存儲器讀取電路參考電流的獲取方法及裝置、讀取方法制造方法及圖紙

一種存儲器讀取電路參考電流的獲取方法及裝置、讀取方法。所述參考電流的獲取方法包括：從存儲陣列中選中與待讀取的存儲單元位于同一行且對應(yīng)不同位線的2n個存儲單元，n為正整數(shù)；對所述2n個存儲單元執(zhí)行編程操作，使得所述2n個存儲單元中的n個存儲單元被編程為“01”，所述2n個存儲單元中剩余n個存儲單元被編程為“10”；將對所述待讀取的存儲單元執(zhí)行讀取操作時對應(yīng)的所述2n個存儲單元所在位線的電流的平均值作為所述參考電流。應(yīng)用上述方案獲取參考電流，可以提高讀取電路的讀取速度和讀取精度，并減少對所選中的存儲單元耐久性的影響。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及存儲器
，具體涉及一種存儲器讀取電路參考電流的獲取方法及裝置、讀取方法。
技術(shù)介紹
存儲器不僅是數(shù)字集成電路中重要的組成部分，更是構(gòu)建基于微處理器的應(yīng)用系統(tǒng)不可缺少的一部分。近年來，人們將各種存儲器嵌入在微處理器內(nèi)部以提高處理器的集成度與工作效率，存儲器陣列及其外圍電路的性能在很大程度上決定了整個系統(tǒng)的工作效率。讀取電路是存儲器的外圍電路的重要組成部分，用于讀取存儲陣列中目標存儲單元所存儲的比特數(shù)據(jù)。通常情況下，讀取電路在對目標存儲單元執(zhí)行讀操作時，先獲取目標存儲單元所在位線的位線電流以及參考電流，進而將位線電流與參考電流進行比較，最終根據(jù)比較結(jié)果確定目標存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)為“0”或“1”。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中存儲陣列的一種部分結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖1，所述存儲陣列包括若干呈陣列排布的存儲單元，同一行的存儲單元共用同一字線及控制柵線，同一列的存儲單元共用同一位線。所述存儲陣列包括：第一存儲陣列11以及第二存儲陣列12，其中，第一存儲陣列11通常用于存儲數(shù)據(jù)，對應(yīng)位線B0～Br-1。第二存儲陣列12通常用于提供參考電流對應(yīng)位線Br～Br+1。目前，在獲取用于執(zhí)行讀操作的參考電流時，通常先選中第二存儲陣列12中的一個或多個存儲單元，進而通過控制所選中的存儲單元上的電壓，使得所選中的存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)固定為“11”，最后將所選中的存儲單元上的位線電流的平均值作為所述參考電流。然而，在讀取電路執(zhí)行讀操作時，采用該方法獲取的參考電流值會直線增加，影響所選中存儲單元的耐久性。為了提高所選中存儲單元的耐久性，改進的方法是：在每次對所選中的存儲單元執(zhí)行擦除操作前，重新對所選中的存儲單元執(zhí)行編程操作，使得所選中的存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)為“11”，由此可以使得獲取的參考電流值保持相對穩(wěn)定。但是采用上述方法獲取參考電流，會導(dǎo)致無法對所讀取的目標存儲單元各個電極的電壓進行跟蹤，也就無法確定目標存儲單元各個電極的電壓是否隨著工藝、電壓、溫度等變化一致，最終影響讀取電路的讀取速度及讀取精度。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)解決的技術(shù)問題是如何獲取參考電流，以提高讀取電路的讀取速度和讀取精度，并減少對所選中的存儲單元耐久性的影響。為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)實施例提供一種存儲器讀取電路參考電流的獲取方法，所述存儲器包括若干個呈陣列排布的存儲單元所構(gòu)成的存儲陣列，所述參考電流的獲取方法包括：從存儲陣列中選中與待讀取的存儲單元位于同一行且對應(yīng)不同位線的2n個存儲單元，n為正整數(shù)；對所述2n個存儲單元執(zhí)行編程操作，使得所述2n個存儲單元中的n個存儲單元被編程為“01”，所述2n個存儲單元中剩余n個存儲單元被編程為“10”；將對所述待讀取的存儲單元執(zhí)行讀取操作時對應(yīng)的所述2n個存儲單元所在位線的電流的平均值作為所述參考電流。可選地，所述2n個存儲單元中同一存儲單元在每次獲取所述參考電流時所存儲的數(shù)據(jù)均相同。可選地，所述2n個存儲單元中同一存儲單元在相鄰兩次被用于獲取所述參考電流時所存儲的數(shù)據(jù)不同。本專利技術(shù)實施例提供了一種存儲器的讀取方法，所述方法包括：施加相應(yīng)的讀取電壓至待讀取的存儲單元的各個電極；通過第一輸入端接入所述待讀取的存儲單元對應(yīng)的位線電流；通過第二輸入端接入?yún)⒖茧娏鳎鰠⒖茧娏魇峭ㄟ^上述任一種的存儲器讀取電路參考電流的獲取方法獲得的；將所述位線電流與參考電流進行比較獲得所述待讀取的存儲單元的讀取結(jié)果。本專利技術(shù)實施例還提供了一種存儲器讀取電路參考電流的獲取裝置，所述存儲器包括若干個呈陣列排布的存儲單元所構(gòu)成的存儲陣列，所述裝置包括：選取單元，適于從存儲陣列中選中與待讀取的存儲單元位于同一行且對應(yīng)不同位線的2n個存儲單元，n為正整數(shù)；編程單元，適于對所述2n個存儲單元執(zhí)行編程操作，使得所述2n個存儲單元中的n個存儲單元被編程為“01”，所述2n個存儲單元中剩余n個存儲單元被編程為“10”；獲取單元，適于將對所述待讀取的存儲單元執(zhí)行讀取操作時對應(yīng)的所述2n個存儲單元所在位線的電流的平均值作為所述參考電流。可選地，所述2n個存儲單元中同一存儲單元在每次獲取所述參考電流時所存儲的數(shù)據(jù)均相同。可選地，所述2n個存儲單元中同一存儲單元在相鄰兩次被用于獲取所述參考電流時所存儲的數(shù)據(jù)不同。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)實施例的技術(shù)方案具有以下有益效果：采用上述方案，由于所選中的2n個存儲單元中，被編程為“01”的存儲單元的個數(shù)與被編程為“10”的存儲單元的個數(shù)相同，因此，將對所述待讀取的存儲單元執(zhí)行讀取操作時對應(yīng)的所述2n個存儲單元所在位線的電流的平均值作為所述參考電流，可以保持參考電流值的相對穩(wěn)定，也就減少對所選中的存儲單元耐久性的影響。并且，由于存儲單元被編程為“01”或“10”時存儲單元各個電極的電壓的變化更為敏感，因此也就更容易對存儲單元各個電極的電壓進行電壓跟蹤，從而可以提高讀取電路的讀取速度和讀取精度。通過使得所述2n個存儲單元中同一存儲單元在相鄰兩次獲取所述參考電流時所存儲的數(shù)據(jù)不同，可以使得所述2n個存儲單元中各個存儲單元所受的電壓應(yīng)力更加均勻，進一步提高存儲單元的耐久性和穩(wěn)定性。附圖說明圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種存儲陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中一種存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本專利技術(shù)實施例中一種存儲器讀取電路參考電流的獲取方法的流程圖；圖4是本專利技術(shù)實施例提供的一種參考電流獲取過程的示意圖；圖5是現(xiàn)有技術(shù)中一種存儲單元的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是圖5中存儲單元的電路示意圖；圖7是本專利技術(shù)實施例提供的一種存儲器的讀取方法流程圖；圖8是本專利技術(shù)實施例中提供的一種存儲器讀取電路參考電流的獲取裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的一種存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖2，所述存儲器可以包括：存儲陣列，包括存儲單元211及存儲單元212；行譯碼電路22，適于在讀取操作期間將字線電壓加載到存儲單元211及212的字線及控制柵線上；列譯碼電路，包括列譯碼單元231及列譯碼單元232，適于在讀取操作期間將位線電壓加載到存儲單元的位線上；讀取電路24，包括：第一輸入端s1，通過所述列譯碼單元231與存儲單元211的位線連接，適于接入?yún)⒖茧娏鱅ref；第二輸入端s2，通過列譯碼單元232與存儲單元212的位線連接，適于接入讀取電流Icell；與列譯碼單元231串聯(lián)連接的鉗位電路241，適于對存儲單元211的位線電壓進行鉗制；與列譯碼單元232串聯(lián)連接的鉗位電路242，適于對存儲單元212的位線電壓進行鉗制；比較電路243，適于將參考電流Iref與讀取電流Icell進行比較，輸出讀取電壓Vbl；輸出電路244，適于根據(jù)讀取電壓Vbl確定存儲單元212上所存儲的比特數(shù)據(jù)。通過列譯碼單元231及行譯碼電路22選中存儲單元211，進而將存儲單元211所在位線的電路作為參考電流Iref輸入至讀取電路24的第一輸入端s1。通過列譯碼單元232及行譯碼電路22選中存儲單元212，進而將存儲單元212所在位線的電流作為讀取電路Icell輸入至讀取電路24的第二輸入端s2。在鉗位電路241及鉗位電路242的鉗制下，參考電流Iref及讀取電路Icell輸入至比較電路243，由比較電路243對參考電流Iref及讀取電路Icell進行比較并輸出讀取電壓Vbl，進而由輸出電路244根本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種存儲器讀取電路參考電流的獲取方法，所述存儲器包括若干個呈陣列排布的存儲單元所構(gòu)成的存儲陣列，其特征在于，所述參考電流的獲取方法包括：從存儲陣列中選中與待讀取的存儲單元位于同一行且對應(yīng)不同位線的2n個存儲單元，n為正整數(shù)；對所述2n個存儲單元執(zhí)行編程操作，使得所述2n個存儲單元中的n個存儲單元被編程為“01”，所述2n個存儲單元中剩余n個存儲單元被編程為“10”；將對所述待讀取的存儲單元執(zhí)行讀取操作時對應(yīng)的所述2n個存儲單元所在位線的電流的平均值作為所述參考電流。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種存儲器讀取電路參考電流的獲取方法，所述存儲器包括若干個呈陣列排布的存儲單元所構(gòu)成的存儲陣列，其特征在于，所述參考電流的獲取方法包括：從存儲陣列中選中與待讀取的存儲單元位于同一行且對應(yīng)不同位線的2n個存儲單元，n為正整數(shù)；對所述2n個存儲單元執(zhí)行編程操作，使得所述2n個存儲單元中的n個存儲單元被編程為“01”，所述2n個存儲單元中剩余n個存儲單元被編程為“10”；將對所述待讀取的存儲單元執(zhí)行讀取操作時對應(yīng)的所述2n個存儲單元所在位線的電流的平均值作為所述參考電流。2.如權(quán)利要求1所述的存儲器讀取電路參考電流的獲取方法，其特征在于，所述2n個存儲單元中同一存儲單元在每次獲取所述參考電流時所存儲的數(shù)據(jù)均相同。3.如權(quán)利要求1所述的存儲器讀取電路參考電流的獲取方法，其特征在于，所述2n個存儲單元中同一存儲單元在相鄰兩次被用于獲取所述參考電流時所存儲的數(shù)據(jù)不同。4.一種存儲器的讀取方法，其特征在于，包括：施加相應(yīng)的讀取電壓至待讀取的存儲單元的各個電極；通過第一輸入端接入所述待讀取的存儲單元對應(yīng)的位線電流；通過第二輸入端接入?yún)⒖茧娏?..

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊光軍，
申請(專利權(quán))人：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：上海;31