鎳；所述預鍍鎳溶液主要由以下成分按重量配比為，氯化鎳40-80g/L，磷酸二氫鎳50-200g/L，緩蝕劑2-10g/L，并通過磷酸或鹽酸調節pH值至4.0-5.0；所述鍍鎳清洗是指：半導體基片進過預鍍鎳后，通過三道去離子水的漂洗；所述吹干是指：半導體基片經過鍍鎳清洗后，用熱風快速吹干并靜置待鍍鎳層干燥。實施例2：本實施例在上述實施例基礎上做進一步優化，進一步的，為更好的實現本專利技術，所述預鍍鎳溶液穩定在20-50℃。本實施例的其他部分與上述實施例相同，故不再贅述。實施例3：本實施例在上述實施例基礎上做進一步優化，進一步的，為更好的實現本專利技術，所述緩蝕劑為工業級硼酸。本實施例的其他部分與上述實施例相同，故不再贅述。實施例4：本實施例在上述實施例基礎上做進一步優化，進一步的，為更好的實現本專利技術，所述預鍍鎳溶液還包括200-800目的活性炭顆粒。本實施例的其他部分與上述實施例相同，故不再贅述。實施例5：本實施例在上述實施例基礎上做進一步優化，進一步的，為更好的實現本專利技術，所述鍍鎳清洗中三道去離子水依次為70-85℃的熱的去離子水、室溫的去離子水、室溫的去離子水。本實施例的其他部分與上述實施例相同，故不再贅述。實施例6：本實施例在上述實施例基礎上做進一步優化，進一步的，為更好的實現本專利技術，所述鍍鎳清洗時，已預鍍鎳的半導體基片分別在三道去離子水中擺動清洗0.5-2min。本實施例的其他部分與上述實施例相同，故不再贅述。實施例7：本實施例在上述實施例基礎上做進一步優化，進一步的，為更好的實現本專利技術，所述吹干是指以100-200℃熱風快速吹干鍍鎳層且無水漬殘留。本實施例的其他部分與上述實施例相同，故不再贅述。實施例8：本實施例中所述預鍍鎳是指：將預處理后的半導體基片在30-40℃去離子水中浸泡2分鐘，然后放入預鍍鎳溶液中進行以電流密度18-20A/dm2進行5.5min的電鍍鎳；所述預鍍鎳溶液主要由以下成分按重量配比為，氯化鎳60g/L，磷酸二氫鎳120g/L，緩蝕劑4g/L，并通過磷酸或鹽酸調節pH值至4.3-4.5；所述鍍鎳清洗是指：半導體基片進過預鍍鎳后，依次通過溫度為70-80℃、室溫、室溫的三道去離子水的漂洗；所述吹干是指：半導體基片經過鍍鎳清洗后，用150-200℃的熱風快速吹干，并靜置待鍍鎳層完全干燥。此工藝預鍍鎳的鎳層厚度為2-5um，適用于電鍍面積為2-3dm2的鉬基片。本實施例的其他部分與上述實施例相同，故不再贅述。實施例8：本實施例中所述預鍍鎳是指：將預處理后的半導體基片在30-40℃去離子水中浸泡2分鐘，然后放入預鍍鎳溶液中進行以電流密度28-30A/dm2進行3min的電鍍鎳；所述預鍍鎳溶液主要由以下成分按重量配比為，氯化鎳80g/L，磷酸本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，用于鉬質量分數大于99.9％的半導體基片電鍍銠，其特征在于：包括半導體基片預處理和電鍍銠的步驟，在半導體基片預處理和電鍍銠步驟之間還依次設置有預鍍鎳、鍍鎳清洗、吹干的過程；所述預鍍鎳是指：將預處理后的半導體基片在20?40℃去離子水中浸泡1?3分鐘，然后放入預鍍鎳溶液中進行以電流密度10?30A/dm2進行2?10min的電鍍鎳；所述預鍍鎳溶液主要由以下成分按重量配比為，氯化鎳40?80g/L，磷酸二氫鎳50?200g/L，緩蝕劑2?10g/L，并通過磷酸或鹽酸調節pH值至4.0?5.0；所述鍍鎳清洗是指：半導體基片進過預鍍鎳后，通過三道去離子水的漂洗；所述吹干是指：半導體基片經過鍍鎳清洗后，用熱風快速吹干并靜置待鍍鎳層干燥。
【技術特征摘要】
1.一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，用于鉬質量分數大于99.9％的半導體基片電鍍銠，其特征在于：包括半導體基片預處理和電鍍銠的步驟，在半導體基片預處理和電鍍銠步驟之間還依次設置有預鍍鎳、鍍鎳清洗、吹干的過程；所述預鍍鎳是指：將預處理后的半導體基片在20-40℃去離子水中浸泡1-3分鐘，然后放入預鍍鎳溶液中進行以電流密度10-30A/dm2進行2-10min的電鍍鎳；所述預鍍鎳溶液主要由以下成分按重量配比為，氯化鎳40-80g/L，磷酸二氫鎳50-200g/L，緩蝕劑2-10g/L，并通過磷酸或鹽酸調節pH值至4.0-5.0；所述鍍鎳清洗是指：半導體基片進過預鍍鎳后，通過三道去離子水的漂洗；所述吹干是指：半導體基片經過鍍鎳清洗后，用熱風快速吹干并靜置待鍍鎳層干燥。2.根據權利要求1所述的一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，其特征在于：所述預鍍鎳溶液穩定在20-50℃。3.根據權利要求1所述的一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，其特征在于：所述緩蝕劑為工業級硼酸。4.根據權利要求1所述的一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，其特征在于：所述預鍍鎳溶液還包括200-800目的活性炭顆粒。5.根據權利要求1所述的一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，其特征在于：所述鍍鎳清洗中三道去離子水依次為70-85℃的熱的去離子水、室溫的去離子水、室溫的去離子水。6.根據權利要求5所述的一種半導體基片預鍍鎳的鍍銠工藝，其特征在于：所述鍍鎳清洗時，已預鍍鎳的半導體基片分別在三道去離子水中擺動清洗0.5-2m...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊素賢，
申請(專利權)人：成都立威訊科技有限公司，
類型：發明
國別省市：四川;51
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。